王丹丹
- 作品数：4 被引量：0H指数：0
- 供职机构：武汉大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家基础科学人才培养基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术更多>>
- ZnO纳米晶界面缺陷的正电子谱学研究
- 高纯ZnO纳米粉经研磨后压成圆片,随后在空气中从100℃到1200℃下进行退火处理。利用X射线衍射研究了ZnO纳米晶的晶体质量和晶粒大小随退火温度的变化,退火使得晶粒尺寸从25nm增长到了165nm,并且当退火温度高于6...
- 王栋陈志权王丹丹祁宁龚静
- 文献传递
- 界面缺陷对纳米ZrO_2磁性影响的正电子湮没谱学研究
- 近年来,在很多未掺杂的半导体和氧化物薄膜以及纳米颗粒中均发现了室温铁磁性。其磁性随着晶粒尺寸的增大而减弱,直到纳米晶体烧结成块材时消失。该铁磁性被认为是来源于晶粒的尺寸效应或者是表面缺陷。本文以纳米ZrO_2材料为研究对...
- 王丹丹陈志权
- 关键词：室温铁磁性
- 文献传递
- Co掺杂纳米ZnO微结构的正电子湮没研究
- 2011年
- 利用正电子湮没技术研究了10at.%Co掺杂的Co3O4/ZnO纳米复合物中退火对缺陷的影响.利用X射线衍射(XRD)测量了Co3O4/ZnO纳米复合物的结构和晶粒尺寸.随着退火温度升高,Co3O4相逐步消失,ZnO晶粒尺寸也有显著增加.经过1000℃以上退火后,Co3O4相完全消失,并出现了CoO的岩盐结构.正电子湮没寿命测量显示出Co3O4/ZnO纳米复合物中存在大量的Zn空位和空位团.这些空位缺陷可能存在于纳米复合物的界面区域.当退火温度达到700℃后Zn空位开始恢复,空位团也开始收缩.900℃以上退火后,所有空位缺陷基本消失,正电子寿命接近ZnO完整晶格中的体态寿命值.符合多普勒展宽谱测量也显示Co3O4/ZnO纳米复合物经过900℃以上退火后电子动量分布与单晶ZnO基本一致,表明界面缺陷经过退火后得到消除.
- 祁宁王元为王栋王丹丹陈志权
- 关键词：ZNO正电子湮没
- 正电子谱学研究纳米氧化镁中铁磁性与界面缺陷的关系
- 纳米氧化镁样品在6Mpa下压成片状样品,并经过从100℃到1400℃不同温度下退火处理。利用X射线衍射(XRD),正电子湮没等方法对所得样品进行了微结构表征。XRD测试结果表明:不同温度下退火的氧化镁纳米晶样品的晶体质量...
- 王丹丹陈志权曹春岳唐政
- 关键词：氧化镁铁磁性正电子湮没
- 文献传递
