熊聪
- 作品数：82 被引量：95H指数：6
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程青年人才领域前沿项目北京市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 一种半导体激光器的外延生长方法
- 本发明提供了一种半导体激光器的外延生长方法，包括：制备外延片，其中，外延片按照预设方向至少包括下波导层、量子阱有源区、上波导层、上限制层和欧姆接触层；依次对上限制层和欧姆接触层进行部分刻蚀，露出上波导层的上表面；在露出上...
- 马骁宇张薇刘素平熊聪林楠仲莉
- Zn掺杂n型笼合物Ba_8Ga_(16-2x)Zn_xGe_(30+x)的热电传输特性被引量：6
- 2008年
- 用高温熔融结合放电等离子烧结法制备了Zn掺杂单相n型Ba8Ga16-2xZnx Ge30+x笼合物,探索了Zn对Ga的取代对其热电传输特性的影响规律.研究结果表明,n型Ba8Ga16-2xZnxGe30+x化合物的电导率随着x的增加逐渐增大,Seebeck系数随着x的增加而逐渐减小.当Zn完全取代Ga时,Ba8Zn8Ge38化合物的电导率反而急剧下降,Seebeck系数显著增大.Ba8Ga16-2xZnxGe30+x化合物的载流子迁移率随着温度的升高而降低,当Zn掺杂后,化合物的载流子迁移率有一定的增加,随着x的增加而逐渐增大.Ba8Ga16-2xZnxGe30+x化合物的热导率和晶格热导率变化规律类似,随着x的增加先减小后增大.在所有n型Ba8Ga16-2xZnxGe30+x笼合物中,Ba8Ga8Zn4Ge34化合物的ZT值最大,在1000K时其最大ZT值达0·85.
- 熊聪邓书康唐新峰祁琼张清杰
- 一种窄脉宽的大功率半导体激光器驱动电路
- 本发明公开了一种窄脉宽的大功率半导体激光器驱动电路，该半导体激光器驱动电路包括脉冲控制电路、驱动电路、高压端、低压端、TTL信号端和接地端，其中，脉冲控制电路同时连接于驱动电路、低压端、TTL信号端和接地端，驱动电路同时...
- 祁琼熊聪刘素平马骁宇
- 文献传递
- 采用P型衬底的半导体激光器及其制备方法
- 本发明公开了一种采用P型衬底的半导体激光器，包括：P型衬底；在P型衬底上依次外延生长有P型缓冲层、P型传输层、P型限制层；在P型限制层上形成有P型波导层；在P型波导层上形成有有源层；在有源层上形成有N型波导层，N型波导层...
- 刘振武仲莉马骁宇刘素平熊聪
- 文献传递
- 波导集成光电探测器及光纤陀螺
- 本公开提供一种波导集成光电探测器及光纤陀螺，涉及光电探测器领域，一种波导集成光电探测器，包括：衬底；波导结构，设于衬底上，波导结构包括级联Y分支波导，级联Y分支波导的末级输出端分别设有弯曲波导，弯曲波导与级联Y分支波导末...
- 郝爽祁琼刘素平熊聪马晓宇
- 光纤放大器种子源模块
- 一种光纤放大器种子源模块，包括：一激光器封装盒，一盒盖，盖合于激光器封装盒的开口处；一光纤输出半导体激光器，沿长度方向的一侧面内有两个电极，用于接入电源；一泵浦耦合系统，为圆柱体，该泵浦耦合系统固定在激光器封装盒端面的孔...
- 朱晶熊聪李全宁刘素平马骁宇
- 纳米晶热电半导体材料的非晶晶化制备方法
- 一种纳米晶热电半导体材料的非晶晶化制备方法，首先采用高频加热方式在1100℃得到均匀的合金熔体，然后采用液相急冷法以10<Sup>5</Sup>～10<Sup>6</Sup>℃/sec的冷却速度将熔体冷却得到薄带状或细丝...
- 唐新峰宋波熊聪刘桃香张清杰
- 文献传递
- 隧道级联多有源区半导体激光器及其制备方法
- 本公开提供一种隧道级联多有源区半导体激光器的制备方法，包括：在衬底上生长缓冲层；在所述缓冲层上生长第一发光区；在所述第一发光区上生长第一反偏的PN结构；在所述的第一反偏的PN结构上生长第二发光区；在所述第二发光区上生长第...
- 熊聪祁琼林楠常津源刘素平马骁宇
- 宽面808nm分立模式半导体激光器结构的制备方法
- 本发明提供一种宽面808nm分立模式半导体激光器的制备方法，包括如下步骤：步骤1：取一镓砷衬底；步骤2：在镓砷衬底上依次制备N型铝镓砷下限制层、下波导层、量子阱层、上波导层、第一P型上限制层、刻蚀截至层、第二P型上限制层...
- 高卓王俊熊聪刘素平马骁宇
- 文献传递
- 多壁碳纳米管对p型Ba_(0.3)FeCo_3Sb_(12)化合物热电性能的影响被引量：7
- 2005年
- 用两步固相反应法合成了p型Ba填充方钴矿化合物Ba0 .3FeCo3Sb1 2 ,并采用放电等离子烧结法 (SPS)制备了Ba0 .3FeCo3Sb1 2 /多壁碳纳米管复合材料 .研究了Ba0 .3FeCo3Sb1 2 /多壁碳纳米管复合材料的结构及多壁碳纳米管对其热电性能的影响规律 :SEM分析表明多壁碳纳米管比较均匀地分布在Ba0 .3FeCo3Sb1 2 基体中 ;随着碳纳米管添加量的增加 ,Ba0 .3FeCo3Sb1 2 多壁碳纳米管复合材料的电导率下降、塞贝克系数略微下降、晶格热导率大幅度降低 ,当碳纳米管含量为 5 %时其晶格热导率最小 ;当碳纳米管的含量为 3%时 ,本研究得到的Ba0 .3FeCo3Sb1 2 碳纳米管复合材料的最大ZT值达 0 . 78.
- 罗派峰唐新峰熊聪张清杰
- 关键词：多壁碳纳米管热电性能塞贝克系数晶格热导率
