范国莹 作品数:5 被引量:1 H指数:1 供职机构: 兰州大学物理科学与技术学院微电子学研究所 更多>> 发文基金: 国家自然科学基金 甘肃省自然科学基金 国家教育部博士点基金 更多>> 相关领域: 电子电信 理学 更多>>
给-受体材料系统中光致发光的峰值波长随浓度变化的理论(英文) 被引量:1 2012年 高效的给-受体(DA)能量传输材料体系被公认为有机激光器中的重要组成部分。基于Frster传输和受激发射的理论,我们提出了一种在DA系统下发射光谱的数值模型。该模型较好地描述了在DA材料系统中发射光谱随着受主浓度变化的最主要特征,即光致发光谱峰值波长随着受体浓度的增加而非线性增大,并在浓度较高时趋于受体的单体发射波长。 彭应全 范国莹 周茂清 吕文理 王颖关键词:发射光谱 基于酞菁铅的有机平衡双极型场效应晶体管 2013年 有机场效应晶体管(OFETs)分为单极性和双极性.单极性OFETs仅能工作在p-沟道(空穴型导电沟道)或者n-沟道(电子型导电沟道)模式下,然而双极型OFETs可以通过改变栅压的极性在p-沟道和n-沟道模式之间转变. 高鹏杰 吕文理 范国莹 姚博 陈德强 彭应全关键词:有机场效应晶体管 双极型 单极性 电子型 双极性 有机场效应晶体管的非线性注入模型 2017年 有机场效应晶体管(Organic field effect transistor,OFET)的非线性特性是指其输出特性曲线在较低的漏极电压下出现类似于二极管的电压电流特性曲线,这种现象在有机场效应晶体管的实验研究中极为常见。Simonetti等通过引入随栅极电压变化的迁移率提出了模型并成功解释了这一现象,但实验中从器件转移特性得出的迁移率通常与栅极电压无关。本文通过引入常数迁移率对该模型进行改进,运用改进的模型研究了影响OFET非线性特性的主要因素,并对如何更加准确地获得器件参数进行了探究。 何兰 范国莹 李尧 吕文理 韦一 彭应全关键词:有机场效应晶体管 阈值电压 场效应迁移率 衬底对PTCDA薄膜结构与电荷输运特性的影响 被引量:1 2012年 在不同导电衬底(Au,Al和ITO)上制备了PTCDA薄膜,用XRD和AFM技术研究了PTCDA薄膜的结构和表面形貌。结果表明,薄膜中的大部分PTCDA分子平面与衬底不平行,这表明薄膜垂直方向的电流传导将以电子传输为主;在ITO和Au衬底上生长的PTCDA薄膜晶粒排列规则,在薄膜垂直方向呈现出较好的电子传输性能;而在Al衬底上生长的PTCDA薄膜晶粒排列无序,电子传输性能差。通过制备单层结构有机薄膜器件,研究了PTCDA薄膜垂直方向的电子迁移率。综合应用金属-有机界面的热电子发射理论和有机层体内空间电荷限制传导理论,并考虑电场强度对迁移率变化的影响,对ITO/PTCDA/Al器件的电流密度-电压曲线进行拟合,得到ITO衬底上生长的PTCDA薄膜在垂直方向随电场强度变化的电子迁移率数值。 杨汀 谢吉鹏 范国莹 吕文理 彭应全关键词:有机半导体 迁移率 电荷传输 肖特基接触有机场效应晶体管器件模型研究 有机场效应晶体管(OFET)是未来电子产品向着更轻更薄方向发展的基础。相比于传统无机半导体器件,OFET的输出特性曲线具有很明显的非线性现象。非线性特性是指接触类型为肖特基接触,漏极电流与漏极偏压在低漏偏压下呈现出类似于... 范国莹关键词:OFET 阈值电压 场效应迁移率 文献传递