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赵智昊

作品数:6 被引量:11H指数:2
供职机构:华南师范大学物理与电信工程学院更多>>
发文基金:广东省自然科学基金广东省重点攻关基金广东省科技计划工业攻关项目更多>>
相关领域:自动化与计算机技术机械工程电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇机械工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 5篇等离子体
  • 5篇刻蚀
  • 3篇干法刻蚀
  • 3篇感应耦合
  • 2篇等离子体约束
  • 2篇刻蚀系统
  • 2篇干法
  • 2篇感应耦合等离...
  • 1篇等离子体刻蚀
  • 1篇低温等离子体
  • 1篇电子温度
  • 1篇锑化铟
  • 1篇离子密度
  • 1篇接口
  • 1篇接口编程
  • 1篇刻蚀工艺
  • 1篇光谱
  • 1篇光谱仪
  • 1篇感器
  • 1篇感应耦合等离...

机构

  • 6篇华南师范大学

作者

  • 6篇赵智昊
  • 4篇吴先球
  • 4篇陈俊芳
  • 3篇符斯列
  • 2篇黄钊洪
  • 2篇熊予莹
  • 1篇余红华
  • 1篇任斌
  • 1篇孙番典
  • 1篇樊双利

传媒

  • 1篇传感器技术
  • 1篇电脑开发与应...
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 2篇2004
  • 2篇2003
  • 2篇2002
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
C++Builder与Matlab、Mideva接口编程及其实现光谱仪改造被引量:5
2002年
探讨了 C++Builder与 Matlab、Mideva接口编程的实现方法 ,并给出了利用接口编程对 WDP50 0D型自动扫描单色仪组成的光谱仪进行改造的例子。实践证明这种方法是行之有效的 ,并且对数据分析计算绘图应用软件开发有重要意义。
余红华熊予莹任斌赵智昊
关键词:C++BUILDERMATLAB接口编程光谱仪
等离子体对III-V族化合物的干法刻蚀系统及刻蚀方法
本发明是紧凑感应耦合等离子体对干III-V族化合物的法刻蚀系统及刻蚀方法,属半导体生产设备及技术。该干法刻蚀系统由测量装置、射频RF偏置功率源、基片台、ICP耦合天线、磁控线圈、RF电源、反应室、底座、配气装置、真空装置...
陈俊芳吴先球赵智昊符斯列赵文峰
文献传递
感应耦合等离子体干法刻蚀锑化铟薄膜研究被引量:2
2004年
应用感应耦合等离子体技术首次实现了对锑化铟薄膜的干法刻蚀。朗缪尔探针诊断结果表明 :射频电源功率为 2 0 0 W时 ,在刻蚀样品附近的等离子体离子密度最大达 6.71 70× 1 0 1 0 cm- 3。以 CCl F2 为刻蚀气体 ,进气流量 2 m L/min,RF功率 2 0 0 W,等离子体反应刻蚀运行气压 7.98Pa时 ,对 In Sb-In薄膜进行了感应耦合等离子体干法刻蚀 ,获得刻蚀图形 ,宽深比为
陈俊芳吴先球孙番典赵智昊樊双利符斯列黄钊洪
关键词:干法刻蚀等离子体
感应耦合等离子体刻蚀及应用研究
随着制造加工技术的进步,微电子工艺不断向前发展.刻蚀工艺不仅作为微电子工艺中的关键技术一直受到人们的关注,而且在新兴的微机电系统,光电集成系统等微细加工中也将得到重要应用.等离子体干法刻蚀在硅器件的微细加工中已经得到广泛...
赵智昊
关键词:ICP离子密度电子温度干法刻蚀刻蚀工艺
文献传递
一种紧凑型感应耦合低温等离子体干法刻蚀系统
本发明是一种紧凑型感应耦合低温等离子体干法刻蚀系统,属半导体生产设备及技术。该干法刻蚀系统由测量装置、射频RF偏置功率源、基片台、ICP耦合天线、磁控线圈、RF电源、反应室、底座、配气装置、真空装置共同连接装配构成,其相...
陈俊芳吴先球赵智昊符斯列赵文峰
文献传递
CCl_2F_2等离子体干法刻蚀InSb-In薄膜的研究被引量:2
2003年
用朗缪尔探针诊断了反应室内的等离子体密度,研究了CCl2F2等离子体对InSb In薄膜的刻蚀,结果表明该实验装置能够产生高密度等离子体,在刻蚀样品表面等离子体密度达到6.7170×1010cm-3,CCl2F2等离子体能有效地对InSb In薄膜进行刻蚀。
赵智昊陈俊芳黄钊洪吴先球熊予莹
关键词:等离子体干法刻蚀磁传感器
共1页<1>
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