王嘉星
- 作品数：6 被引量：3H指数：1
- 供职机构：清华大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金北京市自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 个体软件过程的研究及其管理支持工具的实现
- 王嘉星
- 关键词：个体软件过程软件能力成熟度模型小组软件过程净室软件工程
- 薄p型层GaN基p-i-n型紫外探测器的反向漏电特性
- 2011年
- 制备了薄p型层GaN基p-i-n型紫外探测器,并对其反向漏电特性进行了研究。探测器材料采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上外延生长获得,p-GaN的厚度为30nm。基于该材料制作了具有共面电极的探测器器件,并采用SiO2对刻蚀侧壁进行了钝化。测试结果表明,结面积为1.825×10-4cm2的器件在-1V时的反向漏电流面密度为3.0×10-9 A/cm2,优质因子达到3.7×109Ω.cm2。
- 邹翔汪莱裴晓将赵维王嘉星罗毅
- 关键词：GANP-I-N紫外探测器反向漏电
- GaN基蓝光量子阱LED量子效率下降机制的理论分析
- ＜正＞基于GaN基LED的半导体照明光源具有效率高、寿命长等优势。但是,GaN基LED中存在的大注入条件下量子效率下降（EfficiencyDroop）现象是制约它在大功率照明中应用的重要瓶颈之一,也是国内外目前研究的热...
- 王嘉星汪莱郝智彪
- 文献传递
- AlN/蓝宝石模板上生长的GaN研究被引量：3
- 2010年
- 研究了在分子束外延制备的AlN/蓝宝石模板上采用金属有机物化学气相外延生长的非故意掺杂GaN的材料性质.采用X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)和原子力显微镜研究了AlN模板的晶体质量和表面相貌对GaN的影响.结果表明,当AlN的表面粗糙度较小时,尽管AlN模板的位错密度较高((102)面XRDω扫描半高全宽900—1500arcsec),但生长得到的GaN依然具有和在蓝宝石衬底上采用"二步法"生长的GaN可比拟的晶体质量((002)面XRDω扫描半高全宽200—300arcsec,(102)面400—500arcsec)和表面粗糙度(0.1—0.2nm).TEM照片表明GaN中位错密度降低的原因是AlN中的一部分位错在AlN和GaN的界面处被终止而未能延伸至GaN中.这可能是因为Ga原子尺寸较大,具有修复晶格缺陷的作用.而当AlN的表面粗糙度较大时,Ga原子在MOVPE生长过程中的迁移受到影响,得到的GaN晶体质量非常差.此外,采用范德堡法测量的GaN电阻率为105—106Ω·cm,比蓝宝石衬底上生长的GaN高大约6个数量级,这被认为是采用AlN代替GaN低温缓冲层所致.
- 汪莱王磊任凡赵维王嘉星胡健楠张辰郝智彪罗毅
- 关键词：氮化镓氮化铝
- 表面处理对AlGaN欧姆接触的影响及机理
- 2011年
- 研究了溶液表面处理对AlGaN欧姆接触的影响及机理。用氟硝酸(HNO3+HF)、稀盐酸(HCl)和硫代乙酰胺(CS3CSNH2)溶液处理AlGaN表面后,Ti/Al/Ti/Au电极的比接触电阻率有显著的降低。样品表面Ga3d与O1s的X射线光电子能谱(XPS)测试结果显示:氧元素含量明显降低,表明这三种溶液可以有效地去除AlGaN表面氧化层,其中CS3CSNH2效果最佳;Ga3d峰位在表面处理后发生蓝移现象,相当于AlGaN表面处的费米能级向导带一侧移动,使电子在隧穿过程中的有效势垒高度降低。以上两个因素均对优化AlGaN/GaN欧姆接触有十分重要的意义。
- 王磊王嘉星汪莱郝智彪罗毅
- 关键词：ALGAN/GAN异质结表面处理欧姆接触
- 一种无荧光粉单芯片GaN基发光二极管及其制备方法
- 本发明涉及一种无荧光粉单芯片GaN基发光二极管，包括衬底材料，以及在衬底材料上依次外延生长的缓冲层、n型GaN体材料、有源区、p型AlGaN阻挡层及p型GaN接触层；其中，所述有源区由蓝光量子阱、绿光量子阱或量子点层、以...
- 罗毅王嘉星汪莱郝智彪
- 文献传递
