傅新定
- 作品数：3 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 离子束刻蚀菲涅耳金环研究
- 1989年
- 应用离子束刻蚀技术,首先确定金膜的刻蚀速率并研究台阶倾角与刻蚀参数之间的关系。最终微细加工出菲涅耳金环和多针孔金箔,分别成功地用于激光等离子体空间分布测量和激光核聚变诊断。结果表明,离子束刻蚀菲涅耳环带板是提高编码相机分辨率的关键,从而提高了测量等离子体空间分布的分辨率。
- 傅新定方红丽
- 关键词：射角
- 反应离子束刻蚀闪耀光栅技术
- 1989年
- 一、引言反应离子束刻蚀是在离子束刻蚀基础上发展起来的具有广泛应用前景的微细加工技术.近年来,已被用来制作全息闪耀光栅.二、实用全息闪耀光栅反应离子束刻蚀全息闪耀光栅制造工艺请参阅文献[2],在石英基板上涂美国Shipley公司AZ1350胶的感光灵敏度峰值为260nm处,并随波长增长而感光灵敏度降低.现有氦镉激光器产生的441.6nm波长或氩离子激光器产生的457.9nm波长均可使用,但较理想的是325nm或更短的接近峰值波长.刻蚀装置采用冶金所自制的反应离子束刻蚀镀膜装置.选择合适的刻蚀工艺参数,在涂有浮雕光栅掩膜条纹的石英上进行反应离子束刻蚀,已刻蚀出国内第一批实用石英全息闪耀光栅,光栅面积为45×45mm^2,空间频率为1200l/mm.经测试:一级衍射效率为75%,一级波面象差λ/8,杂散光2.5×10^(-7),无鬼线,分辨率达理论值87%.所选择的刻蚀工艺稳定重复,成品率高.
- 傅新定方红丽陈国明邹世昌
- 关键词：闪耀光栅刻蚀
- 离子束蚀刻硅片沟槽台阶形貌——凹沟现象的研究
- 1989年
- 本文用能量为600eV、束流密度为0.5mA·cm^(-2)垂直入射的氩离子束对半导体单晶硅上不同宽度的沟槽(15μm、10μm、5μm)进行了不同时间的离子束蚀刻,发现在槽底靠近槽壁处出现了凹沟现象,建立了入射离子在斜壁上反射的理论模型,并通过计算机模拟和实验结果进行了比较。
- 张建民傅新定
- 关键词：单晶硅片半导体沟槽离子束刻蚀
