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胡江峰

作品数：7 被引量：4H指数：2
供职机构：西安交通大学更多>>
发文基金：“九五”国家科技攻关计划更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 5篇介质
  • 5篇介质保护膜
  • 4篇等离子体显示
  • 4篇显示器
  • 3篇等离子体显示...
  • 3篇电特性
  • 3篇放电
  • 3篇放电特性
  • 3篇ACPDP
  • 2篇PDP
  • 2篇表面特性
  • 2篇彩色等离子体
  • 2篇AC
  • 1篇电视
  • 1篇屏蔽
  • 1篇显示器件
  • 1篇工艺参
  • 1篇工艺参数
  • 1篇保护膜
  • 1篇壁挂电视

机构

  • 7篇西安交通大学
  • 5篇西安电子科技...

作者

  • 7篇胡江峰
  • 5篇任红霞
  • 5篇郑德修
  • 4篇孙鉴
  • 1篇张军凯

传媒

  • 2篇真空科学与技...
  • 2篇真空电子技术
  • 1篇液晶与显示

年份

  • 4篇1999
  • 1篇1998
  • 1篇1996
  • 1篇1990
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
热处理工艺对ACPDP中MgO保护膜性能的影响被引量：2
1999年
保护膜的表面特性严重影响ＡＣＰＤＰ的性能。本文以电子束蒸发法制得的ＭｇＯ保护膜为例，有关热处理条件对保护膜表面基本特性，如结晶结构、表面形貌及成分等的影响进行了研究。
任红霞胡江峰郑德修郑德修
关键词：介质保护膜表面特性ACPDP
彩色等离子体显示器件中介质保护膜的研究
该文详细讨论了用电子束蒸发法制备介质保护膜的几个主要工艺参数对保护膜成分、结构、形貌及其放电特性的影响,并同时对不同材料制备的保护膜的性能作了比较.
胡江峰
关键词：等离子体显示介质保护膜显示器件
保护膜材料对AC PDP放电特性的影响
1998年
利用所研制的模拟ＡＣＰＤＰ放电特性测量装置，对（ＣａＳｒ）Ｏ、（ＭｇＳｒ）Ｏ等不同材料形成的保护膜对ＡＣＰＤＰ放电特性的影响进行了研究，确定了新颖膜材料的选择方向，探索了使用高发射性能保护膜材料所必须解决的问题。研究结果表明，用（ＣａＳｒ）Ｏ等混合氧化物制成的保护膜的ＡＣＰＤＰ具有比单一氧化物低的工作电压和好的老化特性，但工作电压稳态范围却较窄；研究结果还表明氧化物混合的比例不同，ＡＣＰＤＰ的工作电压和稳态范围不同，大约在ＣａＯ（或ＭｇＯ）与ＳｒＯ的重量比达到１３时，器件的工作电压最低。
任红霞胡江峰郑德修孙鉴
关键词：ACPDP放电特性
介质保护膜制备参数对AC PDP放电特性的影响被引量：2
1999年
以ＭｇＯ为例，对ＡＣ　ＰＤＰ中电子束蒸发介质保护膜制备的工艺参数，如成膜时基板温度、沉积速率、成膜后的热处理条件等对ＡＣＰＤＰ工作特性的影响进行了系统的研究和分析，讨论了保护膜成分、结构、形貌等对发射特性和ＡＣＰＤＰ工作特性的影响，探讨了成膜的最佳工艺，并根据在放电过程中，由离子轰击产生的 ＭｇＯ膜表面特性的变化和假设氧对 ＭｇＯ膜表面特性的作用，对观测到的放电特性对 ＡＣＰＤＰ板各种制造工艺参数的依赖性进行了解释。
任红霞胡江峰张军凯郑德修
关键词：介质保护膜放电特性等离子体显示器
《彩色等离子体显示器中介质保护膜的研究》
胡江峰
关键词：等离子体显示介质保护膜
保护膜制备参数对其性能影响的实验研究被引量：1
1999年
以电子束蒸发法制得的ＭｇＯ保护膜为例，对保护膜制备参数，例如基板温度、沉积速率等对保护膜表面结晶结构、形貌及成分等基本特性的影响进行了研究，为保护膜制备工艺的优化提供了指导。
任红霞胡江峰郑德修孙鉴
关键词：介质保护膜工艺参数表面特性ACPDP
保护膜材料对ACPDP放电特性影响的实验研究被引量：2
1999年
提出了用测量ACPDP(ACplasmadisplaypanel)放电特性和加速老化特性来探求保护膜发射和稳定性能的间接测量方法 ,研制了模拟ACPDP放电特性测量装置 ,为衡量保护膜特性提供了有力的工具。并利用此装置对不同材料保护膜对ACPDP放电特性的影响进行了分析讨论 ,确定了新颖膜材的选择方向 。
任红霞胡江峰郑德修孙鉴
关键词：ACPDP放电特性等离子体显示器
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