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仇名强

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：东南大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 5篇鲁棒
  • 5篇反相器
  • 3篇亚阈值
  • 3篇芯片
  • 3篇芯片面积
  • 3篇接口
  • 3篇接口电路
  • 3篇存储电路
  • 2篇动态功耗
  • 2篇读写
  • 2篇双端
  • 2篇漏电
  • 2篇漏电流
  • 2篇功耗

机构

  • 5篇东南大学

作者

  • 5篇柏娜
  • 5篇仇名强
  • 3篇吴维奇
  • 3篇龚展立
  • 3篇李瑞兴
  • 2篇朱贾峰
  • 2篇杨军
  • 2篇吴秀龙

年份

  • 1篇2012
  • 4篇2011
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
一种带自适应漏电流切断机制的存储单元电路
一种带自适应漏电流切断机制的存储单元电路，为双端读写的亚阈值存储单元电路，电路包括第一反相器和第二反相器，两个反相器连接成交叉耦合，两个反相器通过平衡管连接在互补的位线之间，平衡管的栅端连接增强字线。本实用新型克服现有技...
杨军柏娜吴秀龙朱贾峰仇名强
文献传递
一种高密度、高鲁棒性的亚阈值存储电路接口电路
一种高密度、高鲁棒性的亚阈值存储电路接口电路，用于从超阈值区域到亚阈值区域的连接，由晶体管构成施密特反相器：PMOS管P1和两个NMOS管N1、N2的栅端与输入端Vin连接；PMOS管P1的源端接电源电压Vdd，漏端与N...
柏娜龚展立仇名强李瑞兴吴维奇
文献传递
一种带自适应漏电流切断机制的存储单元电路
一种带自适应漏电流切断机制的存储单元电路，为双端读写的亚阈值存储单元电路，电路包括第一反相器和第二反相器，两个反相器连接成交叉耦合，两个反相器通过平衡管连接在互补的位线之间，平衡管的栅端连接增强字线。本发明克服现有技术的...
杨军柏娜吴秀龙朱贾峰仇名强
文献传递
一种高密度、高鲁棒性的亚阈值存储电路接口电路
一种高密度、高鲁棒性的亚阈值存储电路接口电路，用于从超阈值区域到亚阈值区域的连接，由晶体管构成施密特反相器：PMOS管P1和两个NMOS管N1、N2的栅端与输入端Vin连接；PMOS管P1的源端接电源电压Vdd，漏端与N...
柏娜龚展立仇名强李瑞兴吴维奇
文献传递
一种高密度、高鲁棒性的亚阈值存储电路接口电路
一种高密度、高鲁棒性的亚阈值存储电路接口电路，用于从超阈值区域到亚阈值区域的连接，由晶体管构成施密特反相器：PMOS管P1和两个NMOS管N1、N2的栅端与输入端Vin连接；PMOS管P1的源端接电源电压Vdd，漏端与N...
柏娜龚展立仇名强李瑞兴吴维奇
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