高程
- 作品数：4 被引量：11H指数：2
- 供职机构：中南大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中澳科技合作特别基金湖南省自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 金属钨纳米线阵列的制备被引量：3
- 2008年
- 用气相方法在较低的温度(900℃)下在单晶硅基片表面制备出金属钨的单晶纳米线阵列,用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和X-ray衍射(XRD)等手段对其进行了分析和表征.结果表明:在900℃制备的阵列单晶钨纳米线沿〈111〉方向生长,具有bcc结构,直径约为150 nm,长度为10-30μm.
- 高程贺跃辉王世良
- 关键词：金属材料单晶纳米线阵列
- 一维纳米结构碳化钨的研究进展被引量：2
- 2008年
- 对一维纳米结构碳化钨的最新研究进展进行了综述。系统阐述了一维纳米结构(如纳米管、纳米棒、纳米线和纳米针)碳化钨的制备方法,包括催化气相沉积法、热分解法、磁控溅射法、温度程序反应法、爆炸式加热法和形状记忆法等,总结了一维纳米结构碳化钨的生长机理,探讨了目前存在的问题,并展望了未来的研究趋势。
- 高程贺跃辉王世良
- 钨微/纳米线阵列的制备及其场发射性能的研究
- 金属(如W、Mo、Ta等)是研究最早,也是目前使用最广的场发射阴极材料,此类材料的发射机理比较清楚,制备工艺也比较成熟。虽具备易加工、发射电流大的优点,但因功函数大,为有效增强驱动电场不得不将阴极制造成微尖阵列式结构,这...
- 高程
- 关键词：场发射性能
- 文献传递
- 氧化钨单晶纳米带和纳米线的气相合成被引量：6
- 2008年
- 利用W纳米粉和Ni(NO3).26H2O的高温反应,可制备出长度超过20μm,宽度在200～2000nm,厚度在50 nm以下的氧化钨纳米带和长度在20μm以上,直径在100nm以下的氧化钨纳米线。合成的纳米带和纳米线均排列成放射式花状结构。XRD,SEM,TEM和EDS等一系列分析表征结果表明,合成的氧化钨纳米带和纳米线是沿<010>方向生长的,具有完好单晶结构的W18O49相。化学反应热力学分析与计算结果表明,合成的氧化钨纳米带和纳米线是通过气相沉积的方式形成的。
- 王世良贺跃辉高程黄伯云
- 关键词：氧化钨纳米带纳米线气相沉积
