任永生
- 作品数：32 被引量：6H指数：1
- 供职机构：昆明理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：金属学及工艺电子电信化学工程冶金工程更多>>
- 冶金法生产太阳能级硅的除硼方法、技术及工艺被引量：1
- 2022年
- 太阳能作为一种绿色可再生能源受到了广泛关注,而杂质去除是从冶金级硅中获得太阳能级硅所需的纯化过程,对硅基太阳能电池的制备至关重要。冶金法制备太阳能级多晶硅新工艺技术由于其能耗低、成本低和污染少等优点,成为研究开发的热点,但如何有效地去除硼是我们面临的最严峻的挑战之一。本文综述了硼的热力学和动力学性质(溶解度、扩散率、扩散系数、传质系数和活度系数)以及近年来除硼的相关课题研究(吹气、炉渣处理、等离子体处理、酸浸和溶剂精炼)。研究发现,溶剂精炼是一种很有前途的获取高纯硅的方法,硅的富集率以及硼的去除率均可达到90%以上,而添加剂能够加强硼化物的形成和析出来改进除硼工艺,且后续几乎可被完全消除,不会对精炼硅造成污染,这将更加有效除硼并增加工艺实用性。最后本文对几种除硼工艺进行了比较分析,并对冶金法的应用前景进行了展望。
- 曾毅任永生马文会马文会詹曙詹曙
- 关键词：太阳能
- 一种高效去除冶金级硅中杂质的方法
- 本发明公开了一种高效去除冶金级硅中杂质的方法，属于硅提纯技术领域。本发明所述方法首先将含硼多晶硅，铜和微量亲硼添加剂铪混合均匀，得到混合物料，在氩气气氛中加入到电阻炉中熔料；待物料完全熔化后进行定向凝固，析出初晶硅晶体富...
- 任永生曾毅马文会雷云魏奎先吕国强伍继君杨时聪王正省张亚坤曹静
- 一种表面高活性硅片切割废料高效熔炼的方法和熔炼炉
- 本发明公开了一种表面高活性硅片切割废料高效熔炼的方法和熔炼炉，按表面高活性硅片切割废料与酸性溶剂液固比mL:g＝(10～20):1进行酸浸，得到硅片切割废料浆液，经多次洗涤得到预处理硅料，加入有机溶剂或高纯去离子水与粘结...
- 马文会孟富强伍继君席风硕李绍元魏奎先陈正杰谢克强任永生
- 废旧锂离子电池正极材料回收技术研究现状
- 2024年
- 为了保护环境和节约化石能源,电动汽车正逐步代替传统的内燃机汽车。锂离子电池具有高能量密度、高工作电压、循环性能好、使用温度范围广等特点,近年来被广泛应用于新能源汽车。随着新能源汽车的快速发展,大量动力电池将陆续进入退役期。退役的锂离子电池若处置不当,其电解液、隔膜等有机物会对环境造成严重污染,同时锂离子电池的正极材料中含有大量的的有价金属没有得到充分利用。本文综述了退役锂离子电池正极材料回收处理技术,主要包括电池的预处理、火法冶金和湿法冶金技术,并对比了各种技术的优缺点。在此基础上,展望了未来锂离子电池正极材料回收技术发展方向。
- 尹逸雄任永生马文会马文会伍继君李绍元伍继君李绍元
- 关键词：有价金属正极材料回收
- 一种改善大尺寸单晶硅棒掺镓均匀性的方法
- 本发明提供了一种改善大尺寸单晶硅棒掺镓均匀性的方法，包括：S1.制备镓‑硅复合体。S2.在坩埚中放入单晶硅、镓‑硅复合体和高纯含钡材料，并在惰性气氛下熔融，整个过程中坩埚处于第一旋转速度。S3.‑S6控制籽晶提拉速度、籽...
- 李绍元马文会任永生吕国强万小涵魏奎先
- 一种延缓单晶炉内籽晶变色的方法
- 本发明涉及一种延缓单晶炉内籽晶变色的方法，属于半导体材料技术领域。本发明在单晶炉的副炉室内，沿中轴线竖直设置引气罩以匹配籽晶尖端位置和氩气流走向，增大籽晶尖端氩气流量以降低籽晶尖端温度，延缓籽晶变色，节省更换籽晶造成的时...
- 吕国强康家铭李太赵亮黄振玲周翔马文会李绍元任永生王懿文
- 一种基于辐射传热角系数的水冷屏参数确定方法
- 本发明公开了一种基于辐射传热角系数的水冷屏参数确定方法，属于水冷屏设计技术领域。该方法包括确定当前单晶硅棒圆柱面对水冷屏内表面的角系数；根据单晶硅棒与水冷屏的结构参数对所述角系数进行校正，得到单晶硅棒对水冷屏的辐射传热角...
- 任永生王正省马文会李若璞吕国强雷云魏奎先李绍元万小涵张亚坤曾毅刘国炎余秉玺
- 直拉法单晶硅生长原理、工艺及展望
- 2024年
- 碳达峰、碳中和理念提出后,太阳能作为一种可再生绿色能源备受关注。单晶硅作为主要的光伏材料,其质量决定着太阳能电池效率的高低,为了降低成本和提高产能,人们对单晶硅提出越来越高的要求。直拉法(CZ法)是单晶硅的主要制备方法,其生产效率高,可实现自动化,直拉单晶硅市场占比超过90%,目前正朝着大尺寸、N型、薄片化、低氧低碳的方向发展。然而随着晶棒尺寸增大,热场变化更加复杂,现有CZ工艺难以满足市场需求。未来降低度电成本仍是晶硅光伏发展的驱动力,应通过技术革新、产业标准化、成本控制等手段推动光伏产业发展。本文介绍了CZ法生长单晶硅的基本原理和生长工艺,分别对缺陷控制、热场优化、氧含量控制等进行了分析,在总结工艺现状和单晶生长特点的基础上对直拉法生长单晶硅的发展方向进行了展望。
- 王正省任永生马文会马文会吕国强詹曙詹曙王哲
- 关键词：直拉法单晶硅大尺寸太阳能
- 一种同时制备Cu<Sub>3</Sub>Si合金和共晶Si-Ti合金的方法
- 本发明涉及一种同时制备Cu<Sub>3</Sub>Si合金和共晶Si‑Ti合金的方法，属于合金材料制备技术领域。本发明将Si物料、TiSi<Sub>2</Sub>物料和金属铜物料混合均匀得到混合物料，混合物料置于真空或保...
- 马文会张亚坤雷云任永生吕国强
- 一种延缓单晶炉内籽晶变色的方法
- 本发明涉及一种延缓单晶炉内籽晶变色的方法，属于半导体材料技术领域。本发明在单晶炉的副炉室内，沿中轴线竖直设置引气罩以匹配籽晶尖端位置和氩气流走向，增大籽晶尖端氩气流量以降低籽晶尖端温度，延缓籽晶变色，节省更换籽晶造成的时...
- 吕国强康家铭李太赵亮黄振玲周翔马文会李绍元任永生王懿文
