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毛焜

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇国内会议论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电路
  • 1篇电路设计
  • 1篇优化设计
  • 1篇击穿电压
  • 1篇集成电路
  • 1篇高压器件
  • 1篇BCD工艺

机构

  • 1篇电子科技大学

作者

  • 1篇乔明
  • 1篇张波
  • 1篇毛焜
  • 1篇张彦昭

传媒

  • 1篇四川省电子学...

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
基于BCD工艺的高压PMOS器件设计
设计了一种基于BCD工艺的高压PMOS器件(LDMOS)，本文通过理论分析和软件仿真，对传统PMOS器件的相关参数，包括漂移区浓度、场板长度等进行优化设计，获得了满足高功率BCD工艺电压电流要求的高压PMOS，并有流片测...
张彦昭乔明毛焜张波
关键词：击穿电压高压器件优化设计集成电路电路设计
文献传递
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