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冯春

作品数:63 被引量:11H指数:2
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金中国科学院知识创新工程国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术文化科学金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 51篇专利
  • 6篇期刊文章
  • 4篇会议论文
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 17篇电子电信
  • 5篇自动化与计算...
  • 5篇文化科学
  • 3篇金属学及工艺
  • 2篇经济管理
  • 1篇哲学宗教
  • 1篇化学工程

主题

  • 17篇晶体管
  • 16篇氮化镓
  • 15篇势垒
  • 12篇迁移率
  • 11篇铝镓氮
  • 9篇电极
  • 8篇电子迁移率
  • 8篇异质结
  • 8篇肖特基
  • 8篇感器
  • 8篇高电子迁移率
  • 8篇高电子迁移率...
  • 8篇传感
  • 8篇传感器
  • 7篇势垒层
  • 7篇气体传感
  • 7篇气体传感器
  • 7篇迁移
  • 7篇金属
  • 6篇二维电子

机构

  • 63篇中国科学院
  • 1篇北京工业大学
  • 1篇盐城师范学院
  • 1篇大亚湾核电运...
  • 1篇中国航天

作者

  • 63篇冯春
  • 58篇肖红领
  • 53篇王晓亮
  • 50篇姜丽娟
  • 28篇王翠梅
  • 20篇李巍
  • 17篇王权
  • 9篇殷海波
  • 7篇冉军学
  • 7篇彭恩超
  • 6篇王军喜
  • 6篇王新华
  • 6篇胡国新
  • 6篇刘宏新
  • 5篇王保柱
  • 5篇杨翠柏
  • 4篇马志勇
  • 4篇崔磊
  • 3篇李晋闽
  • 3篇侯洵

传媒

  • 3篇Journa...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇电子测量技术
  • 1篇舰船电子工程
  • 1篇第十四届全国...
  • 1篇第十五届全国...
  • 1篇第十七届全国...

