邱东江
- 作品数：66 被引量：101H指数：6
- 供职机构：浙江大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金浙江省自然科学基金“上海－应用材料研究与发展”基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信化学工程更多>>
- 一种ZnO纳米柱列阵结构材料及其制备工艺
- 本发明涉及一种ZnO纳米柱列阵结构材料及其制备技术，属于氧化物半导体光电子微结构材料及其气相外延制备技术领域。本发明的ZnO纳米柱列阵结构材料，其特征是ZnO纳米柱的晶轴呈高度的c-轴取向(即垂直于衬底表面)并且排列有序...
- 邱东江余萍徐天宁陈奶波吴惠桢施红军丁扣宝蒋银土
- 文献传递
- 几种低压气相沉积技术制备立方氮化硼膜的新进展被引量：3
- 2000年
- 介绍了 ｃ－ＢＮ的优异特性及应用前景。评述了 ｃ－ＢＮ膜的几种低压物 理气相沉积（ＰＶＤ）和低压化学气相沉积（ＣＶＤ）制备方法，分析其成膜特点及对ｃ－ ＢＮ形成有显著影响的工艺参数。介绍了当前ｃ－ＢＮ膜研究取得的成果，对如何提 高成膜质量提出了自己的一些看法。
- 邱东江郝天亮石成儒
- 关键词：PVDCVD氮化硼薄膜镀膜
- ZnO纳米晶柱/纳米晶丝复合结构产品及其制备工艺
- 本发明的ZnO纳米晶柱/纳米晶丝复合结构产品属于一种用气相外延技术制备得到的氧化物微结构材料，其特征是先在衬底表面生长出高度c-轴取向(即垂直于衬底表面)的、高密度且均匀分布的六方结构ZnO纳米晶柱阵列，然后再在ZnO纳...
- 邱东江吴惠桢余萍
- 文献传递
- 一种玫瑰花状的ZnO纳米结构材料及其制备技术
- 本发明涉及一种具有玫瑰花状形貌特征的ZnO纳米结构材料及其制备技术，属于半导体光电子材料与器件技术领域。本发明的玫瑰花状ZnO纳米结构材料，其特征是直接在衬底表面生长出具有玫瑰花状形貌特征的ZnO纳米晶体结构材料。该材料...
- 邱东江施红军蒋银土余萍吴惠桢
- 文献传递
- 低温生长Zn_(1-x)Co_xO(x=0．33)薄膜的微结构和磁性
- 2007年
- 用电子束反应蒸镀法在低温生长了Zn1-xCoxO薄膜．Co含量x高达0．33的Zn1-xCoxO薄膜仍具有类ZnO的纤锌矿结构,没有杂质相,Co的化合价为+2．场冷和零场冷M-T及M-H曲线表明,Zn1-xCoxO(x=0．33)薄膜在低温下具有铁磁性;随着温度的升高,其剩磁和矫顽力均逐渐下降,在65 K以上趋于零,显示出超顺磁性．Zn1-xCoxO薄膜的低温铁磁性起源于Co2+离子之间的双交换相互作用及载流子诱导的sp-d交换耦合作用,而从低温(<65 K)铁磁态到高温(>65 K)超顺磁态的转变可归因于薄膜的纳米晶小尺寸效应．
- 邱东江刘谱成冯春木冯爱明余萍丁丽
- 关键词：无机非金属材料微结构磁特性
- Al掺杂ZnO薄膜的微结构及电学特性被引量：6
- 2006年
- 用(ZnO)1-x(Al2O3)x(x=w(Al2O3)=0、0.01、0.02、0.05)陶瓷靶材为原料,通过电子束反应蒸发生长了非故意掺杂及Al掺杂的ZnO薄膜.采用X射线衍射、Raman散射及霍尔效应技术研究了薄膜的晶体微结构及电学特性.结果表明,由(ZnO)1-x(Al2O3)x(x≤0.02)的靶材生长得到的Al掺杂ZnO薄膜仍具有高度c-轴取向的纤锌矿晶体结构,但随着薄膜中Al掺入量的增加,其c-轴取向性有所退化;Raman光谱测量表明,Al掺杂ZnO薄膜的本征内应力随着Al掺入量的增加而增大,(ZnO)0.98(Al2O3)0.02薄膜中Al和Zn的原子个数比为6∶94,此时薄膜的内应力已接近饱和;Al掺杂ZnO薄膜的电阻率随着Al掺入量的增加呈现先减小后增大的特征,(ZnO)0.98(Al2O3)0.02薄膜具有最小的电阻率(7.85×10-4Ω.cm),这归因于该类薄膜同时具有高电子浓度(1.32×1021cm-3)和较高的电子迁移率(6.02 cm2/(V.s)).
