詹永玲
- 作品数：10 被引量：23H指数：3
- 供职机构：北京工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 掺铬钨酸锌晶体的生长和激光实验
- 1992年
- 用直拉法生长出掺Cr_2O_3重量为0.005％,0.02％,0.05％光学质量的ZnWO_4:Cr^(3+)晶体,用YAG:Nd^(3+)倍频产生的532nm激光激发晶体,观察到荧光发射,在加谐振腔的务件下,观察到输出光波形的变化,估算出系统的阀值约为38mJ。
- 臧竞存詹永玲李健康武少华
- 关键词：激光晶体钨酸锌铬
- 双掺Cr,Nd∶ZW晶体的光性、热学和激光性能被引量：3
- 1997年
- 生长出Ｃｒ３＋，Ｎｄ３＋：ＺｎＷＯ４（Ｃｒ，Ｎｄ：ＺＷ）单晶，尺寸为２５ｍｍ×５０ｍｍ，研究了Ｃｒ，Ｎｄ：ＺＷ晶体的光学性质、热学性质，测定了其吸收和发射截面，激发态寿命和激光性能。结果表明，双掺有效地改善了激光性能，室温下获得０．９５μｍ单脉冲激光能量输出１．６２ｍＪ，斜效率为０．７９％。
- 臧竞存董治长詹永玲江少林刘燕行
- 关键词：热膨胀系数可调谐激光晶体激光性能
- SiC器件与电路的若干关键技术被引量：3
- 2001年
- Si C器件可以稳定工作于高温、高频、强辐射条件下的能力已经得到证实。在许多应用领域和系统中 ,Si C已经成为进一步提高性能的理想材料。但是 ,在 Si C器件及其电路的数量按比例增长并被融入电子系统之前 ,晶体生长和器件制造等技术必须得到进一步的发展。文章报道了 Si C技术的最新进展情况。
- 詹永玲杨银堂
- 关键词：碳化硅化学气相淀积半导体器件集成电路
- 可调谐激光晶体掺铬钨酸锌单晶的生长和光谱研究
- 臧竟存武少华詹永玲殷宝璐
- 此项研究利用TDK-36AZ型单晶体炉，长出Φ20x60MM光学质ZnWO4:Cr3+单晶，利用RF-540荧光谐仪进行了荧光光谐和激光光谐的研究，用WSP-1型平面光栅摄谱仪建立了掺杂量的测定，用UV-265分光光度计...
- 关键词：
- 关键词：可调谐激光晶体晶体生长分光光度计掺杂量
- 红宝石激光泵浦掺铬钨酸锌的激光特性被引量：3
- 1993年
- 我们采用丘克拉斯基法生长出ZnWO_4:Cr^(3+)单晶,并测到该晶体从800～1100nm的宽带荧光发射,用红宝石激光器泵浦φ5mm×17mm的晶体棒,获得400μJ的0.95μm红外脉冲激光。
- 臧竞存詹永玲刘征
- 关键词：激光泵浦
- 共掺Nd^（3＋）离子改善了Cr：ZnWO_4的激光效率被引量：3
- 1994年
- 共接Ｎｄ３＋离子改善了Ｃｒ：ＺｎＷＯ４单晶质量，提高了激光效率。室温下用红宝石激光泵浦，在φ６×１９ｍｍ的晶棒中，获得０．９５μｍ的激光脉冲，最大输出能量达１．６２ｍＪ，泵浦斜率效率为０．７９％。
- 臧竞存武少华刘燕行詹永玲江少林
- 关键词：单晶
- SiC高温半导体器件技术
- 杨银棠张义门李跃进张玉明柴常春贾护军朱作云汪家友傅俊兴尚也淳高洪福韩晓亮何光詹永玲高海霞
- 该项目是新型半导体材料和器件技术研究领域重要的前沿研究课题，主要研究成果包括：研制建立了可用于SiC材料生长的常压化学气相淀积系统、研究了SiC材料掺杂技术、研究了SiC材料上氧化层制备技术、在SiC材料上用磁控溅射的方...
- 关键词：
- 关键词：SIC
- 碳化硅MOS器件和电路技术的研究
- SiC材料具有大热导率、高临界击穿电场、禁带宽、载流子迁移率大等特点,这使得它在制作高频、高温、大功率器件方面成为最理想的半导体材料.该文围绕SiC MOSFET的研制对碳化硅器件制作过程中的金属化、氧化等基本工艺以及S...
- 詹永玲
- 关键词：碳化硅金属化氧化层
- 文献传递
- LD泵浦高效多波长激光晶体:掺钕钨酸钾钆被引量：11
- 1997年
- 本文综述了掺钕钨酸钾钆Ｎｄ３＋：ＫＧｄ（ＷＯ４）２晶体研制近况，介绍了其晶体结构，光谱特性。Ｎｄ：ＫＧＷ晶体具有掺杂浓度高、泵浦阀值低、激光转换效率高的特性；
- 臧竞存詹永玲
- 关键词：晶体多波长激光LD泵浦
- 掺铬锰钨酸锌单晶及其激光特性被引量：1
- 1994年
- 对掺铬钨酸锌(ZnWO_4:Cr^(3+))室温和低温下的光谱和激光性质已做过研究,在77K下实现了连续可调谐激光输出.采用固态介质中退火工艺后,晶体透光性能极大改善,室温下用红宝石激光器泵浦已获得270μJ的近红外激光输出.但是晶体的光损伤阈值低,限止了这种晶体的实际应用,为此我们开展了双掺杂敏化的研究,不仅使激光输出能量提高3倍,而且抗强光损伤能力大为增强.
- 臧竞存武少华刘燕行詹永玲殷宝璐
- 关键词：单晶钨酸锌铬锰激光特性
