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王丹丹

作品数:3 被引量:7H指数:1
供职机构:河南师范大学更多>>
发文基金:教育部留学回国人员科研启动基金河南省教育厅自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学文化科学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇文化科学

主题

  • 1篇电导
  • 1篇电性能
  • 1篇电性质
  • 1篇压阻
  • 1篇压阻效应
  • 1篇偏置
  • 1篇偏置电压
  • 1篇教育
  • 1篇教育学
  • 1篇教育学发展
  • 1篇介电
  • 1篇介电特性
  • 1篇介电性
  • 1篇介电性能
  • 1篇介电性质
  • 1篇掺杂
  • 1篇磁场

机构

  • 3篇河南师范大学
  • 1篇河南科技学院

作者

  • 3篇王丹丹
  • 2篇宋桂林
  • 2篇常方高
  • 2篇胡棚
  • 1篇杨枫
  • 1篇朱美玲

传媒

  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇汉字文化
  • 1篇复合材料学报

年份

  • 1篇2018
  • 2篇2010
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
教育学发展中的继承与研究创新
2018年
教育学是一门极为重要的基础学科,其对于我国教育事业的开展,已经未来教育走向的把控都具有重要促进作用。教育学的发展离不开传统教育理念、方式的传承,也需要在传统教学模式基础上进行发展与创新,只有让继承与创新真正融入教育学的发展之中,才能够让教育学的发展呈现可喜之势,才能够让教育真正达到育人的目的。
王丹丹
关键词:教育学发展
磁场对Ni/硅橡胶复合材料交流电导率及介电性质的影响
2010年
采用硅橡胶(110型)与金属(镍粉)按质量比为1∶2.7进行配料,应用室温二次固化合成Ni/硅橡胶压敏复合材料样品。室温下测量了样品的压阻效应,比较了外加0.024 T磁场前后样品的介电性质。结果表明,当压强从3.75 kPa到312.5 kPa时,样品直流电阻率下降了8个数量级。与加磁场前相比,0.024 T的磁场使得低频(40~104Hz)交流电导率提高了2.46倍,介电常数提高了20%,介电损耗提高了2倍,这主要是由复合材料中铁磁-绝缘体-铁磁颗粒膜的隧道磁电阻效应以及磁电耦合引起的。撤去磁场后交流电导率、介电常数和介电损耗均不能回到加磁场前的初始值,这与Ni粉的铁磁性有关。Ni/硅橡胶压敏复合材料的压阻、磁电阻效应及磁电耦合等物理性质在磁传感器件、信息储存等领域有潜在的应用价值。
常方高王丹丹胡棚杨枫宋桂林
关键词:压阻效应磁场电导介电性质
Ho掺杂BiFeO3陶瓷的制备及介电性能被引量:7
2010年
采用快速液相烧结法制备Ho掺杂BiFeO3系列陶瓷样品Bi1–xHoxFeO3(x=0,0.05,0.1,摩尔分数),X射线衍射物相分析表明:样品均为三方钙钛矿结构,掺杂微量的Ho3+可以有效消除样品中的Bi2Fe4O9杂相,获得单相Bi0.95Ho0.05FeO3。用HP4294A精密阻抗分析仪测量样品介电特性随频率、温度及偏置电压的变化关系,结果表明:Ho掺杂样品的室温相对介电常数(εr)比未掺杂的显著提高,测量频率为40Hz时,Bi0.9Ho0.1FeO3陶瓷样品的εr提高了1个数量级;观测到样品的介电峰,掺杂后介电峰向低温移动且强度显著增加,表明Ho掺杂在降低样品反铁磁Néel温度的同时增强了磁电耦合效应。讨论样品εr随偏置直流电压的变化关系,掺杂后出现明显的介电回滞现象,Ho掺杂可提高样品的剩余极化强度,改善样品的铁电性质。
常方高胡棚王丹丹宋桂林朱美玲
关键词:掺杂介电特性偏置电压
共1页<1>
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