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翁旭东

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：复旦大学更多>>
相关领域：理学一般工业技术自动化与计算机技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 5篇铁电
  • 5篇铁电薄膜
  • 3篇微电子
  • 3篇金属
  • 3篇存储器
  • 2篇电压
  • 2篇电滞回线
  • 2篇氧化物
  • 2篇闪存
  • 2篇双极性
  • 2篇铁电性
  • 2篇热释电
  • 2篇脉冲电压
  • 2篇金属氧化物
  • 2篇快闪
  • 2篇快闪存储器
  • 2篇高热
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体表面
  • 2篇弛豫

机构

  • 8篇复旦大学

作者

  • 8篇翁旭东
  • 7篇江安全
  • 3篇万海军
  • 2篇陈志辉
  • 2篇沈臻魁
  • 1篇张燕均
  • 1篇张鑫

年份

  • 3篇2012
  • 3篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
一种基于金属/反铁电薄膜/金属氧化物/半导体场效应管结构的存储器单元
本发明属半导体存储器件领域，涉及基于场效应管结构的非破坏性读取的非挥发存储器件。尤其涉及一种基于金属/反铁电薄膜/金属氧化物/半导体场效应管结构的存储器单元，包括：衬底；金属氧化物层，反铁电薄膜，栅电极；所述金属氧化物层...
江安全翁旭东
文献传递
一种快速测量铁电薄膜印刻效应的方法
本发明属微电子技术领域，涉及铁电薄膜印刻效应的测试方法。本发明通过测量铁电薄膜极化反转电流快速测量铁电薄膜印刻效应，其包括：(1)加一个产生印刻效应的脉冲电压后，立刻再加一个与此印刻电压相反极性的脉冲电压并测量铁电薄膜的...
江安全翁旭东
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基于金属/反铁电PZT薄膜/氧化铝/硅结构的反铁电存储器的制备及性能研究
近年来，铁电存储器因具有低功耗、读写速度快、器件尺寸任意减小性和存储密度高等优点而得到广泛关注，其中金属/铁电/绝缘层/硅(MFIS)结构的铁电存储器更是具有非破坏性读取以及与CMOS工艺兼容等特点而成为铁电存储器未来发...
翁旭东
关键词：数据保持
文献传递
一种基于金属/反铁电薄膜/金属氧化物/半导体场效应管结构的存储器单元
本发明属半导体存储器件领域，涉及基于场效应管结构的非破坏性读取的非挥发存储器件。尤其涉及一种基于金属/反铁电薄膜/金属氧化物/半导体场效应管结构的存储器单元，包括：衬底；金属氧化物层，反铁电薄膜，栅电极；所述金属氧化物层...
江安全翁旭东
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一种具有高热释电性能的反铁电薄膜制备方法
本发明属于微电子技术领域，涉及一种具有高热释电性能的反铁电薄膜制备方法。本发明利用反铁电薄膜在某一临界厚度以下显示铁电性而在此临界厚度以上显示反铁电性的特征，构建一层凹凸有致具有多种不同厚度的台阶状反铁电薄膜，每一阶台阶...
万海军翁旭东陈志辉沈臻魁江安全
文献传递
一种快速测量铁电薄膜印刻效应的方法
本发明属微电子技术领域，涉及铁电薄膜印刻效应的测试方法。本发明通过测量铁电薄膜极化反转电流快速测量铁电薄膜印刻效应，其包括：(1)加一个产生印刻效应的脉冲电压后，立刻再加一个与此印刻电压相反极性的脉冲电压并测量铁电薄膜的...
江安全翁旭东
一种赝反铁电薄膜的制备方法
本发明属于微电子技术领域，涉及一种赝反铁电薄膜的制备方法。它通过一定剂量和能量的氢离子注入掺杂，在铁电薄膜中形成一种稳定分布的掺杂离子，通过电荷补偿模式改变铁电薄膜畴的翻转特性。通过本发明方法，能够在任意成份比例的铁电薄...
翁旭东万海军张燕均张鑫江安全
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一种具有高热释电性能的反铁电薄膜制备方法
本发明属于微电子技术领域，涉及一种具有高热释电性能的反铁电薄膜制备方法。本发明利用反铁电薄膜在某一临界厚度以下显示铁电性而在此临界厚度以上显示反铁电性的特征，构建一层凹凸有致具有多种不同厚度的台阶状反铁电薄膜，每一阶台阶...
万海军翁旭东陈志辉沈臻魁江安全
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