石滨
- 作品数：6 被引量：14H指数：2
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- 相关领域：一般工业技术电气工程电子电信理学更多>>
- ZnO压敏陶瓷电流蠕变规律及其机理研究被引量：7
- 1995年
- ZnO压敏陶瓷在工作电压长期作用下,漏电流会逐渐增大,当此种电流蠕变现象严重时,表明压敏陶瓷的工作是不稳定的;将烧结好的陶瓷热处理,是改善其工作稳定性的有效方法之一.根据晶界缺陷化学模型,认为工作不稳定是晶界肖特基势垒不稳定的结果,而这又是由于构成势垒的亚稳成分填隙锌离子Zn_i^+和Zn_i^(2+)所致;
- 陈志雄石滨付刚唐大海
- 关键词：压敏陶瓷氧化锌晶界层
- ZnO压敏陶瓷中富Ba晶界相的生成与控制被引量：1
- 1996年
- 已知在通常的ZnO-Bi_2O_3-Sb_2O_3系陶瓷中,加入Ba添加剂,由于Ba离子半径大而易偏析于晶界,故能进一步改善其非线性性能,但近来对ZnO-Bi_2O_3-Sb_2O_3-BaO系压敏陶瓷的研究则发现,在一定的条件下,Ba离子不仅只是偏析于晶界,而且形成富Ba的新晶界相,经分析为偏锑酸钡(BaSb_2O_6)相;由氧化铋(Bi_2O_3)、尖晶石(Zn_(2.33)Sb_(0.67)O_4)、偏锑酸钡组成的晶界相,改变了通常的压敏陶瓷中晶界相的结构、组分和性质,从而影响及晶粒间的界面性质和界面处的肖特基势垒;当这几种晶界之间有适当比例时,能显著地改善压敏陶瓷在长期电负荷下工作的稳定性.对ZnO-Bi_2O_3-Sb_2O_3系陶瓷在烧结过程中晶相的生成已有报道.本文对ZnO-Bi_2O_3-Sb_2O_3-BaO系压敏陶瓷中,偏锑酸钡相的生成过程及影响因素进行讨论;在发现常用的SiO_2,Cr_2O_3添加剂对偏锑酸钡相生成有重要影响的基础上,对这种影响的机理进行分析,所得到的一些实验结果,对压敏陶瓷制备过程中添加剂及工艺参数的控制会有重要的指导作用.1 材料与方法实验试样除主成分ZnO外,Bi_2O_3,Sb_2O_3,BaCO_3添加剂(各自在0.2～1.5 mol%范围内调整)作为基本成分加入,另外还有其他改性添加剂,原材料均为化学试剂纯度,制备三组试样(表1),A组试样不含SiO_2和Cr_2O_3,B,C组在?
- 林国淙陈志雄傅刚石滨
- 关键词：压敏陶瓷氧化锌晶界相
- BaO对高温压敏电阻器漏电流的影响
- 1996年
- 在ＺｎＯ高温压敏电阻原料中加入不同比例的ＢａＯ，研究其对高温压敏电阻漏电流和高温下长期工作的稳定性的影响．发现ＢａＯ含量较高时，不但可以降低ＺｎＯ压敏电阻常温下的漏电流，而且可以增加其在高温下长期工作的稳定性．
- 石康源石滨付刚陈志雄
- 关键词：压敏电阻器高温漏电流稳定性氧化钡
- ZnO－Bi＿（2）O＿（3）－Sb＿（2）O＿（3）－BaO系陶瓷的晶界相与抗退降性能被引量：5
- 1994年
- 在通常的ＺｎＯ－Ｂｉ＿２Ｏ＿３－Ｓｂ＿２Ｏ＿３系电压敏陶瓷中，加入能构成压敏特性的钡添加剂，发现除已知的Ｂｉ＿２Ｏ＿３和Ｚｎ＿２．３３Ｓｂ＿０．６７Ｏ＿４晶界相以外，还出现新的晶界相，分析表明是固溶有微量其它成分的偏锑酸钡（ＢａＳｂ＿２Ｏ＿６）晶相。同时还发现，ＢａＳｂ＿２Ｏ＿６相是热稳定的，它对改善压敏陶瓷的退降性能起重要作用。通过控制各种添加剂的含量，使晶界相Ｂｉ＿２Ｏ＿３，Ｚｎ＿２．３３Ｓｂ＿０．６７Ｏ＿４和ＢａＳｂ＿２Ｏ＿６之间的数量有适当比例时，压敏陶瓷在长期电负荷作用下和脉冲大电流作用下的抗退降能力都有显著的提高，特别可贵的是反向Ｖ—Ｉ特性的退阵有很大的改善。
- 陈志雄黄卓和何爱琴石滨
- 关键词：陶瓷晶界相伏-安特性
- ZnO电压敏陶瓷中偏锑酸钡相含量与电性能关系的研究被引量：1
- 1995年
- 研究了偏锑酸钡相（ＢａＳｂ２Ｏ６）的含量和ＺｎＯ电压敏陶瓷电学性能和关系。结果表明，在偏锑酸钡相，锌锑尖晶石相和氧化铋相三种晶相的总和中，过少或过多的偏锑酸钡相不能使ＺｎＯ电压敏陶瓷具有优良的综合性能，其较佳的范围在１０％～３５％。
- 石滨傅刚陈志雄
- 关键词：电学性能
- ZnO压敏陶瓷中的本征缺陷被引量：2
- 1996年
- 研究了ZnO-Sb_2O_3-BaO系和ZnO-Bi_2O_3-Sb_2O_3-BaO系压敏陶瓷的介电损耗因子D(tanδ)与频率f的关系。发现不含Bi_2O_3试样在室温附近出现一新的损耗峰,峰值频率在2MHz左右,对应的电子陷阱能级为0.18eV,分析认为是由于本征缺陷Zn_i所致。设想Bi离子对Zn_i的出现有抑制作用,这与随Bi_2O_3添加剂含量增多,压敏陶瓷在长期电负荷下的抗退降性能得到改善的实验事实相一致。
- 傅刚陈志雄石滨
- 关键词：压敏陶瓷氧化锌本征缺陷
