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赵俊萍

作品数：3 被引量：3H指数：1
供职机构：上海海运学院更多>>
发文基金：上海市高等学校科学技术发展基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇ESD
  • 2篇电路
  • 2篇介质击穿
  • 2篇击穿
  • 2篇击穿机理
  • 2篇集成电路
  • 1篇电子器件
  • 1篇物理模型
  • 1篇介质
  • 1篇静电放电

机构

  • 3篇上海海运学院

作者

  • 3篇孙可平
  • 3篇赵俊萍

传媒

  • 1篇中原工学院学...

年份

  • 2篇2003
  • 1篇2002
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
电子器件ESD热击穿模型研究
本文提出了电子器件ESD热击穿的物理模型,并就两种不同pn结深度的热击穿进行了讨论,探讨了不同pn结深度下的ESD击穿电压。
孙可平赵俊萍
关键词：静电放电
文献传递
集成电路绝缘氧化层ESD击穿机理探讨被引量：3
2003年
　在集成电路绝缘氧化层ESD介质击穿物理模型的基础上,讨论了绝缘氧化层加上一次线性电场条件下发生介质击穿的机理.
孙可平赵俊萍
关键词：集成电路击穿机理介质击穿物理模型
集成电路绝缘氧化层ESD击穿机理探讨
在集成电路绝缘氧化层ESD介质击穿物理模型的基础上,讨论了绝缘氧化层加上一次线性电场条件下发生介质击穿的机理.
孙可平赵俊萍
关键词：集成电路
文献传递
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共1页<1>
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