董捷
- 作品数：17 被引量：66H指数：5
- 供职机构：山东大学物理学院晶体材料国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
- 相关领域：理学电子电信环境科学与工程更多>>
- 4H-SiC单晶的生长与缺陷研究
- 董捷
- 关键词：表面形貌
- 6H-SiC单晶的生长与缺陷被引量：7
- 2004年
- 采用升华法 ,在一定的温度、气体压力和流量的条件下 ,生长了尺寸 5 0 .8mm的 6HSiC单晶。利用光学显微术观察了原生晶体的表面形貌 ,发现了微管在晶体表面的露头点具有明显的多个螺位错成核特征。采用透射模式对抛光晶片进行观察 ,发现了SiC晶体内的典型缺陷 ,如 :负晶、微管、碳颗粒等 ,并对它们的形成机理进行了讨论。
- 胡小波徐现刚王继扬韩荣江董捷李现祥蒋民华
- 关键词：微管
- 同步辐射单色光形貌术观察6H-SiC单晶中的微管缺陷被引量：1
- 2004年
- 采用同步辐射单色光形貌术观察了 6H SiC单晶中的微管缺陷 ,发现晶片中Burgers矢量为 1c的螺位错具有较高的密度。此外 ,还观察到对应较大Burgers矢量的微管。基于微管附近的应变场 ,并根据衍射几何 ,模拟计算了一系列具有不同Burgers矢量的微管在形貌像中的直径 。
- 胡小波徐现刚李现祥董捷韩荣江王丽李娟王继扬田玉莲黄万霞朱佩平
- 关键词：6H-SIC半导体材料晶格常数
- 6H-SiC单晶(0001)Si-面的表面生长形貌被引量：3
- 2004年
- 利用光学显微镜的反射模式观察了升华法生长的 6H SiC单晶 (0 0 0 1)Si 面的生长形貌 ,应用台阶仪测定了生长台阶高度。实验发现 ,6H SiC单晶的生长台阶呈螺旋状 ,生长台阶呈现出了韵律束合现象。在单晶中间部分 ,生长台阶稀疏 ,台面较宽 ,约 80 μm左右 ,台阶高度较小 ,约 2 0～ 5 0nm ,比较宽的台面上存在小生长螺旋。外围单晶区域 ,生长台阶比较密集 ,其台阶高度较大 ,约 30 0～ 70 0nm ,台面宽度较小 ,约 2～ 5 μm。生长台阶在前进过程中受单晶中的微管缺陷影响 。
- 韩荣江王继扬胡小波董捷李现祥李娟王丽徐现刚蒋民华
- 关键词：6H-SIC半导体材料碳化硅
- 升华法生长大直径的SiC单晶被引量：4
- 2004年
- 采用高纯Si粉和C粉在适宜的温度和压力下合成了多晶SiC粉末,在此基础上采用升华法在低压高温下条件下生长了大直径6H SiC单晶,并根据热力学理论分析了SiC的分解。结果表明,在2300℃附近的生长温度下,Si,Si2C,SiC2是Si C热力学平衡下的主要物种,其平衡分压比同组分的SiC物种高出3个量级,因而是升华过程中的主要物种,其质量传输过程直接决定SiC的生长。另外,采用光学显微镜观察SiC单晶中的生长缺陷,分析了缺陷成因,提出了碳的包裹体是微管缺陷的重要来源,而调制掺氮可以抑制部分微管在[0001]方向上的延伸,并在此分析基础上调整生长参数,生长出了高质量的6H SiC单晶。
- 李娟胡小波王丽李现祥韩荣江董捷姜守振徐现刚王继扬蒋民华
- 关键词：SIC微管晶体生长热力学
- 温度及温度梯度对SiC单晶生长的影响被引量：2
- 2004年
- 利用升华法在高温低压下生长大直径SiC单晶.通过实验发现:在相同的轴向温度梯度下,SiC晶体平均生长速率随籽晶温度的升高而变大.通过减小轴向温度梯度,降低晶体生长界面的径向过饱和度分布,可以抑制多型的生长.通过优化温场的径向温度梯度,利用φ50mm的籽晶进行生长,得到了φ57mm的SiC单晶,实现了晶体的扩径生长.
