闫峰
- 作品数：3 被引量：6H指数：2
- 供职机构：西北工业大学材料学院更多>>
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- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 锗衬底上反应离子刻蚀制备宽波段红外增透结构的工艺及性能研究被引量：2
- 2009年
- 研究了利用反应离子刻蚀技术在Ge衬底上制备宽波段抗反射亚波长结构时工艺参数对刻蚀速率及刻蚀选择比的影响。利用场发射扫描电镜（SEM）及原子力显微镜（AFM）对刻蚀图形的表面形貌进行了观察。利用傅里叶变换红外光谱仪对其红外透过率进行了研究。结果表明：所制备亚波长结构整齐、规则；在8～12μm波段增透8％左右，起到良好的宽波段红外抗反射效果。
- 沈祥伟刘正堂卢红成李阳平闫峰
- 关键词：宽波段反应离子刻蚀刻蚀速率
- GeC薄膜的射频磁控反应溅射制备及性质被引量：2
- 2008年
- 用射频磁控反应溅射法在ZnS衬底上制备了GeC薄膜,研究了工艺参数对Ge靶溅射及GeC薄膜红外透射性能的影响.衬底温度较低时GeC薄膜中含有H,形成了CH2,CH3,Ge-CH3等,使薄膜产生红外吸收;随衬底温度升高,薄膜红外吸收明显减小.靶基距、射频功率、Ar:CH4气体流量比、总气压对靶面中毒及溅射影响较大,但对GeC薄膜红外吸收影响较小.靶面中毒严重时,所制备无氢GeC薄膜附着性能差,随靶中毒减弱薄膜附着性能变好.优化工艺后,在ZnS衬底上制备了附着性能良好的无氢GeC薄膜,其折射率约为1.78,薄膜中C的含量比Ge的大,二者主要形成了C—Ge键.所制备的GeC/GaP红外增透保护膜系对ZnS衬底有良好的增透效果.
- 李阳平刘正堂刘文婷闫峰陈静
- 关键词：红外透射光谱射频磁控溅射XPS
- 蓝宝石衬底上二维亚波长增透结构的设计分析被引量：2
- 2007年
- 利用等效介质理论、薄膜理论研究了二维亚波长结构的增透设计,以蓝宝石衬底为例,研究了二维亚波长结构的增透设计,分析了该结构的周期、占空比、高度等参数对增透率的影响,通过分析找到了合适的结构参数。结果表明,当二维亚波长结构的等效折射率等于增透镀层材料的折射率、刻蚀高度等于单层理想增透膜的厚度时,这种结构具有良好的增透效果。采用蓝宝石双面设计二维亚波长结构后,在3μm^5μm波段的平均透过率可达99.25%。
- 徐启远刘正堂李阳平闫峰
- 关键词：亚波长结构增透周期占空比
