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袁廷志

作品数:5 被引量:22H指数:3
供职机构:天津大学电子信息工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:化学工程更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇化学工程

主题

  • 4篇介电
  • 3篇电性能
  • 3篇介电性
  • 3篇介电性能
  • 3篇BAO
  • 1篇等价
  • 1篇电损耗
  • 1篇烧结温度
  • 1篇陶瓷
  • 1篇陶瓷材料
  • 1篇主晶相
  • 1篇微波特性
  • 1篇物相
  • 1篇物相组成
  • 1篇相组成
  • 1篇介电损耗
  • 1篇晶相
  • 1篇固溶
  • 1篇固溶体
  • 1篇高Q

机构

  • 5篇天津大学

作者

  • 5篇袁廷志
  • 4篇吴霞宛
  • 3篇王洪儒
  • 2篇朱征
  • 2篇陈长庆
  • 2篇李玲霞
  • 1篇林曼红

传媒

  • 3篇硅酸盐通报
  • 1篇硅酸盐学报

年份

  • 3篇2003
  • 2篇2002
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
(Ag_(1-x)Na_x)(Nb_(1-y)Ta_y)O_3陶瓷介电性能的研究被引量:7
2003年
对 (Ag1 -xNax) (Nb1 -yTay)O3陶瓷的介电性能进行了研究。通过改变Ag/Na和Nb/Ta的摩尔比 ,合成具有不同介电性能的陶瓷材料 ,适当的添加物可进一步改善陶瓷材料的性能。实验表明 :当Ag/Na及Nb/Ta的摩尔比均为 3/ 2时可使该陶瓷的介电损耗tgδ降低为 4×10 - 4 ,介电常数达到 34 0。
陈长庆吴霞宛袁廷志朱征林曼红
关键词:介电性能
高频高压高介MLC瓷介的研究被引量:4
2003年
对CaTiO3 SrTiO3系统进行了深入的研究 ,结果表明 :由于SrTiO3和CaTiO3均具有钙钛矿型结构 ,可形成有限型固溶体。通过调节Sr/Ca的摩尔比可以得到一种性能优良的高频瓷料。适量的Bi3+的引入可以与Sr3+形成不等价取代将有利于介电常数的进一步升高 ,同时也有利于介电常数温度系数的绝对值的减小。研究表明该系统的烧结温度应该在 1 2 80℃。
陈长庆吴霞宛王洪儒袁廷志
关键词:介电性能固溶体烧结温度
BaO-PbO-Nd_2O_3-Bi_2O_3-TiO_2系物相组成与介电性能关系的研究被引量:10
2002年
以五元系统BaO PbO Nd2 O3 Bi2 O3 TiO2 为研究对象探讨化合物相与介电性能的定量关系。系统的主次晶相分别为BaNd2 Ti5O14 和Bi4 Ti3O12 。对系统进行X射线分析 ,用X射线衍射峰强度计算出系统中各物相的体积分数 ,再运用李赫德涅凯对数混合定则进行定量计算 ,得出的系统的介电性能与用仪器实测的系统参数相符。在本研究系统中 ,X衍射射线分析可以测定和定量表征烧结介质瓷中化合物含量 ,经过对系统中各化合物成分的介电性能测定 ,可计算出所研究系统的介电性能 ,从而可以作为一种介质的设计方法。本系统主要是BaO PbO Nd2 O3 Bi2 O3 TiO2 系。Nd和Bi对Ba的取代是异价取代 ,故能准确定量测出和算出其化合物的含量。Pb和Ba是等价取代 ,其化合物的含量可用X射线衍射等方法测出 ,在本系统中因其加入量小 。
袁廷志吴霞宛李玲霞王洪儒
关键词:物相介电性能
不同比例BaO-Nd<,2>O<,3>-TiO<,2>系瓷料系统研究
该论文系统地研究了钡钕钛系统陶瓷的介电性能.发现系统的介电性能与它们之间的摩尔比密切相关.特别是当TiO<,2>的摩尔数变化,系统陶瓷的介电性能变化很大.研究了BaO:Nd<,2>O<,3>:TiO<,2>=1:1:5,...
袁廷志
关键词:介电损耗主晶相微波特性
文献传递
BaO-Nd_2O_3-TiO_2系陶瓷材料的研究被引量:1
2002年
以BaO -Nd2 O3-TiO2 为主要研究体系 ,以Bi2 O3,PbO为添加剂 ,研究了系统的成分配比和工艺对瓷料的介电性能的影响 ,成功研制出了性能优良的高频、高Q的MLC陶瓷材料。研究结果表明 ,当BaO :Nd2 O3:TiO2 的摩尔比为 1 :1 :5时 ,可在中温范围内 (≈ 1 1 60℃ )制成介电常数ε≈ 98,介电损耗tgδ≈ 1 .3× 1 0 -4 (Q≈ 80 0 0 ) ,电容量的温度系数αc≈ 3 0ppm/℃ ,绝缘电阻IR >1 0 13Ω的高频、高Q的MLC陶瓷材料 ;当BaO :Nd2 O3:TiO2 的摩尔比为 1 :1 :4 .5时 ,可在较高温度范围内 (≈ 1 2 0 0℃ )制成介电常数ε≈ 93 ,介电损耗tgδ≈ 0 .8×1 0 -4 (Q≈ 1 0 0 0 0 ) ,电容量的温度系数αc≈ 1 0ppm/℃ ,绝缘电阻IR >1 0 13Ω的高频。
朱征吴霞宛王洪儒李玲霞袁廷志
关键词:高频高Q陶瓷材料
共1页<1>
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