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陈畅生

作品数：15 被引量：39H指数：4
供职机构：武汉大学更多>>
发文基金：湖北省科委基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇期刊文章
  • 3篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 9篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 6篇单晶
  • 4篇探测器
  • 4篇光电
  • 4篇光电探测
  • 4篇光电探测器
  • 4篇光敏
  • 4篇光敏器件
  • 4篇硅
  • 3篇硅中氧
  • 2篇单晶片
  • 2篇导电类型
  • 2篇低热
  • 2篇退火
  • 2篇金属杂质
  • 2篇晶片
  • 2篇硅单晶
  • 2篇含氮
  • 2篇PN结
  • 2篇氧
  • 1篇代位

机构

  • 15篇武汉大学
  • 1篇浙江大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 15篇陈畅生
  • 7篇龙理
  • 7篇何民才
  • 4篇黄启俊
  • 4篇陈炳若
  • 3篇熊传铭
  • 3篇曾繁清
  • 2篇李承芳
  • 1篇蔡本兰
  • 1篇李立本
  • 1篇戴锋
  • 1篇钟哲
  • 1篇张锦心
  • 1篇沈学础

传媒

  • 5篇Journa...
  • 2篇稀有金属
  • 2篇武汉大学学报...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇第二届全国敏...

年份

  • 1篇1999
  • 1篇1995
  • 2篇1994
  • 1篇1993
  • 3篇1992
  • 4篇1991
  • 2篇1989
  • 1篇1981
共 15 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
p型含氮CZ—Si单晶的退火性质被引量：1
1993年
本文报道了在不同热处理条件下P型含氮CZ-Si单晶材料的退火性质。实验表明:400℃及1100℃温度的退火处理都会在含氮CZ-Si单晶中产生新的施主态。400℃退火时产生的施主态会在高温(T>600℃)退火时迅速消灭,它与单晶中N-O复合体的生成和生长机制有关;1100℃退火时产生的施主态则与材料中的氮沉淀有关。
陈畅生曾繁清曾瑞陈炳若龙理何民才张锦心李立本
关键词：单晶制备退火
利用二步退火制造PN结的技术
本发明是使P型含氮CZ-Si单晶片经过二个不同的热处理工艺过程生成PN结的技术。让P型含氮CZ-Si单晶片在300—500℃温度下退结的表面位置处，利用各种高温表面瞬时退火技术进行高温表面瞬时退火，使此表面所在区域重新回...
陈畅生李承芳曾繁清
文献传递
吸除方程组的变换变量法求解
1991年
利用变换变量法,我们得到了在只考虑吸除源对金属杂质的凝聚阱作用时,描述金属杂质原子在硅单晶内被吸除的动力学过程的吸除方程组的解析解,并具体用之讨论硅底面的不同吸除源对金杂质的吸除特性。理论结果完满地解释了机械损伤吸除的实验结果;与掺 P 层吸除结果的差异说明完善的吸除机理还须考虑吸除源中自隙原子的存在对吸除的贡献。
陈畅生
关键词：硅单晶金属杂质
内调制光敏管物理特性的进一步研究
1992年
本文详细地分析了一种新型光电探测器——内调制光敏管的物理特性,考虑了表面态和通道空穴准费米势分布的影响。导出了通道内空穴浓度和空穴准费米势沿通道的分布,和耦合系数与栅压的关系,它们与实验结果符台得较好。
何民才龙理黄启俊陈炳若陈畅生
关键词：光电探测器光敏器件
注入光敏三极管的基本特性和分析被引量：5
1994年
本文介绍了注入光敏器件的物理基础、注入光敏三极管的基本结构和特性。通过与普通光敏三极管的比较，可以看出注入光敏器件的特征所在．最后，用我们提出的理论对注入光敏三极管的特性进行了合理的解释．
何民才黄启俊陈炳若龙理陈畅生戴锋池桂梅
关键词：光敏三极管光敏器件
硅中氧的热沉淀(上)被引量：1
1989年
本文综述近年来国内外在硅单晶中氧杂质的热沉淀行为方面的研究工作。着重介绍了在不同的热处理条件下,氧在硅单晶中产生的各种热沉淀现象和性质,以及解释这些热行为的氧沉淀理论。最后讨论了硅中氧的各种热沉淀对硅材料及器件性能的影响,并展望了今后在这一领域尚需解决的问题。
陈畅生熊传铭
关键词：硅氧硅单晶
注入光敏器件是一种新型的光电探测器被引量：8
1995年
注入光敏器件的理论是建立在公认的ｐｎ结光伏公式基础上的，有着可靠根据。严格的理论分析和实验证明抽取受光结的注入电流是可行的。注入光敏三极管与普通光敏三极管比较中可以看出它们之间有许多不同之处并显示出注入光敏器件的优良性能。
何民才黄启俊龙理陈畅生
关键词：光电探测器注入光敏器件光敏器件
硅中吸除技术的物理机制被引量：10
1992年
本文探讨了吸除过程中,各种不同的吸除技术在硅片的底面或内部产生的吸除源凝聚金属杂质的阱作用和发射自隙原子的源作用,以及代位金属原子在含有吸除源的硅中的扩散行为.导出了表征硅中吸除源吸除金属杂质机制的吸除方程组,并用之具体计算了不同的底面吸除源对金杂质的吸除作用.理论结果较好地解释了各种吸除技术的吸除性质,为实际硅器件工艺选择最佳吸除条件提供了理论依据.
陈畅生
关键词：硅片吸除技术物理机制金属杂质
微光仪
本发明公开了一种微光仪，它不需要外加机械斩波器而使用内调制光电探测器，达到测量微弱光的目的。
何民才龙理陈畅生蔡本兰
文献传递
孤立代位式碳在硅单晶中的局域模与红外吸收
陈畅生
关键词：硅单晶局域模
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共2页<12>
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