路慧敏
- 作品数：8 被引量：7H指数：2
- 供职机构：北京交通大学电子信息工程学院光波技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金北京市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- Ⅲ族氮化物量子阱光电子学特性和应用的研究
- Ⅲ族氮化物半导体,包括AlN,GaN和InN及它们所组成的三元化合物AlGaN,InAlN,InGaN和四元化合物InAlGaN,因为其禁带宽度覆盖了紫外到可见光的重要光谱范围,具有比目前为止其它半导体材料更大的发展潜力...
- 路慧敏
- 关键词：极化效应白光LEDWIGNER函数有限差分法
- 极化效应对InGaN/GaN多量子阱结构光电特性的影响被引量：5
- 2011年
- 通过求解修正的基于k.p方法的有效质量哈密顿方程并与泊松方程进行自洽,得到在极化效应影响下InGaN/GaN多量子阱的能带结构和自发辐射谱。计算结果表明,极化效应使InGaN/GaN多量子阱结构的带边由方形势变成三角形势,使导带和价带间的带隙宽度减小导致发光峰值波长红移,并使电子和空穴的分布产生空间分离从而减小发光效率。同时,随着InGaN/GaN多量子阱结构阱层In组分的增多或阱层宽度的增加,极化效应带来的发光峰值波长红移效果进一步增强。
- 路慧敏陈根祥
- 关键词：INGAN/GAN极化效应多量子阱自发辐射谱
- 阱宽和垒厚对InGaN/GaN多量子阱结构光电特性的影响被引量：2
- 2011年
- 通过求解修正的基于k.p方法的有效质量哈密顿方程并与泊松方程进行自洽,得到在极化效应影响下的不同阱宽和垒厚的InGaN/GaN多量子阱导带和价带的能带结构,并计算了不同多量子阱结构的自发辐射谱。仿真结果表明:阱宽和垒厚对InGaN/GaN多量子阱结构的光电子学特性有很大的影响。随着阱宽和垒厚的增加,InGaN/GaN多量子阱结构的辐射峰值波长出现一定程度的红移,辐射强度也有所降低。极化效应产生的极化电场能够减小InGaN/GaN多量子阱结构导带和价带间的带隙宽度,并使电子和空穴的分布产生空间分离。与不考虑极化效应的结果对比得出,在极化效应的影响下,InGaN/GaN多量子阱结构的光电子学特性对阱宽和垒厚的依赖性增强。
- 路慧敏陈根祥
- 关键词：多量子阱INGAN/GAN极化效应自发辐射谱
- 幅度取样光纤光栅拼接制作技术的分析与研究
- 2011年
- 提出了一种可用于制作高反射率纯幅度取样光纤光栅的拼接技术方案,并对拼接误差和拼接次数对取样光栅光谱特性的影响进行了详细的理论分析和研究。理论分析结果表明,采用拼接技术可以获得良好的多波长取样光纤光栅反射谱,拼接误差对取样光栅反射谱的影响主要取决于拼接次数。在拼接三次时,可接受的拼接误差仅为±0.1μm;但在只拼接一次的情况下,拼接误差达±5μm时仍可获得良好的多波长反射谱。
- 张丽萍陈根祥路慧敏
- 关键词：取样光栅高反射率
- 一种线形腔可调谐单频单偏振光纤激光器
- 本发明涉及一种线形腔可调谐单频单偏振光纤激光器，它包括：第一光纤型梳状反射器(1)、第二光纤型梳状反射器(2)、稀土掺杂光纤(3)、半导体激光器(4)、波分复用器(5)和激光输出端(6)；在两个光纤型梳状反射器中至少有一...
- 陈根祥罗平武建芬姜宏波梁永灵郭政华贾丽敏董天龙韩健邢矩岩夏涛路慧敏秦婉婷
- 文献传递
- 一种线形腔可调谐单频单偏振光纤激光器
- 本发明涉及一种线形腔可调谐单频单偏振光纤激光器，它包括：第一光纤型梳状反射器(1)、第二光纤型梳状反射器(2)、稀土掺杂光纤(3)、半导体激光器(4)、波分复用器(5)和激光输出端(6)；在两个光纤型梳状反射器中至少有一...
- 陈根祥罗平武建芬姜宏波梁永灵郭政华贾丽敏董天龙韩健邢矩岩夏涛路慧敏秦婉婷
- 文献传递
- 一种环形腔可调谐单频单偏振光纤激光器
- 本发明涉及一种环形腔可调谐单频单偏振光纤激光器，它包括：光纤型梳状反射器(1)、光纤型梳状滤波器(2)、稀土掺杂光纤(3)、2×2光纤耦合器(4)、第一光纤隔离器(7)、第二光纤隔离器(8)和激光输出端(9)；用光纤型梳...
- 陈根祥罗平武建芬姜宏波梁永灵郭政华贾丽敏董天龙韩健邢矩岩夏涛路慧敏秦婉婷
- 文献传递
- 一种环形腔可调谐单频单偏振光纤激光器
- 本发明涉及一种环形腔可调谐单频单偏振光纤激光器，它包括：光纤型梳状反射器(1)、光纤型梳状滤波器(2)、稀土掺杂光纤(3)、2×2光纤耦合器(4)、第一光纤隔离器(7)、第二光纤隔离器(8)和激光输出端(9)；用光纤型梳...
- 陈根祥罗平武建芬姜宏波梁永灵郭政华贾丽敏董天龙韩健邢矩岩夏涛路慧敏秦婉婷
- 文献传递
