盖峥
- 作品数：12 被引量：16H指数：3
- 供职机构：北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信生物学一般工业技术更多>>
- 室温下弹道金属点接触电导量子化的STM研究
- 1996年
- 盖峥何谊于洪滨杨威生
- 关键词：介观STM
- 用扫描隧道显微镜观察钢中贝氏体组织被引量：1
- 1994年
- 贝氏体组织是金属、合金甚至非金属(例如陶瓷)等材料在一定条件下发生固体相变时产生的一种重要组织结构,贝氏体钢也因此而得其名.几十年来科学家们对贝氏体的组织形态及相变机理多有研究,然而由于其本质的复杂性和受观察手段的限制,目前对于贝氏体的研究无论在理论上或是实验上都还处于不断探索的阶段,还有许多悬而未决的问题.对于贝氏体组织的相变机制存在着两种对立的观点:一种是扩散机制,通常也称为台阶生长机制;另一种是切变机制.
- 严隽珏于洪滨李志钢盖峥杨威生方鸿生王家军杨志刚邓旭蕊
- 关键词：STM贝氏体组织
- STM在纳米科技中的应用几例被引量：3
- 1997年
- 本文简述了我们用超高真空ＳＴＭ在介观物理和纳米科技前沿领域做的一些探索和结果。
- 盖峥于洪滨何谊杨威生
- 关键词：扫描隧道显微镜STM电子显微镜
- 锗硅表面结构和动态过程的STM研究
- 2000年
- 本文综述了我们利用扫描隧道显微镜和低能电子衍射对锗硅表面结构和动态过程进行的系统化和比较性的研究。研究结果除了具有重要的基础意义外 ,对半导体异质外延生长衬底选择以及量子线和量子点自组织生长模板的选择都有指导意义。
- 盖峥杨威生
- 关键词：STM锗硅动态过程半导体
- 稳定In/Si表面的LEED研究
- 2004年
- 利用LEED图形拟合的方法对大量不同取向In Si表面的稳定性和小面化进行了研究 ,新发现了In覆盖度在1 2单层原子以下的三个稳定表面 :Si(2 14 ) In ,Si(317) In和Si(4 36 ) In ,以及In覆盖度在 1单层原子左右的两个稳定表面Si(10 1) In和Si(313) In .此外还确定了In覆盖度在 1单层原子左右的 6个稳定In Si表面的家族领地以及In覆盖度在 1 2单层原子以下的 4个稳定In Si表面的家族领地 .特别值得注意的是Si(10 3) In的家族领地相当大 ,甚至比最稳定的Si(111) 7×
- 李文杰姜金龙盖峥赵汝光杨威生
- 关键词：覆盖度低维结构
- Ⅳ族半导体表面和界面结构与特性
- 1998年
- 为了更全面地了解Ⅳ族半导体表面和界面的结构和性质，以扫描隧道显微镜（ＳＴＭ）为主要手段，辅以ＬＥＥＤ和ＡＥＳ等常规手段，对它们作了系统的研究。本文是对最近许多结果的综述，首先介绍几个重要的Ｇｅ高指数表面的结构，然后对发生在Ｇｅ（１１１）和（１１３）表面和亚表面的原子的扩散和迁移运动作了介绍，最后阐述决定Ⅲ族金属／Ⅳ族半导体界面的结构的３个共同要素。
- 盖峥赵汝光季航杨威生
- 关键词：STM半导体表面
- 甘氨酸在Cu(001)表面的吸附结构被引量：7
- 1999年
- 结合低能电子衍射（ＬＥＥＤ）及其消失斑点规律和扫描隧道显微镜（ＳＴＭ）手段确定了室温下甘氨酸在Ｃｕ（００１）表面能形成ｃ（２×４）和两种（２×４）吸附结构（（２×４）１和（２×４）２），并推断出在两种（２×４）结构单胞中两甘氨酸分子的羧基相对于衬底的吸附取向一致，而它们的氨基则不同．实验中还观察到ｃ（２×４）与（２×４）２结构能相互转变成窄条相互穿插共存，这说明几种吸附结构能量相近．
- 赵学应盖峥赵汝光杨威生
- 关键词：甘氨酸CU(001)LEEDSTM
- 室温下Ge(111)表面原子的协调运动
- 1996年
- 用扫描隧道显微镜观察了Ge(111)表面的由快速降温至室温而保留下来的中温相.发现除了单个Ge增原子的扩散运动外,主要的运动是发生在畴界上的Ge增原子列的开环和闭环协调运动.从实验上证实了这种最近引起很大实验和理论兴趣的运动方式.通过观察又提出了有待进一步实验和理论研究的问题.
- 盖峥何谊杨威生
- 关键词：室温
- 室温下单个甘氨酸分子在Cu(111)表面的操纵研究被引量：3
- 1998年
- 先用低能电子衍射（ＬＥＥＤ）证明了甘氨酸（ＮＨ２ＣＨ２ＣＯＯＨ）能在室温下在Ｃｕ单晶表面产生比较稳定的吸附，然后用扫描隧道显微镜（ＳＴＭ）进一步研究了其吸附情况，看到单个甘氨酸分子在Ｃｕ（１１１）面上吸附稳定并至少有三种吸附状态．分子操纵研究结果表明，甘氨酸分子是被针尖“推着”移动的，它在Ｃｕ（１１１）面有固定的吸附位，并且移动时其吸附状态可以不变．研究结果表明，甘氨酸适合做室温下小分子的可控操纵研究，并且也说明室温下小分子的可控操纵是可能的．
- 赵学应赵汝光盖峥杨威生
- Ge(112)-(4×1)-In表面重构的原子结构被引量：3
- 2001年
- 用扫描隧道显微镜 (STM)研究了亚单层In原子引起的Ge(112 ) (4× 1) In表面重构 .结合随偏压极性不同而显著不同的STM图象和相应的“原子图象” ,为这个重构提出了一个原子结构模型 ,供进一步研究参考 .其中 ,In原子的吸附位置与它在Si(112 )表面的吸附位置一致 ,但与Al原子和Ga原子在Si(112 )表面的吸附位置不同 .
- 涂修文盖峥
- 关键词：扫描隧道显微镜STM原子结构锗铟
