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侯晓蕊

作品数：3 被引量：9H指数：2
供职机构：中国电子科技集团公司第二研究所更多>>
发文基金：山西省自然科学基金国际科技合作与交流专项项目更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇半绝缘
  • 2篇4H-SIC
  • 1篇大直径
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶生长
  • 1篇应力
  • 1篇碳化硅
  • 1篇退火
  • 1篇温度
  • 1篇粒度

机构

  • 3篇中国电子科技...

作者

  • 3篇侯晓蕊
  • 3篇徐伟
  • 3篇毛开礼
  • 3篇王英民
  • 2篇王利忠
  • 1篇姜志艳
  • 1篇田牧
  • 1篇李斌

传媒

  • 3篇电子工艺技术

年份

  • 1篇2013
  • 2篇2012
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
温度对碳化硅粉料合成的影响被引量：4
2012年
采用高温合成方法生成了高纯碳化硅(SiC)粉。采用高纯碳(C)粉和硅(Si)粉直接反应,不需外加添加剂,通过控制外部加热使Si和C持续反应。实验结果表明,在相同反应时间条件下,不同加热温度对生成的SiC粉料的粒度和纯度有很大影响。当反应温度从1 920℃升高到1 966℃时,生成的SiC粉粒度由12.548μm增加到29.259μm。当温度继续升高,SiC粉的粒度逐渐减小。温度高于2 000℃时,SiC粉的粒度趋于约20μm。同时,X射线衍射图分析表明,温度高于2 000℃时,生成的SiC粉料中C比例会明显增加。
田牧徐伟王英民侯晓蕊毛开礼
关键词：碳化硅温度粒度
大直径半绝缘4H-SiC单晶生长及表征被引量：5
2012年
采用升华法稳定地生长出7.62 cm半绝缘4H-SiC单晶。通过优化钒掺杂工艺获得了均匀分布的电阻率1011Ω·cm。用激光拉曼光谱仪对晶片进行扫描,结果表明SiC单晶晶型为4H晶型。半绝缘4H-SiC单晶微管密度最好结果小于2 cm-2。用高分辨X射线衍射术表征了7.62 cm 4H-SiC单晶衬底片的结晶质量,(0004)衍射摇摆曲线半峰宽为40",说明晶体结晶性较好。
王英民毛开礼徐伟侯晓蕊王利忠姜志艳
关键词：半绝缘4H-SIC
退火对掺钒半绝缘4H-SiC晶片质量影响的研究
2013年
通过物理气相传输(PVT)法成功地生长出直径大于7.62 cm的掺钒半绝缘4H-SiC晶体。抛光后的掺钒半绝缘4H-SiC晶片在真空且温度1 600℃～2 000℃条件下进行退火处理,利用高分辨X-ray衍射仪、显微拉曼光谱仪、非接触电阻率测试仪和应力仪对退火前后的晶片进行了测试与分析,研究了退火工艺对掺钒半绝缘4H-SiC晶片应力的影响,并且得到了合适的退火工艺。结果表明:合适的退火处理有利于进一步提高晶片的质量。
王利忠王英民李斌毛开礼徐伟侯晓蕊
关键词：退火应力
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