- 余萍邱东江樊瑞新施红军吴惠桢
- 关键词：ZNO薄膜AL掺杂微结构电学特性
- MgZnO和ZnO晶体薄膜紫外发光特性比较被引量：5
- 2003年
- 用电子束蒸发反应沉积在Si(111)衬底上低温生长了立方MgZnO薄膜和高度C -轴取向的ZnO薄膜 .X 射线光电子能谱 (XPS)结果表明 ,立方MgZnO薄膜中的Mg含量比靶源中的高 .紫外光致荧光谱 (UVPL)测试显示 ,与ZnO相比MgZnO的荧光峰从 393nm蓝移至 373nm ,这可能与MgZnO的带隙变宽有关 .对ZnO薄膜的研究还发现 ,生长过程中充O2 与否对ZnO发光特性的影响显著 ,不充O2 时样品的紫外荧光峰较之充O2
- 陈奶波邱东江吴惠桢张寒洁鲍世宁何丕模
- 关键词：X射线光电子能谱晶体薄膜氧化锌光谱蓝移带隙
- 立方MgZnO晶体薄膜光波导器件及制备工艺
- 一种MgZnO晶体薄膜光波导器件，由衬底、下包层、芯层和上包层构成，衬底采用玻璃或SiO<Sub>2</Sub>/Si，芯层为立方Mg<Sub>x</Sub>Zn<Sub>1－x</Sub>O(x＞0.5)晶体薄膜，折射...
- 吴惠桢陈乃波徐天宁余萍邱东江
- 文献传递
- 一种用于制备纳米线阵列的模板的制造方法
- 本发明涉及一种用于制备纳米线阵列的模板的制造方法，采用热膨胀系数小于15＊10<Sup>-6</Sup>K<Sup>-1</Sup>的衬底材料和热膨胀系数大于50＊10<Sup>-6</Sup>K<Sup>-1</Sup...
- 邱东江
- 石英衬底上生长的立方相Zn1-xMnxO薄膜及其光学、磁学特性
- 2007年
- 采用电子束反应蒸发法，（MnO）y（ZnO）1-y（y≥0．3）陶瓷靶作为蒸发源，高心含量的Ar/O2混合气为反应气体，在石英玻璃衬底上生长得到Mn含量超过50％（原子分数）的Zn1-xMnxO薄膜。场发射扫描电子显微镜和X射线衍射测量显示x〉O．5的Zn1-xMnxO薄膜呈单一晶相的立方相、岩盐矿结构。这与采用abinifio方法计算得到的结果一致（作为简化，计算时未考虑Mn的自旋的影响），即对于x≥0．5的Zn1-xMnxO材料体系，其取类MnO的立方岩盐矿结构比取类ZnO的六方相纤锌矿结构更稳定。对石英玻璃基Zn1-xMnxO薄膜的紫外．可见透射光谱测量表明，随着Mn含量从0增大到0．68，Zn1-xMnxO薄膜的光学带隙从3．35eV增大到5．02eV．磁性测量结果表明，所制备立方Zn0.32Mn0.68O薄膜在室温下没有表现出宏观磁性．
- 邱东江罗孟波丁扣宝施红军
