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顾野

作品数:7 被引量:2H指数:1
供职机构:电子科技大学更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术电气工程更多>>

文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 6篇电路
  • 4篇模数转换
  • 3篇转换电路
  • 3篇模数转换电路
  • 2篇单端
  • 2篇阴极
  • 2篇时钟电路
  • 2篇双向可控硅
  • 2篇静电保护
  • 2篇静电保护电路
  • 2篇可控硅
  • 2篇反向器
  • 1篇带通
  • 1篇带阻
  • 1篇带阻滤波器
  • 1篇低通
  • 1篇电流电压特性
  • 1篇电压
  • 1篇电压特性
  • 1篇电压转换

机构

  • 7篇电子科技大学

作者

  • 7篇顾野
  • 6篇刘洋
  • 5篇张铎
  • 5篇吴霜毅
  • 5篇董华
  • 5篇徐艳飞
  • 4篇胡绍刚
  • 2篇于奇
  • 1篇李竞春
  • 1篇王俊杰
  • 1篇段敏
  • 1篇贾旺旺

年份

  • 2篇2017
  • 1篇2015
  • 3篇2014
  • 1篇2013
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
可控硅静电保护器件
本发明涉及SOI技术。本发明解决了现有常规SOI器件自热效应明显的问题,提供了一种可控硅静电保护器件,其技术方案可概括为:可控硅静电保护器件,包括可控硅静电保护器件本体,其特征在于,还包括阻变器件及可调电源,所述阻变器件...
刘洋吴霜毅张铎董华顾野徐艳飞
文献传递
一种基于阻变器件的模数转换电路
本发明公开了一种基于阻变器件的模数转换电路,属于半导体集成电路领域。包括电压比较电路、状态控制电路和读取数字输出电路,所述电压比较电路由阻变器件和电阻串联组成,所述电压比较电路用于将输入电压转换为用阻变器件的高或低阻态来...
刘洋顾野贾旺旺段敏张铎王俊杰胡绍刚徐艳飞于奇
文献传递
可控硅静电保护器件
本发明涉及SOI技术。本发明解决了现有常规SOI器件自热效应明显的问题,提供了一种可控硅静电保护器件,其技术方案可概括为:可控硅静电保护器件,包括可控硅静电保护器件本体,其特征在于,还包括阻变器件及可调电源,所述阻变器件...
刘洋吴霜毅张铎董华顾野徐艳飞
一种基于忆阻器件的低通、高通、带通、带阻滤波器
本发明涉及半导体集成电路领域,其公开了一种新型的高稳定性、功耗小且占用面积小、容易集成的基于忆阻器件的低通滤波器,该低通滤波器具有输入端和输出端,其包括第一忆阻器件及负载电阻,所述第一忆阻器件的顶电极连接输入端,其底电极...
刘洋董华吴霜毅顾野胡绍刚李竞春于奇
文献传递
模数转换电路
本发明涉及模数转换电路,包括至少两个并行的模数转换单元,在各模数转换单元中均有:栅极连接输入电压的NMOS管,NMOS管的源极和漏极分别连接到第一电容的两端,其中源极接地,漏极通过第一PMOS管的漏极和源极接电源,第一P...
刘洋董华张铎吴霜毅胡绍刚顾野徐艳飞
文献传递
忆阻器件的特性与电路应用研究
忆阻器件是一种新型二端器件,它具有简单的金属/绝缘体/金属结构,同时具备低压低功耗、速度快以及易于集成等诸多优点。作为第四种电路元件,忆阻器件有着与电阻、电容及电感不同的电学特性,且不能被三者替代,它可以广泛地应用于存储...
顾野
关键词:模数转换器量化器电流电压特性
文献传递
模数转换电路
本发明涉及模数转换电路,包括至少两个并行的模数转换单元,在各模数转换单元中均有:栅极连接输入电压的NMOS管,NMOS管的源极和漏极分别连接到第一电容的两端,其中源极接地,漏极通过第一PMOS管的漏极和源极接电源,第一P...
刘洋董华张铎吴霜毅胡绍刚顾野徐艳飞
文献传递
共1页<1>
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