刘世东
- 作品数：8 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国科学院近代物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划陕西省教育厅科研计划项目更多>>
- 相关领域：理学机械工程核科学技术更多>>
- 低能质子束在氢等离子体中的能损研究被引量：1
- 2015年
- 实验测量了100 keV的质子束穿过部分电离氢等离子体靶后的能量损失.等离子体靶由气体放电方式产生,其自由电子密度在1016cm-3量级,电子温度约1—2 eV,维持时间在微秒量级.研究结果表明:质子束在等离子体靶中的能量损失与自由电子密度密切相关且明显大于在同密度条件下中性气体靶中的能量损失;在自由电子密度达到峰值处,通过实验结果计算得到此时的自由电子库仑对数约为10.8,与理论计算结果符合较好,该值比Bethe公式给出的中性气体靶中束缚电子库仑对数高4.3倍,相应的能损增强因子为2.9.
- 邓佳川赵永涛程锐周贤明彭海波王瑜玉雷瑜刘世东孙渊博任洁茹肖家浩麻礼东肖国青R. GavrilinS. SavinA. GolubevD. H. H. Hoffmann
- 关键词：质子束能量损失
- 量热法研究高电荷态离子作用表面时的势能沉积
- 高电荷态离子携带着极高的库仑势能,作用表面时可以在飞秒时间内释放势能到一个纳米空间区域,造成极高的能量沉积密度,并引起一系列不同于低电荷态离子的物理现象,例如:表面离子溅射增强,二次电子发射产额增加,空心原子X射线发射以...
- 程锐赵永涛王瑜玉周贤明雷瑜刘世东邓佳川麻礼东肖家浩肖国青
- 低能离子束在等离子体中的能损研究
- 程锐赵永涛周贤明彭海波Roman GavrilinSergey SavinAlexander Golubev王瑜玉雷瑜刘世东邓佳川肖国青Dieter H.H.Hoffmann
- 近玻尔速度氙离子激发钒的K壳层X射线被引量：2
- 2016年
- 测量了2.4—6.0 MeV Xe^(20+)离子轰击V靶表面过程中辐射的X射线.计算了V的K壳层X射线发射截面,并将实验结果与平面波恩近似、ECPSSR、两体碰撞近似的理论计算进行了对比.讨论了近玻尔速度非对称碰撞过程中,BEA模型估算高电荷态重离子激发内壳层电离的修正因素.结果表明,综合考虑库仑偏转和有效电荷态修正后,BEA理论与实验结果符合较好.
- 周贤明赵永涛程锐雷瑜王瑜玉任洁茹刘世东梅策香陈熙萌肖国青
- 关键词：X射线有效电荷
- 近玻尔速度Ne^(2+)离子穿过碳膜引起的电子发射
- 2013年
- 本文测量了入射能为2—25keV/u的Ne2+离子穿过不同厚度碳膜诱导的前向、后向(分别对应出射表面和入射表面)电子发射产额.实验中通过改变炮弹离子的能量,系统的研究了势能沉积、电子能损以及反冲原子对前向、后向电子发射产额的贡献.结果表明,离子的势能沉积只对后向电子发射有贡献,前向、后向电子发射产额分别与Ne2+离子在薄膜出射、入射表面的电子能损近似成正比关系,其中电子能损很低(对应于离子能量很低)的时候,反冲原子对电子发射的贡献不能忽略.
- 虞洋赵永涛王瑜玉王兴程锐周贤明李永峰刘世东雷瑜孙渊博曾利霞
- 关键词：电子发射电子能损
- ^(129)Xe^(q+)轰击N型和P型Si表面时的电子发射产额研究
- 2016年
- 在兰州重离子加速器国家实验室测量了1.8 MeV Xe^(q+)离子分别轰击N型和P型Si两种靶材表面时的电子发射产额。实验中,通过改变入射离子的电荷态,研究了入射离子势能沉积对两种靶材表面电子发射产额的贡献。结果发现同一离子入射时,N型Si表面的电子发射产额高出P型Si表面的电子发射产额约12.5%;对于具有相同入射动能的Xe^(q+)离子,两种靶材表面的电子发射产额均随着入射离子势能的增加而线性增加。此外,还测量了3.4 MeV Xe^(q+)离子分别轰击以上两种靶材时的电子发射产额,得到了类似的结果。本文利用功函数分别从动能电子发射和势能电子发射两个角度对实验结果进行了分析讨论。
- 曾利霞徐忠锋赵永涛吴帆刘学良程锐周贤明雷瑜刘世东张艳宁
- 关键词：高电荷态离子功函数
- 低能O^(5+)离子穿过H_2靶后的电荷态分布
- 2014年
- 实验测量了0.75 MeV的O5+离子穿过一定长度不同原子数密度H2靶后的电荷态分布;理论模拟了出射离子的平均电荷态以及达到平衡后的平均电荷态,得到了与实验吻合较好的结果。研究表明,随着靶原子数密度的增大,离子在碰撞过程中俘获电子的几率随之增加,平均电荷态降低;当靶原子数密度达到或超过1014 cm-3,入射离子俘获电子和被碰撞电离的两个作用过程达到平衡,出射离子的平衡平均电荷态约为1.2。
- 李永峰赵永涛程锐彭海波周贤明李锦钰虞洋王兴任洁茹王瑜玉雷瑜孙渊博刘世东
- 关键词：高电荷态离子
- O^(2+)离子穿过碳膜引起的前后表面电子发射
- 2014年
- 测量了入射能为1.9~11.3 keV/u的O^(2+)离子穿过碳膜诱导的前向、后向(分别对应出射表面和入射表面)电子发射产额。实验中,通过改变入射离子的能量和流强,系统地研究了电子能损和离子束流强度对前向、后向电子发射产额的影响。结果表明,在本实验的能量范围内,前向、后向电子发射产额与对应表面的电子能损有近似的正比关系,而与束流强度无关。分析还发现引起后向电子发射的动能阈值约为0.2 keV/u,势能电子发射产额约为1 e^-/ion。
- 虞洋赵永涛王瑜玉王兴程锐周贤明李永峰刘世东雷瑜孙渊博
- 关键词：电子发射电子能损
