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冯术成

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：理学电气工程电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 1篇射频磁控
  • 1篇射频磁控溅射
  • 1篇铁电
  • 1篇铁电薄膜
  • 1篇平板显示
  • 1篇平板显示器
  • 1篇平板显示器件
  • 1篇驱动电路
  • 1篇钛酸锶
  • 1篇钛酸锶钡
  • 1篇钛酸锶钡薄膜
  • 1篇显示器
  • 1篇显示器件
  • 1篇晶化
  • 1篇溅射
  • 1篇后处理工艺
  • 1篇BST薄膜
  • 1篇C-V特性
  • 1篇IP
  • 1篇残余应力

机构

  • 3篇电子科技大学

作者

  • 3篇冯术成
  • 3篇杨传仁
  • 2篇张继华
  • 2篇陈宏伟
  • 1篇符春林
  • 1篇李益全
  • 1篇廖家轩
  • 1篇唐章东
  • 1篇唐海军

传媒

  • 1篇功能材料
  • 1篇现代电子技术
  • 1篇实验科学与技...

年份

  • 1篇2007
  • 2篇2005
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
铁电薄膜C-V特性测量研究
2005年
采用TH2828型LCR测试仪及四端对接测量方法,搭建了铁电薄膜的介电特性测试平台。利用此测试平台对自制钛酸锶钡(简称BST)铁电薄膜材料的C-V特性进行测量,能准确表征铁电薄膜的介电特性。
冯术成杨传仁陈宏伟符春林廖家轩尹开锯
关键词：铁电薄膜
后处理工艺对BST薄膜残余应力的影响的分析
2007年
采用射频磁控溅射在Pt/Ti/SiO2/Si（100）衬底上制备了钛酸锶钡（BST）薄膜，利用气氛炉对薄膜进行晶化处理，晶化后薄膜的应力采用XRD表征。研究其残余应力随退火气氛、退火温度以及退火降温速率变化的趋势，通过对不同后处理工艺参数实验结果的分析，得到较优化的工艺参数，以制备较小残余应力的优质BST薄膜。
唐海军杨传仁陈宏伟张继华冯术成
关键词：射频磁控溅射钛酸锶钡薄膜晶化残余应力
平板显示器件通用驱动电路IP核的设计
2005年
介绍了一种全新的平板显示器件通用驱动电路IP核的总体设计。采用自顶向下的设计方法将其划分为几个主要模块,并分别介绍各个模块的功能,用VHDL语言对其进行描述,并用FPGA实现。通过仿真验证,该IP核具有良好的移植性,规模可调,可用于多数不同种类和不同规模的平板显示器件。
李益全杨传仁张继华唐章东冯术成
关键词：平板显示驱动电路IP
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