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陈显峰

作品数：4 被引量：4H指数：1
供职机构：西南大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
相关领域：理学一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 3篇理学
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇射频磁控
  • 3篇射频磁控溅射
  • 3篇溅射
  • 3篇磁控
  • 3篇磁控溅射
  • 3篇磁性
  • 2篇电性能
  • 2篇栅介质
  • 2篇铁磁
  • 2篇铁磁性
  • 2篇微结构
  • 2篇界面微结构
  • 2篇介电
  • 2篇介电性
  • 2篇介电性能
  • 2篇介质
  • 2篇HFO
  • 2篇HFO2薄膜
  • 1篇电学
  • 1篇电学特性

机构

  • 4篇西南大学

作者

  • 4篇陈显峰
  • 3篇周广东
  • 3篇涂雅婷
  • 3篇邱晓燕
  • 2篇李建
  • 1篇刘志江
  • 1篇陈鹏
  • 1篇张守英

传媒

  • 2篇中国科学：物...

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2012
  • 2篇2011
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
非磁氧化物薄膜的纳米磁性与介电性能的集成
邱晓燕李建陈显峰涂雅婷周广东
以HfO2/HfAlOx薄膜为研究体系，重点研究了其室温DIM特性及物理机制，并探讨了在同一个金属-氧化物-半导体(MOS)电容器结构中实现其可观的DIM饱和磁矩与良好介电性能共存的可能性。利用射频磁控溅射，通过对比和调...
关键词：
关键词：介电性能
不同气氛沉积和后退火处理的HfO_(x<2)薄膜的弱铁磁性
2012年
无磁性掺杂HfO2薄膜的室温弱铁磁性是2004年发现的一种不能用传统固体铁磁理论释的奇特磁现.本文用射频磁控溅射方法在不同气中制备和后退火HfOx薄膜样品,对比研究气对其室温弱铁磁性的影响.物析表明,室温沉积在蓝石衬底上的HfOx薄膜为部晶的单斜多晶薄膜,且存在一定程度的氧失配.室温磁性测量果显示HfOx<2多晶薄膜具有典型的弱铁磁性磁化曲,且饱和磁矩具有各异性.对比实验果表明,缺氧气(纯氩或氩氮混合气)中沉积薄膜的和磁矩略大于富氧气(氩氧混合气)中沉积薄膜的和磁矩.缺氧气(纯氮和高真空)中后退火处理后,薄膜饱和磁矩随着退火温度的升高而增大;而纯氧气中后退火处理后,薄膜和磁矩大幅减小.沉积和后退火气中氧含量的高低对薄膜和磁矩的显影响表明氧空位是HfOx<2薄膜弱铁磁性的要来源之一.
周广东陈显峰涂雅婷张守英刘志江李建陈鹏邱晓燕
关键词：射频磁控溅射
射频磁控溅射HfO2薄膜的电学特性及室温弱铁磁性研究
随着硅基半导体集成电路集成度的迅猛提高，其基本组成单元金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOS-FETs)的沟道长度已缩短到45nm。根据ITRS roadmap2009年公布的发展规划，在采用新结构、引入新材料的前提下...
陈显峰
关键词：HFO2薄膜射频磁控溅射栅介质材料界面微结构
不同氛围溅射HfO_2栅介质薄膜的电学性能和界面微结构被引量：4
2011年
本文研究了不同沉积氛围(纯Ar,Ar+O2和Ar+N2)中射频磁控溅射制备HfO2薄膜的介电性能和界面微结构.实验结果表明在纯Ar氛围室温制备的HfO2薄膜具有较好的电学性能(有效介电常数ε-r～17.7;平带电压～0.36 V;1 V栅电压下的漏电流密度～4.15×10-3 A cm-2).高分辨透射电子显微镜观测和X射线光电子能谱深度剖析表明,在非晶HfO2薄膜和Si衬底之间生成了非化学配比的HfSixOy和HfSix混合界面层.该界面层的出现降低了薄膜的有效介电常数,而界面层中的电荷捕获陷阱则导致薄膜电容-电压曲线出现顺时针的回线.
陈显峰涂雅婷周广东邱晓燕
关键词：HFO2薄膜介电性能界面微结构射频磁控溅射
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