俞笑竹
- 作品数：7 被引量：9H指数：2
- 供职机构：上海交通大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江苏省重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 甲烷掺杂SiCOH薄膜的制备和性能研究
- 通过在前驱气体D5源中添加甲烷，由ECRCVD沉积技术制备出了低介电常数的SiCOH薄膜，在甲烷流量为2sccm的条件下，获得了k值为2．45的薄膜样品。由FTIR和OES分析结果，我们推测：富碳氢的等离子体环境可能有利...
- 俞笑竹
- 关键词：低介电常数
- 文献传递
- Si—OH基团对SiCOH低k薄膜性能的影响与控制被引量：5
- 2006年
- 研究了十甲基环五硅氧烷(D5)的电子回旋共振等离子体沉积的SiCOH薄膜中Si—OH基团对介电性能和漏电流的影响.结果表明Si—OH含量的增大会导致介电常数k的增大、漏电流的降低和介电色散的增强.由于Si—OH结构的强极化补偿了薄膜密度减小带来的介电常数降低,导致总的介电常数k增大.高Si—OH含量下漏电流的降低是由于封端的Si—OH基团降低了薄膜中Si—O网络的连通概率p而导致网络电导下降的缘故.介电色散的增强与Si—OH封端结构的快极化过程有关.改变放电参数以提高电子能量,从而提高源的电离程度,使更多的Si—OH基团断裂并通过缩合反应形成Si—O—Si网络,可以进一步降低薄膜的介电常数.
- 叶超宁兆元辛煜王婷婷俞笑竹
- 关键词：介电性能
- 新型半导体材料的制备及性能研究
- 氮化铟（InN）、氢化纳米硅（nc-Si:H）以及石墨烯薄膜作为近年来新型半导体材料的代表，受到人们的广泛关注。本文采用射频磁控溅射（RF Magnetron Sputtering）、等离子体增强化学气相沉积（PECVD...
- 俞笑竹
- 关键词：半导体材料薄膜生长量子干涉晶格振动
- 文献传递
- CHx掺杂SiCOH低介电常数薄膜的物性热稳定性分析被引量：1
- 2009年
- 研究了真空热处理对掺CH4的SiCOH低介电常数薄膜的电流-电压(I-V)特性、电容-电压(C-V)特性、疏水性能以及微结构的影响.结果表明:在热处理过程中,热稳定性较差的碳氢基团发生了热解吸,使薄膜的漏电流减小、绝缘性能改善,并使薄膜的导电行为更趋于空间电荷限流过程.碳氢基团的热解吸使SiCOH/Si界面的界面态发生改变,导致SiCOH薄膜MIS结构的平带电压VFB发生漂移.封端的碳氢基团热解吸使薄膜表面的开口孔结构减少,薄膜表面变得更平整.但是碳氢基团为疏水基团,其热解吸导致薄膜的疏水性能降低.
- 杜杰叶超俞笑竹张海燕宁兆元
- DMCPS电子回旋共振等离子体沉积的SiCOH低介电常数薄膜结构及物性研究
- 本文采用电子回旋共振(ECR)等离子体技术和十甲基环五硅氧烷(DMCPS)源开展了SiCOH薄膜的研究工作,获得了介电常数为2.88的SiCOH低介电常数薄膜.薄膜经400℃热处理后,膜厚减小,最大相对变化率小于15﹪,...
- 叶超宁兆元王婷婷俞笑竹
- 关键词：电子回旋共振绝缘性能
- 文献传递
- 掺CH_4的SiCOH低介电常数薄膜结构与介电性能研究被引量：4
- 2005年
- 以十甲基环五硅氧烷和甲烷作为反应气体,采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法制备了k=2.45,485℃下的热稳定性优良的SiCOH低介电常数薄膜.通过薄膜结构的FTIR谱分析,比较了十甲基环五硅氧烷(D5)液态源和不同甲烷流量下制备的薄膜的键结构差异,发现在沉积过程中甲烷含量的增大,一方面有利于D5源环结构的保留,另一方面有利于薄膜中形成高密度的CHn基团.高密度碳氢大分子基团的存在降低了薄膜密度,结合薄膜中形成的本构孔隙、低极化率Si—C键以及—OH键减少的共同作用,导致薄膜介电常数的降低.
- 俞笑竹王婷婷叶超宁兆元
- 关键词：介电常数热稳定性
- O_2掺杂对SiCOH低k薄膜结构与电学性能的影响被引量：1
- 2007年
- 以十甲基环五硅氧烷(D5)和氧气(O2)作为反应气体,采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法制备了k=2.62的SiCOH薄膜.研究了O2掺杂对薄膜结构与电学性能的影响.结果表明,采用O2掺杂可以在保持较低介电常数的前提下极大地降低薄膜的漏电流,提高薄膜的绝缘性能,这与薄膜中Si-O立体鼠笼、Si-OH结构含量的提高有关.
- 卫永霞钱晓梅俞笑竹叶超宁兆元梁荣庆
- 关键词：介电性能
