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胡建平

作品数：177 被引量：71H指数：5
供职机构：宁波大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金浙江省教育厅科研计划浙江省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 139篇专利
  • 29篇期刊文章
  • 6篇会议论文
  • 3篇科技成果

领域

  • 61篇电子电信
  • 8篇自动化与计算...
  • 2篇文化科学
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 111篇电路
  • 93篇功耗
  • 64篇延时
  • 39篇触发器
  • 37篇反相器
  • 24篇全加器
  • 20篇锁存
  • 20篇锁存器
  • 19篇低功耗
  • 15篇电流模
  • 15篇FINFET
  • 13篇D触发器
  • 12篇电路功能
  • 12篇读操作
  • 12篇绝热电路
  • 11篇绝热
  • 11篇集成电路
  • 10篇逻辑功能
  • 9篇读字
  • 9篇自举

机构

  • 177篇宁波大学
  • 1篇浙江大学
  • 1篇浙江海洋学院

作者

  • 177篇胡建平
  • 26篇张卫强
  • 21篇邬杨波
  • 18篇张绪强
  • 11篇蒋刚毅
  • 11篇余峰
  • 9篇徐铁峰
  • 9篇朱昊天
  • 7篇叶锡恩
  • 6篇汪鹏君
  • 6篇程伟
  • 5篇余晓颖
  • 5篇李宏
  • 4篇徐铁锋
  • 4篇蒋金涛
  • 4篇陈金丹
  • 4篇张月杰
  • 3篇苏丽
  • 3篇刘彬彬
  • 3篇夏银水

传媒

  • 4篇信息技术
  • 3篇浙江大学学报...
  • 3篇微电子学与计...
  • 3篇中国电子学会...
  • 2篇无线通信技术
  • 2篇电路与系统学...
  • 2篇固体电子学研...
  • 2篇宁波大学学报...
  • 2篇传感器与微系...
  • 1篇数据通信
  • 1篇半导体技术
  • 1篇Journa...
  • 1篇信阳师范学院...
  • 1篇湖州师范学院...
  • 1篇微电子学
  • 1篇浙江师大学报...
  • 1篇广西物理
  • 1篇湘潭大学学报...

年份

  • 4篇2023
  • 3篇2022
  • 3篇2021
  • 12篇2020
  • 24篇2019
  • 15篇2018
  • 34篇2017
  • 12篇2016
  • 10篇2015
  • 3篇2014
  • 2篇2013
  • 8篇2012
  • 5篇2011
  • 1篇2010
  • 7篇2009
  • 5篇2008
  • 2篇2007
  • 1篇2006
  • 5篇2005
  • 2篇2004
共 177 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种基于FinFET晶体管的钟控D触发器
本发明公开了一种基于FinFET晶体管的钟控D触发器，包括主锁存器和从锁存器，钟控D触发器还包括时钟控制电路，时钟控制电路包括第一反相器和第二反相器，主锁存器包括第一FinFET管、第二FinFET管、第三FinFET管...
胡建平朱昊天柯声伟
文献传递
一种三独立栅FinFET器件
本发明公开勒一种三独立栅FinFET器件，包括衬底、绝缘层、源极、沟道、漏极、背栅电极、前栅电极、顶栅电极、第一栅氧化层、第二栅氧化层和第三栅氧化层，衬底和绝缘层均为长方体结构，源极、沟道和漏极按照从右到左的顺序依次设置...
胡建平陈泽奇
一种基于FinFET器件的全摆幅单端读存储单元
本发明公开了一种基于FinFET器件的全摆幅单端读存储单元，包括写字线、写位线、反相写位线、读字线、读位线、第一FinFET管、第二FinFET管、第三FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管、第六FinF...
胡建平杨会山
文献传递
一种基于TFET的三输入多数逻辑器件
本发明公开了一种基于TFET的三输入多数逻辑器件包括沟道区、源区、漏区、第一栅极氧化层、第二栅极氧化层、第三栅极氧化层、第一金属栅极、第二金属栅极和第三金属栅极沟道区为由第一矩形块和第二矩形块构成的T型结构，源区为由第三...
胡建平叶浩
一种基于FinFET器件的双时钟控制触发器
本发明公开了一种基于FinFET器件的双时钟控制触发器，包括第一反相器和第二反相器构成的时钟控制部分，第三反相器、第四反相器、第一FinFET管和第二FinFET管构成的主锁存器以及第五反相器、第六反相器、第三FinFE...
胡建平张绪强
交流CMOS电路漏功耗减小技术
胡建平张卫强李宏李林峰张妤苏丽刘彬彬盛晓蕾朱家国余晓颖付静虹
提出了交流CMOS功控休眠技术,构造了能量有效的交流CMOS电路功控开关.得到了以减小漏功耗为主要目标的交流CMOS电路功控休眠技术,并把其应用到乘法器等电路单元中.通过研究交流CMOS电路的内部节点在交流电源电压作用下...
关键词：
关键词：存储器
具有通用智能网络节点的通用智能网络
本发明公开了具有通用智能网络节点的通用智能网络，包括具有至少一个经联结媒体联网的通用智能网络节点，通用智能网络节点包括能控制各种控制单元及其联结媒体的硬件控制器，通用智能网络节点分为管理其它通用智能网络节点的主节点和被管...
张卫强胡建平
文献传递
基于施密特电路的多值脉冲电路研究被引量：2
2003年
通过对基于施密特电路的二值单稳态触发器和二值无稳态触发器设计思想的分析,提出了以三值单稳态触发器和三值无稳态触发器为代表的多值脉冲电路的设计方案,并通过PSPICR5.0软件模拟,结果表明所设计的电路具有正确的逻辑功能.
汪鹏君胡建平卢仰坚
关键词：施密特电路电路设计多值逻辑
一种基于FinFET器件的单位线非对称存储单元
本发明公开了一种基于FinFET器件的单位线非对称存储单元，包括位线、写字线、读字线、第一FinFET管、第二FinFET管、第三FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管、第六FinFET管、第七FinFE...
胡建平杨会山
文献传递
一种基于FinFET器件的主从触发器
本发明公开了一种基于FinFET器件的主从触发器，通过第一P型FinFET管、第二P型FinFET管、第一N型FinFET管、第二N型FinFET管、第三N型FinFET管、第四N型FinFET管、第五N型FinFET管...
胡建平张月杰
文献传递
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