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程波

作品数:1 被引量:3H指数:1
供职机构:浙江大学材料与化学工程学院硅材料国家重点实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇氧化物薄膜
  • 1篇透明导电
  • 1篇透明导电氧化...
  • 1篇透明导电氧化...
  • 1篇气相沉积
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体质量
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相沉积
  • 1篇光电
  • 1篇光电性
  • 1篇光电性能
  • 1篇NB
  • 1篇TIO_2薄...
  • 1篇常压化学气相...

机构

  • 1篇浙江大学
  • 1篇深圳市德厚科...

作者

  • 1篇刘涌
  • 1篇宋晨路
  • 1篇程波
  • 1篇王慷慨
  • 1篇陆妍
  • 1篇杨磊

传媒

  • 1篇材料科学与工...

年份

  • 1篇2015
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
APCVD法制备Nb∶TiO_2薄膜及其光电性能被引量:3
2015年
透明导电氧化物(TCO)薄膜要求低电阻率和可见光区高透过率.目前最常用的是ITO薄膜存在着有毒、In成本高等难以克服的缺点.NTO薄膜是近年来新发现的一种具备广阔前景的TCO薄膜,但对它的认识还不充分.本文采用APCVD法在玻璃基板上成功制备出了颗粒均匀细小致密的NTO薄膜,探索出最佳反应温度为500℃~550℃,通过高真空退火的方式改善了薄膜晶体质量,光学透过率获得大幅提升,与经过掺杂但未经过H2退火的Nb∶TiO2薄膜和经过H2退火但未掺杂的TiO2薄膜相比较,经过掺杂和H2退火的Nb∶ TiO2薄膜其电学性能得到明显改善.
杨磊刘涌王慷慨丛炳俊程波陆妍林俊君宋晨路
关键词:透明导电氧化物薄膜常压化学气相沉积晶体质量光电性能
共1页<1>
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