年份

  • 3篇2024
  • 7篇2023
  • 6篇2022
  • 1篇2021
  • 7篇2020
  • 2篇2019
  • 3篇2018
  • 4篇2017
  • 4篇2016
  • 3篇2015
  • 3篇2014
  • 5篇2013
  • 3篇2012
  • 2篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 6篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2006
63 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
具有复合空间层的氮化镓场效应晶体管结构及制作方法
本发明提供一种具有复合空间层的氮化镓场效应晶体管结构及制作方法,该结构,包括:一衬底;一成核层,该成核层制作在衬底的上面;一非有意掺杂高阻层,该非有意掺杂氮化镓制作在成核层的上面;一非有意掺杂高迁移率沟道层,该非有意掺杂...
王翠梅王晓亮彭恩超肖红领冯春姜丽娟陈竑
文献传递
密封传动装置
本发明提供了一种密封传动装置。该密封传动装置具有传动轴高度可调节功能,可以更好的控制薄膜沉积腔室内托盘与加热电阻丝的距离,从而选取最适合晶体外延生长的温区。
王晓亮崔磊肖红领殷海波冯春姜丽娟陈竑
文献传递
双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法
一种双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构,包括:一衬底;一成核层,该成核层制作在衬底上面;一非有意掺杂高阻层,该非有意掺杂高阻层制作在成核层上面;一非有意掺杂插入层,该非有意掺杂插入层制作在非有意掺杂高阻层上面;一非...
王晓亮王翠梅肖红领彭恩超冯春姜丽娟陈竑
文献传递
基于GaN基异质结构的二极管结构及制作方法
一种基于GaN基异质结构的二极管,包括:一衬底;一缓冲层,该缓冲层制作在衬底上;一异质结构势垒层,其制作在缓冲层上;与缓冲层形成二维电子气的异质结构外延层;一P型盖帽层,其制作在异质结构势垒层上,其两侧形成台面;一欧姆接...
康贺王晓亮肖红领王翠梅冯春姜丽娟殷海波崔磊
高阻GAN的MOCVD生长研究
  使用MOCVD在蓝宝石衬底上生长了非故意掺杂的高阻GAN薄膜.分别研究了GAN外延层生长的反应室压力和GA源流量对电阻率和晶体质量的影响.螺位错会在GAN中引入导电路径,降低电阻率.刃位错起受主型陷阱的作用,会补偿背...
张露王晓亮肖红领陈窮王翠梅冯春沈光地王占国侯洵
关键词:高阻XRDKOHSEMAFM
文献传递网络资源链接
核电站板式换热器污垢热阻长时预测方法被引量:2
2021年
核电站对板式换热器使用需求正逐步上升,现有的污垢热阻预测模型泛化能力较低,时序序列角度设计方案较少。针对国内某核电站1号机组的RRI/SEC换热器的实验数据进行主成分分析,优化长短期记忆神经网络设计模型来预测瞬时污垢热阻,覆盖12条管道温度和4条管道流量等变量。模型可精确预测未来25天内的污垢清洗需求,精度可达99.35%,能够在实际使用中,减少换热器监测的人力成本,以提前对板式换热器部分机组停机清洗,增加使用周期和整体机组换热效率。
唐健肖明轩侯晔沈超徐华冯春
关键词:板式换热器
铝镓氮做高阻层的双异质结氮化镓基HEMT及制作方法
一种铝镓氮做高阻层的双异质结氮化镓基HEMT,包括:一衬底;一成核层制作在衬底上面,其厚度为0.01-0.50μm;一非有意掺杂高阻层制作在成核层上面;一非有意掺杂高迁移率层制作在非有意掺杂高阻层上面;一氮化铝插入层制作...
王晓亮彭恩超王翠梅肖红领冯春姜丽娟陈竑
文献传递
AlGaN/AlN/GaN肖特基二极管的电学性能被引量:1
2007年
利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法生长的AlGaN/AlN/GaN/蓝宝石材料制备了AlGaN肖特基二极管.器件的肖特基接触和欧姆接触分别为Ti/Pt和Ti/Al/Ti/Au,均采用电子束蒸发的方法沉积.AlGaN表面欧姆接触的比接触电阻率为7.48×10-4Ω/cm2,器件的I-V测试表明该AlGaN肖特基二极管具有较好的整流特性.根据器件的正向,I-V特性计算得到器件的势垒高度和理想因子分别为0.57eV和4.83.将器件在300℃中温退火,器件的电学性能有所改善.
王新华王晓亮肖红领王翠梅冉军学罗卫军王保柱冯春杨翠柏马志勇胡国新曾一平李晋闽
关键词:肖特基二极管势垒高度
AlGaN/GaN异质结气体传感器对低体积分数CO的响应研究被引量:1
2008年
研究了基于AlGaN/GaN异质结材料的肖特基二极管气体传感器对于体积分数为2×10-4~10-3的CO气体的响应状况。在2V正向偏压下,器件对于低至体积分数2×10-4的CO仍表现出了明显的响应(电流增大0.7mA),随着CO体积分数的升高,器件的电流变化愈加明显,但在反向偏压下,通入CO气体对器件的电流大小无明显影响。对器件在不同体积分数CO下的灵敏度与外加偏压的关系也进行了研究,在正向偏压下,器件的灵敏度随着CO体积分数的升高而增大。当CO气体撤消时,器件表现出了迅速的恢复性能,2V的恒定电压下,器件的恢复速度约为3mA/min。
冯春王晓亮杨翠柏肖红领王翠梅侯奇峰马泽宇王军喜李晋闽王占国侯洵
关键词:ALGAN-GAN肖特基气体传感器氧化碳
一种超宽带功率放大器
本公开提供一种超宽带功率放大器,包括:晶体管M1,源极接地,栅极作为输入端,漏极作为输出端;输入匹配电路,接收射频输入信号,用于将功率放大器的输入阻抗与射频源的输出阻抗匹配;栅极偏置电路,用于对晶体管M1的栅极进行直流供...
李巍王晓亮王茜冯春贺腾肖红领姜丽娟
共7页<1234567>
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