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王世俊

作品数:7 被引量:3H指数:1
供职机构:河北大学更多>>
发文基金:河北省自然科学基金国家自然科学基金河北省教育厅科研基金更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 1篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 2篇理学

主题

  • 5篇脉冲
  • 5篇激光
  • 4篇脉冲激光
  • 3篇烧蚀
  • 3篇激光烧蚀
  • 2篇有限差分
  • 2篇有限差分法
  • 2篇脉冲波形
  • 2篇脉冲激光烧蚀
  • 2篇差分法
  • 1篇载流子
  • 1篇气流
  • 1篇热传导方程
  • 1篇阻尼
  • 1篇阻尼系数
  • 1篇温度
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米SI
  • 1篇纳米SI晶粒
  • 1篇纳米晶

机构

  • 7篇河北大学

作者

  • 7篇王世俊
  • 6篇王英龙
  • 6篇丁学成
  • 6篇傅广生
  • 5篇邓泽超
  • 5篇褚立志
  • 4篇梁伟华
  • 2篇陈超
  • 1篇赵亚军
  • 1篇陈金忠
  • 1篇杨宝柱
  • 1篇翟小林
  • 1篇罗青山

传媒

  • 2篇人工晶体学报
  • 1篇河北大学学报...
  • 1篇强激光与粒子...
  • 1篇功能材料
  • 1篇2009第八...

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 3篇2010
  • 1篇2009
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
外加氩气流下脉冲激光烧蚀制备纳米硅晶粒成核生长动力学研究被引量:1
2012年
为研究纳米硅晶粒成核生长动力学过程,采用脉冲激光烧蚀(PLA)技术,在室温,50~200 Pa的氩气氛围中,通过引入垂直于烧蚀羽辉轴线的外加气流,在水平放置的衬底上沉积了一系列纳米Si晶薄膜。扫描电子显微镜(SEM)、拉曼(Raman)散射和X射线衍射(XRD)检测结果表明,未引入气流时,衬底上相同位置处晶粒尺寸随气体压强的增大逐渐减小;在距靶1~2 cm范围内引入气流后,尺寸变化规律与未引入气流时相反。通过分析晶粒尺寸及其在衬底上的位置分布特点,结合流体力学模型和热动力学方程,分析得出在激光能量密度一定的条件下,环境气体压强、烧蚀粒子温度和密度共同影响着纳米晶粒的成核生长。
邓泽超王世俊丁学成褚立志梁伟华赵亚军陈金忠傅广生王英龙
关键词:脉冲激光烧蚀
激光参量对脉冲激光烧蚀粒子初始参数的影响被引量:1
2010年
采用有限差分法,并结合相应的边界条件,求解热传导方程,对纳秒脉冲激光烧蚀硅(Si)靶的动力学过程进行了数值模拟,利用热力学参量的跳跃条件,得到离开Knudsen层的烧蚀粒子流速、粒子总数和数密度等初始参数,并给出了烧蚀粒子的最大膨胀速度。同时讨论了激光波长、能量密度、脉宽等参量对烧蚀粒子初始参数的影响。结果表明:短的激光波长、高能量密度、窄的脉宽,可以产生大的初始流速、粒子总数和数密度。
傅广生王世俊丁学成褚立志邓泽超梁伟华陈超王英龙
关键词:热传导方程有限差分法
脉冲波形对靶面温度和烧蚀粒子初始参数的影响
采用热传导方程,结合相应边界条件,对纳秒脉冲激光作用硅靶的烧蚀动力学过程进行了数值模拟,利用热力学参量的跳跃条件,得到离开克努森(KNUDSEN)层的烧蚀粒子初始速度、粒子总数和数密度等初始参数。通过改变脉冲激光功率密度...
王英龙王世俊丁学成傅广生
关键词:脉冲激光有限差分法
文献传递网络资源链接
与靶平行的衬底对PLD制备纳米Si晶粒成核区位置的影响
褚立志邓泽超陈超罗青山王世俊
该项研究通过引入外加电场对带电烧蚀粒子和纳米Si晶粒施加一个竖直向下的电场力,并通过调节电场强度的大小来控制带电晶粒所受电场力的大小,结合烧蚀粒子的动力学过程列出一系列动力学方程组,并通过数值模拟对其求解,进而比较准确的...
关键词:
关键词:纳米晶材料
环境气体种类对烧蚀粒子输运动力学的影响
2010年
为深入理解纳米硅(Si)晶粒的成核机理,实现纳米Si晶粒的均匀可控,采用蒙特-卡罗(MonteCarlo)模拟方法,对脉冲激光烧蚀单晶Si靶沉积纳米Si晶薄膜过程中烧蚀粒子在环境气体中的输运动力学过程进行了模拟,并研究了环境气体种类对烧蚀粒子时空分布的影响.研究结果表明,当环境气体种类确定时,随着时间的推移,烧蚀粒子强度分布的峰值右移;并且在He环境气体中烧蚀粒子的传播距离最大,在Ar环境气体中烧蚀粒子传播距离最小;随着距靶的距离增加,烧蚀粒子的强度减小,在Ne环境气体中传输的烧蚀粒子出现二次强度峰的时间最早,并且强度峰值最大.
丁学成杨宝柱王世俊傅广生王英龙
脉冲激光烧蚀过程中阻尼系数的角度分布
2011年
采用脉冲激光烧蚀(PLA)技术,在半圆环衬底上制备了含有纳米晶粒的硅(Si)晶薄膜。分析了纳米Si晶粒尺寸和阻尼系数随角度和压强的变化关系。使用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和拉曼光谱仪(Raman)对其表面形貌和结构进行了表征。结果表明,在压强一定的情况下,纳米Si晶粒的尺寸和阻尼系数均相对于轴向呈对称分布,并随着偏离轴向角度的增加而减小;同时随着压强增大,晶粒尺寸和阻尼系数在各个角度处的值均增大。
王英龙翟小林丁学成王世俊梁伟华邓泽超褚立志傅广生
关键词:纳米SI晶粒脉冲激光烧蚀阻尼系数
激光脉冲波形对烧蚀Si靶表面温度的影响被引量:1
2010年
利用双温方程对激光烧蚀Si靶的过程进行了数值模拟,并结合合适的初始条件和边界条件,研究了在飞秒、皮秒激光作用下,脉冲波形(矩形、梯形、三角形和高斯形)对Si靶表面载流子和晶格温度分布的影响。结果表明:激光功率密度是影响载流子温升的主要因素,矩形脉冲激光烧蚀Si靶表面载流子的峰值温度最高,而高斯分布的脉冲引起靶面载流子峰值温度最低。可见,激光脉冲波形对Si靶表面载流子的温度分布具有重要影响。所得结果可为制备高质量的薄膜提供理论依据。
王世俊王英龙丁学成梁伟华邓泽超褚立志傅广生
关键词:激光烧蚀脉冲波形载流子
共1页<1>
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