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侯晓远

作品数：110 被引量：226H指数：10
供职机构：复旦大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家杰出青年科学基金教育部跨世纪优秀人才培养计划更多>>
相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 69篇期刊文章
  • 31篇专利
  • 7篇会议论文
  • 2篇科技成果
  • 1篇学位论文

领域

  • 58篇电子电信
  • 21篇理学
  • 3篇自动化与计算...
  • 2篇机械工程
  • 2篇电气工程
  • 1篇医药卫生
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇文化科学

主题

  • 39篇发光
  • 28篇多孔硅
  • 19篇砷化镓
  • 17篇半导体
  • 14篇电致发光
  • 12篇发光器件
  • 11篇钝化
  • 8篇硫钝化
  • 7篇电致发光器件
  • 7篇电子能
  • 7篇光致
  • 7篇光致发光
  • 6篇电子能谱
  • 6篇有机发光
  • 6篇发光多孔硅
  • 6篇分子束
  • 6篇分子束外延
  • 6篇GAAS
  • 5篇有机半导体
  • 5篇光电

机构

  • 110篇复旦大学
  • 12篇长沙电力学院
  • 4篇四川工业学院
  • 3篇中国科学技术...
  • 2篇中国科学院
  • 2篇西南师范大学
  • 1篇长沙理工大学
  • 1篇东北林业大学
  • 1篇湖南大学
  • 1篇南京电子器件...
  • 1篇香港城市大学

作者

  • 110篇侯晓远
  • 61篇丁训民
  • 22篇熊祖洪
  • 21篇王迅
  • 19篇廖良生
  • 16篇曹先安
  • 15篇何钧
  • 11篇刘小兵
  • 11篇陈溪滢
  • 9篇张甫龙
  • 9篇钟高余
  • 8篇袁泽亮
  • 8篇张松涛
  • 7篇柳毅
  • 7篇郝平海
  • 7篇范洪雷
  • 7篇周翔
  • 7篇黄大鸣
  • 6篇詹义强
  • 6篇史向华

