陈迪平
- 作品数：106 被引量：238H指数：8
- 供职机构：湖南大学物理与微电子科学学院更多>>
- 发文基金：湖南省科技计划项目国家自然科学基金湖南省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术机械工程交通运输工程更多>>
- 适用于RISC CPU的转移指令的原理及仿真被引量：1
- 2003年
- 介绍了一款RISCCPU的转移指令的设计及转移指令的处理原理,给出了对一段程序的仿真结果。该转移指令通过使用延时转移和引入跳转目标Cache(BTC),尽可能的减少流水线中的气泡,提高了CPU效率。
- 刘志碧陈杰陈迪平
- 关键词：RISC流水线仿真CPU处理器
- 低相位噪声低功耗LC压控振荡器的设计被引量：4
- 2008年
- 在分析压控振荡器相位噪声的基础上,通过采用尾电流整形滤波技术设计了一种低相位噪声低功耗差分LC压控振荡器。电路设计采用TSMC 0.18um 1P6M CMOS RF工艺,利用Cadence软件中的SpectreRF工具对电路进行了仿真,结果显示,在电源电压VDD=1.8V时,其中心频率为1.8GHz,频率的变化范围为1.43~1.82GHz,相位噪声为-121dBc/Hz@600kHz。静态功耗仅为2.5mW(1.8V×1.39mA)。
- 赵斌陈迪平曾健平刘文用
- 关键词：压控振荡器相位噪声
- 加密电路HU－001研制被引量：3
- 1994年
- 加密电路ＨＵ－００１研制万积庆，周志仁，陈迪平，曾云（湖南大学物理系，长沙４１００１２）计算机系统的安全保密是计算机数据处理时在硬件和软件方面采取的保密措施实施安全保密的目的是保护软件版权不受侵犯，目前常采用固化软件，而ＲＯＭ是软件载体，近年磁卡的伪...
- 万积庆周志仁陈迪平曾云
- 关键词：计算机加密电路
- 汽车自动变光器
- 1999年
- 汽车自动变光器是根据客观条件对汽车灯进行控制的装置，可减轻驾驶员的劳动强度，减少交通事故发生的可能性。
- 曾健平曾云陈迪平颜永红
- 关键词：汽车
- 一种利用体偏置改善温度特性的电流源被引量：2
- 2020年
- 基于130 nm绝缘体上硅工艺技术,针对工艺偏差对器件特性带来的影响,提出了一种可跟随工艺偏差自动调整温度系数的电流源;针对交叉耦合电流镜,引入自适应体偏置电路来改善电路在不同工艺角下的温度系数;仿真结果表明:-40~85℃温度范围内,工艺偏差使得所提电流源温度系数偏离典型工艺角下的值为22%,而无体偏置电流源偏离达100%之多,所提电流源在不同工艺角下平均温度系数为91 ppm/℃,比无体偏置电流源温度系数降低50%。
- 张仁梓陈迪平陈卓俊
- 关键词：绝缘体上硅电流源温度系数
- 红外无线语音教学系统的设计被引量：3
- 2000年
- 本文介绍一种新型的红外无线通信语音教学系统。利用单片机定时控制，实现语音信号的红外无线传输，满足现代交互式教学需求。具有电路简单，经济实用，且在功能上易于扩展和实现多媒体教学。
- 夏世长陈迪平王镇道蒋见花
- 关键词：单片机红外通信语音教学系统多媒体教学电路设计
- μA741在低电源下应用的反常现象
- 1999年
- 分析了μＡ７４１在低电源下应用于直放式精密温控电路中时产生超温现象的原因，并提出了有效的解决方法。
- 曾健平陈迪平曾云颜永红
- 关键词：运算放大器温控电路
- 一种非隔离型LED照明恒流驱动芯片设计被引量：2
- 2013年
- 实现了一种具有超高电压输入、高精度、大调光范围、低成本的非隔离型LED恒流驱动芯片。芯片采用外接高压三极管的电压调整结构以及高精度基准电压源,以PWM峰值电流控制方式实现了高精度、高一致性的电流输出。芯片采用18 V耐压的工艺流片,实现输入电压范围从10 V达到450 V变化,电能转换效率高达92%,驱动电流可从几毫安到超过1 A间设定,电流精度和一致性可达1.5%。
- 李科举陈迪平陈思园何龙
- 一种新型GPS前端CMOS低噪声放大器的设计被引量：7
- 2008年
- 介绍了一种工作于GPSL1频带的新型低噪声放大器的设计方案。电路运用电流镜结构进行电流放大,并利用偏置电流复用技术减小功耗。该放大器工作在1.575GHz时,电源电压为1.5V的情况下噪声系数为1.06dB,电压增益为23dB,1dB压缩点为-17.36dBm,S11<-10dB,电流为4.6mA。
- 彭凤雄陈迪平曾健平段立业
- 关键词：CMOS低噪声放大器电流镜电流复用
- 一个单端LO输入的新型混频器电路被引量：3
- 2006年
- 设计了一个基于工作在线性区的MOSFET的新型宽带混频器.此混频器以标准CMOS工艺和简单的电路实现了现代无线通讯系统高线性度、低压和低功耗的要求,工作频带宽,且只需单端本振输入,解决了本振信号的单双端变换问题.由仿真结果可知:电路工作电压为1.2 V,功耗3.8 mW,增益为13.8 dB,P-1 dB为-4 dBm,噪声为12 dB.
- 陈迪平陈弈星熊琦王镇道
- 关键词：MOS混频器低压宽带
