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任良彦

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇会议论文
  • 2篇科技成果
  • 1篇专利

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇单片
  • 2篇单片集成
  • 1篇低通
  • 1篇低通滤波
  • 1篇低通滤波器
  • 1篇低压CMOS
  • 1篇电阻
  • 1篇运算放大器
  • 1篇双极器件
  • 1篇双极型
  • 1篇双极型晶体管
  • 1篇芯片
  • 1篇滤波器
  • 1篇结构参数
  • 1篇晶体管
  • 1篇局域寿命控制
  • 1篇绝缘栅
  • 1篇绝缘栅双极型...
  • 1篇开关电容
  • 1篇开关芯片

机构

  • 3篇电子科技大学
  • 2篇华微电子系统...

作者

  • 5篇任良彦
  • 2篇崔自中
  • 2篇李泽宏
  • 2篇王宇
  • 1篇罗静
  • 1篇李硕
  • 1篇张波
  • 1篇李大刚
  • 1篇宋晓春
  • 1篇吴海舟
  • 1篇李肇基
  • 1篇杨宝亮
  • 1篇汪强
  • 1篇谢刚
  • 1篇李文昌
  • 1篇王宇

传媒

  • 1篇四川省电子学...
  • 1篇第十五届全国...

年份

  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 2篇2005
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
局域寿命控制FS结构IGBT
提出了一种具有局域寿命控制的FS结构IGBT，建立了局部寿命控制区引入后的电流下降过程的瞬态模型，数值分析结果表明：FS-IGBT的基区中引入一局部寿命控制层，关断时间比常规FS-IBGT器件减少了24.2％，正向饱和压...
谢刚李泽宏王宇廖仲平吕沛任良彦
关键词：绝缘栅双极型晶体管局域寿命控制结构参数
一种用于SPIC的高压BCD工艺技术
开发700V高压BCD(BJT/CMOS/DMOS)工艺技术。该工艺在CMOS工艺基础上主要增加As埋层注入、p_top降场层注入以及Pbase注入等工艺步骤，可实现高压DMOS、低压BJT、低压CMOS器件的单片集成。...
任良彦王宇
关键词：单片集成功率开关开关芯片
文献传递
HWD1501高性能低通滤波器
岑远军唐毓尚李大刚崔自中李硕任良彦罗静
HWD1501是一款使用灵活、方便、精确的六级巴特沃斯有源低通滤波器。内部应用了开关电容技术，这样不仅减少了外部元件的使用（精确的大电阻等）而且能让其截止频率随时钟可调。时钟频率和截止频率的比值内部设置为50 : 1。其...
关键词：
关键词：低通滤波器开关电容
一种高压BCD器件的制备方法
一种高压BCD器件的制备方法，属于半导体制造技术领域。包括以下步骤：生长外延；制备Nwell；制备Pwell；制备Deep－N<Sup>+</Sup>；高温推结；制备Pbase；制备Pbody；制备Pwell2制备Pch...
李泽宏王宇张波李肇基任良彦吴海舟
文献传递
SMS3101单片集成运算放大器
李文昌崔自中宋晓春汪强杨宝亮任良彦
SMS3101芯片的设计路线是以正向设计为主，针对用户的需求，制定正向设计的方案及功能模块所采用的电路结构。反复验证电路的功能模块及其实现的电路结构，同时参照国内外同类产品的设计，吸收和消化同类产品关键的设计技术开展研制...
关键词：
关键词：单片集成运算放大器
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