- 李现祥李娟董捷王丽姜守振韩荣江徐现刚王继扬胡小波蒋民华
- 关键词：SIC单晶生长速率
- SiC单晶生长热力学和动力学的研究被引量：9
- 2004年
- 升华法生长大直径碳化硅 (SiC)单晶一直是近年来国内外研究的重点 ,本文对Si C系中的Si,Si2 ,Si3 ,C ,C2 ,C3 ,C4,C5,SiC ,Si2 C ,SiC2 等气相物种的热力学平衡过程进行了研究 ,发现SiC生长体系中的主要物种为Si,Si2 C ,SiC2 。生长初期Si的分压较高 ,从而SiC生长为富硅生长模式。对外加气体进行研究发现 ,氩气为最好的外加气体 ,它既可以有效地抑制Si物质流传输 ,又可以减缓扩散系数随温度升高而递减的趋势。建立了简单一维传输模型 ,对三个主要物种的动力学输运过程进行了研究 ,计算得到了两个温度梯度下的主要物种的物质流密度。
- 董捷刘喆徐现刚胡晓波李娟王丽李现祥王继扬
- 关键词：SIC热力学动力学温度梯度砷化镓
- 同步辐射白光形貌术观察SiC单晶中的微小多型结构
- 2006年
- 采用同步辐射白光形貌术观察了6H和4H-SiC单晶片中的微小多型结构。基于透射同步辐射形貌术的衍射几何和晶片的取向,计算了SiC晶体中3种主要多型在Lane像中对应不同反射的成像位置,并与实际结果进行了比较。鉴别出6H和4H-SiC单晶中分别存在着少量的4H-SiC和15R-SiC多型的寄生生长。
- 李现祥董捷胡小波李娟姜守振王丽陈秀芳徐现刚王继扬蒋民华田玉莲黄万霞朱佩平
- 关键词：SIC单晶
- 温度及温度梯度对SiC单晶生长的影响
- 利用升华法在高温低压下生长大直径SiC单晶.通过实验发现:在相同的轴向温度梯度下,SiC晶体平均生长速率随籽晶温度的升高而变大.通过减小轴向温度梯度,降低晶体生长界面的径向过饱和度分布,可以抑制多型的生长.通过优化温场的...
- 李现祥李娟董捷王丽姜守振韩荣江徐现刚王继扬胡小波蒋民华
- 关键词：SIC晶体单晶生长温度梯度
- 文献传递
- 6H-SiC单晶中的微管和小角度晶界被引量：6
- 2004年
- 利用透射偏光显微术、同步辐射X射线形貌术、高分辨X射线衍射方法对 6H SiC(0 0 0 1)晶片中的微管和小角度晶界等缺陷进行了研究。实验发现 ,在透射偏光显微镜下 ,微管通常呈现为蝴蝶形 ,这是由于微管周围存在着应力场 ,且应力分布不均匀 ,当线偏振光在通过微管周围区域时传播速度不同造成的。从X射线背反射同步辐射形貌像得到晶片中微管的Burgers矢量大小在 2c到 10c之间。从晶片 0 0 0 12衍射的双晶衍射摇摆曲线可以看出 ,晶片的中间大部分区域质量很好 ,双晶衍射峰为单峰且半峰宽很窄 ,一般为 35″左右。在外围区域双晶衍射峰的半峰宽变宽 ,有些区域还会出现衍射峰的分裂 ,这说明外围区域有嵌镶块结构存在。
- 韩荣江王继扬胡小波徐现刚董捷李现祥蒋民华
- 关键词：6H-SIC微管晶界应力场剪切模量
