刘祥明
- 作品数：3 被引量：3H指数：1
- 供职机构：南开大学更多>>
- 发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术机械工程更多>>
- 同成份掺杂铌酸锂晶体中紫外-红光非挥发全息存储的研究
- 2007年
- 我们研究了单掺镁、锌、铟的同成份铌酸锂晶体的紫外-红光双色非挥发全息存储性质。通过对不同掺杂浓度铌酸锂晶体的紫外-红光双色全息存储衍射效率、灵敏度、响应时间、动态范围等参数的测量，我们发现掺杂浓度超过抗光损伤阈值的同成份铌酸锂晶体在引入紫外光辐照后，响应时间明显缩短，双色记录灵敏度显著增加，而且存储机制不同于低于阈值浓度的晶体，均可以实现非挥发全息存储；并且，对于不同的掺杂离子，光折变光栅的形成机制也有所不同。
- 付博张国权刘祥明徐庆君申岩许京军
- 关键词：掺杂铌酸锂晶体紫外光辐照全息存储挥发
- 铌酸锂晶体紫外光折变效应和光致霍尔效应的研究
- 铌酸锂作为优良的多功能无机晶体在各方面都受到了广泛的研究,尤其在全息存储方面。在可见光条件下,掺镁、锌、铟铌酸锂晶体显示了很好的抗光损伤性,特别是当掺杂浓度超过所谓的抗光损伤阈值后。但是,这些掺杂的晶体在紫外光辐照下,却...
- 刘祥明
- 关键词：铌酸锂晶体全息存储
- 文献传递
- 掺杂对铌酸锂晶体非挥发全息存储性能的影响被引量：3
- 2008年
- 通过研究掺镁、掺锌和掺铟同成分铌酸锂晶体的紫外-红光双色全息存储性能,发现双色记录响应时间均比单色记录时明显缩短,最多的可减小3个数量级;双色记录灵敏度大幅度提高,在掺镁5mol.%的晶体中可达到1.1cm/J.在掺杂浓度超过抗光损伤阈值的铌酸锂晶体中,均可实现非挥发全息存储.但是,在掺镁、锌样品中,深、浅能级中心上的光栅反相,而在掺铟样品中则表现为同相.这是由于掺杂离子的种类不同,在铌酸锂晶体中形成的缺陷中心也不同所引起的.
- 付博张国权刘祥明申岩徐庆君孔勇发陈绍林许京军
- 关键词：掺杂铌酸锂晶体全息存储
