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段中夏

作品数:5 被引量:3H指数:1
供职机构:北京理工大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:化学工程一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇压电
  • 3篇溶胶
  • 3篇溶胶-凝胶
  • 3篇钛酸铅
  • 3篇锆钛酸铅
  • 3篇厚膜
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米晶
  • 2篇纳米晶须
  • 2篇晶须
  • 2篇晶须增强
  • 2篇硅基
  • 2篇PZT
  • 2篇PZT厚膜
  • 2篇ZNO纳米
  • 1篇电性能
  • 1篇悬臂
  • 1篇悬臂梁
  • 1篇旋涂
  • 1篇压电性

机构

  • 5篇北京理工大学
  • 1篇哈尔滨工程大...
  • 1篇黑龙江大学

作者

  • 5篇段中夏
  • 4篇赵全亮
  • 4篇曹茂盛
  • 2篇路冉
  • 2篇袁杰
  • 1篇邱成军
  • 1篇刘红梅
  • 1篇刘红梅

传媒

  • 1篇哈尔滨工业大...
  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 1篇2010
  • 3篇2009
  • 1篇2007
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
用于压电悬臂梁的PZT厚膜的溶胶-凝胶制备及表征被引量:2
2007年
研究了一种用于制备硅基压电悬臂梁的PZT厚膜溶胶-凝胶工艺.该工艺通过采用交替旋涂法,将PZT溶胶与PZT纳米粉混合形成浆料,再和澄清PZT溶胶交替涂覆在Au/Cr/SiO2/Si的硅基悬臂梁结构上,当达到所需的厚度后再进行热处理.实验证明,热处理温度在650℃,处理时间15 min时,XRD结构表征显示PZT厚膜获得钙钛矿相结构,SEM中厚膜断面清晰,表面紧密、均匀、平整.铁电性能测试表明矫顽场为50kV/cm,饱和极化强度为54μC/cm2,剩余极化强度为30μC/cm2.同时,硅基悬臂梁结构采用典型的半导体光刻工艺,利用BHF/HCl溶液成功地刻蚀了PZT厚膜,并运用微机械加工技术刻蚀出硅悬臂梁结构.
刘红梅赵全亮段中夏邱成军曹茂盛
关键词:锆钛酸铅厚膜溶胶-凝胶悬臂梁
基于溶胶-凝胶的两种旋涂方法制备PZT厚膜(英文)被引量:1
2009年
采用溶胶-凝胶法,研究了两种在Au/Cr/SiO2/Si基底上沉积PZT(Pb(Zr0.52Ti0.48)O3)厚膜的方法。把与PZT澄清溶胶成分相同的PZT纳米粉混入澄清PZT溶胶,然后超声混合形成PZT浆料,PZT纳米粉的粒径为50~100nm。XRD分析表明两种方法得到的PZT厚膜都获得了单相钙钛矿结构。SEM结果显示两种厚膜厚度大约4μm,第一种旋涂方法制得的PZT厚膜表面粗糙,第二种旋涂方法制得的厚膜表面致密,无裂纹。在1 kHz的测试频率下,第一种和第二种厚膜的矫顽场分别为30 kV/cm和50 kV/cm,饱和极化分别为45μC/cm2和54μC/cm2,剩余极化分别为25μC/cm2and 30μC/cm2。第二种厚膜有较高的直流耐压性能,在300 kV/cm的电场下,仍然保持较好的铁电性能。因而,第二种旋涂方法能够改善PZT厚膜的表面形貌和铁电性能。
段中夏赵全亮刘红梅曹茂盛
关键词:PZT厚膜溶胶-凝胶旋涂
高取向PZT压电复合厚膜制备与性能研究
段中夏
关键词:溶胶-凝胶压电性能铁电性能介电性能
ZnO纳米晶须增强硅基锆钛酸铅压电复合厚膜的制备方法
本发明涉及一种ZnO纳米晶须增强硅基锆钛酸铅压电复合厚膜的制备方法,属于电子材料领域。本发明的方法是将ZnO纳米晶须加入酒精中配置成一定浓度的ZnO悬浮溶液,然后采用旋涂法将澄清的PZT溶胶和ZnO悬浮溶液交替涂覆在Pt...
曹茂盛段中夏赵全亮袁杰路冉
文献传递
ZnO纳米晶须增强硅基锆钛酸铅压电复合厚膜的制备方法
本发明涉及一种ZnO纳米晶须增强硅基锆钛酸铅压电复合厚膜的制备方法,属于电子材料领域。本发明的方法是将ZnO纳米晶须加入酒精中配置成一定浓度的ZnO悬浮溶液,然后采用旋涂法将澄清的PZT溶胶和ZnO悬浮溶液交替涂覆在Pt...
曹茂盛段中夏赵全亮袁杰路冉
文献传递
共1页<1>
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