传媒

  • 20篇Journa...
  • 20篇物理学报
  • 6篇物理
  • 4篇自然科学进展...
  • 2篇科学通报
  • 2篇发光学报
  • 2篇半导体光电
  • 1篇物理学进展
  • 1篇长沙电力学院...
  • 1篇光学学报
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇中国科学（E...
  • 1篇应用科学学报
  • 1篇四川工业学院...
  • 1篇电子显微学报
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇光学与光电技...
  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 2篇2024
  • 2篇2023
  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2012
  • 3篇2011
  • 1篇2009
  • 4篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 4篇2005
  • 2篇2004
  • 10篇2003
  • 2篇2002
  • 5篇2001
  • 6篇2000
  • 8篇1999
  • 12篇1998
共 110 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
β-GaS钝化的GaAs表面的光电子能谱
2000年
在 Ga As表面淀积β- Ga S是一种可行的 Ga As表面钝化方法 .用光电子能谱研究了超薄Ga S淀积后的 Ga As表面 ,分析了表面成分 .并发现 Ga S的淀积能使 Ga As原有的表面能带弯曲减小 0 .4e V,这意味着表面费米能级钉扎在一定程度上得到消除 .给出了一个半定量的理论模型 ,来解释 Ga
董阳王康林丁训民来冰曹先安侯晓远
关键词：GAAS表面光电子能谱砷化镓
P与GaAs(100)表面相互作用的温度效应
1992年
本文采用原位X射线光电子能谱、紫外光电子能谱、高分辨率电子能量损失谱和低能电子衍射技术,研究了温度对P与GaAs(100)表面相互作用的影响。结果表明,经退火后,室温下淀积于GaAs表面的非晶P大部分脱附,仅剩下少量无规分布于表面的P集团。集团中部分P与衬底Ga原子成键,另一部分P则以单质形式存在,继续提高温度退火,将使P集团中的P全部与衬底发生反应生成GaAsP薄层。在高温GaAs衬底上淀积P,将得到GaAsP固溶体薄层。这一薄层有望成为GaAs表面理想的钝化膜。
卢学坤郝平海贺仲卿侯晓远丁训民
关键词：磷砷化镓相互作用温度相关
发光多孔硅材料的制备方法
一种采用脉冲电化学腐蚀制备发光多孔硅材料的方法。传统的多孔硅电化学制备方法是采用直流电流腐蚀的方法。在腐蚀过程中，电化学反应主要集中在多孔硅硅孔的底部，反应生成的化学产物容易沉积在硅孔中，阻止反应的进一步进行，导致直流腐...
侯晓远范洪雷柳毅熊祖洪丁训民
文献传递
砷化镓表面钝化膜的自体生长方法
一种用微波放电产生的硫等离子体在GaAs表面进行自体生长钝化膜的方法。以往溶液钝化方法在GaAs表面产生的钝化膜很薄，在大气中存放会被重新氧化而失去钝化效果。本发明先将GaAs单晶片进行常规方式清洗，氮气吹干后放入S<S...
侯晓远陈溪滢曹先安朱炜李喆深丁训民王迅
文献传递
用于使用聚对二甲苯原位封装胶体量子点光电器件的系统
本公开涉及用于使用聚对二甲苯原位封装胶体量子点光电器件的系统。该系统包括用于制备胶体量子点光电器件的处于惰性气体氛围的手套箱、与手套箱经由阀门连接的沉积室、与沉积室连接的第一真空泵系统、以及分别与手套箱和沉积室连接的惰性...
衣睿宸朱春琴朱光瑞侯晓远
用脉冲腐蚀制备发光多孔硅被引量：17
1995年
采用脉冲腐蚀方法，研究多孔硅的动态腐蚀过程，测定了动态电流和时间的关系，提出并讨论了动态腐蚀机理．用脉冲腐蚀制备得到发光多孔硅，与直流腐蚀相比较，脉冲腐蚀能得到均匀性更好、发光更强的多孔硅，而且ＰＬ峰位有一定的蓝移，我们认为脉冲腐蚀是一种更优秀的制备方法，并对此作了初步的讨论．
范洪雷侯晓远李喆深张甫龙俞鸣人王迅
关键词：发光多孔硅多孔硅
低温湿氧氧化提高多孔硅发光的稳定性被引量：14
1996年
用低温湿氧氧化方法对多孔硅进行后处理,获得了光致发光强度强、发光稳定的样品,顺磁共振谱表明这种样品表面的悬挂键密度较小,通过对样品红外光谱的测试和分析,指出SiH(O_3),SiH(SiO_2),SiH_2(O_2)结构的产生是实验中多孔硅稳定性提高的原因.
陈华杰张甫龙范洪雷阵溪滢黄大鸣俞鸣人侯晓远李谷波
关键词：多孔硅
应用同步辐射光源的表面物理研究—现状与展望被引量：1
1992年
本文综述了应用同步辐射光源的几种主要表面物理研究技术。内容包括:同步辐射光电子能谱(SRPES)、表面广延X射线吸收边精细结构(SEXAFS)、光电子衍射(PED)和掠角入射X射线衍射(GIXD)等。对每种技术的原理、应用实例和最新进展都作了较详细的介绍。
丁训民侯晓远王迅
关键词：表面物理
杆状探针式直流低压气体激活装置
本发明属于高真空技术领域，具体为一种杆状探针式直流低压气体激活装置。该装置由杆状金属探针、可外接电极的标准真空接口和两端都为标准真空接口的移动支架组成。金属探针焊接固定于移动支架一端的真空接口，另一端进入真空腔，移动支架...
丁训民王希祖高歆栋侯晓远
文献传递
有机半导体中载流子与激子的界面物理过程研究
侯晓远丁训民詹义强钟高余
项目所属科学技术领域、主要科学研究内容、特点及引用、应用情况：有机半导体中具有独特的有别于无机半导体的元激发（激化子）形态，载流子输运机制以及紧束缚的激子状态，课题组无法以无机半导体的现有理论来解释有机半导体中的新的物理...
关键词：
关键词：有机半导体
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