林晓玲
- 作品数：61 被引量：38H指数：3
- 供职机构：工业和信息化部电子第五研究所更多>>
- 发文基金：电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室基金模拟集成电路国家重点实验室开放基金广州市科技计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术航空宇航科学技术更多>>
- 芯片分离制样固定装置
- 本发明涉及一种芯片分离制样固定装置，包括底座、第一调节板、第二调节板、第一调节机构和第二调节机构，底座设有第一安装槽，第一调节板位于第一安装槽内，第一调节板的外周与第一安装槽之间存在第一间隙，第一调节板设有与第二调节板配...
- 林晓玲梁朝辉
- 文献传递
- 环境温度对热载流子注入效应的影响
- 热载流子注入效应是超大规模集成电路的主要失效机理之一,许多超大规模集成电路的失效都与热载流子注入效应有关。本文研究高温环境条件下的热载流子注入效应,通过设计的多晶加热板,采用改变电流的方式控制多晶加热板的温度,获得器件的...
- 章晓文恩云飞林晓玲
- 关键词：集成电路环境温度热载流子
- 文献传递
- 互连宽度对铜互连应力可靠性的影响
- 2010年
- 基于Cu的随动强化模型,用二维有限元分析方法,模拟分析了不同互连宽度对Cu互连热应力分布的影响。研究发现,当互连尺寸减小到一定宽度后,静水应力先减小,后略有增加;随线宽的减小,等效塑性应变的最大值逐渐减小,塑性应变最大值的位置由Cu互连上界面处转向Cu互连上界面边角处,而发生等效塑性应变的区域先减小后增加。讨论了在不同Cu互连结构条件下,应力状态和塑性应变对Cu互连可靠性的影响。
- 侯通贤林晓玲姚若河
- 关键词：铜互连热应力可靠性
- 沟道长度对国产28nm pMOSFET NBTI的影响研究
- 2022年
- 负偏置温度不稳定性(NBTI:Negative Bias Temperature Instability)是半导体先进工艺MOSFET器件最普遍、最严重的老化效应之一,严重地影响着集成电路的可靠性。研究了沟道长度对国产28 nm pMOSFET器件MBTI的影响,结果表明:针对单一沟道器件,沟道长度越短,NBTI效应越严重。但是,针对多个器件单元串联组成的长沟道器件,NBTI效应只与每个器件单元的沟道长度有关,与器件单元数量无关。
- 韦拢韦覃如赵鹏李政槺周镇峰林晓玲章晓文章晓文
- 关键词：沟道长度
- SiGe HBT器件的可靠性技术被引量：1
- 2007年
- 介绍了SiGe异质结双极晶体管的特点,对SiGe异质结双极晶体管的物理机理进行了讨论,进而分析了影响其可靠性的各种可能因素,总结了目前SiGe HBT可靠性加速寿命试验方法,并进行了比较。
- 林晓玲孔学东姚若河恩云飞章晓文
- 关键词：SIGE异质结双极晶体管加速寿命试验可靠性
- 一种抗Aβ1-42蛋白聚集的合成多肽及其合成方法、应用与编码该合成多肽的基因
- 本发明公开了一种抗Aβ1‑42蛋白聚集的合成多肽及其合成方法、应用与编码该合成多肽的基因。本发明提供的合成多肽具有抗Aβ1‑42蛋白聚集活性以及缓解认知功能障碍的作用，可有效预防或治疗阿尔茨海默病（AD）及其他神经退行性...
- 任娇艳戴伊繁林晓玲
- 文献传递
- 热敏电阻测量法的研究被引量：10
- 2004年
- 对两种型号的热敏电阻样品进行测量,测试它们的R-T特性,设计了一种简便有效的。0℃时电阻值的测试方法,与小型高低温箱中0℃时测得的电阻值作对比,测量结果具有相当好的符合性。根据0℃和25℃的实验数据计算了热敏电阻材料性质的表征量,测量结果表明:两种型号的热敏电阻值的B值范围大多在10％以内。
- 林晓玲黄美浅章晓文
- 关键词：热敏电阻R-T特性
- 玻璃壳二极管轴向引线抗拉强度试验的方法和装置
- 玻璃壳二极管轴向引线抗拉强度试验的方法和装置，属于电子元件的测试的技术领域，具体是玻璃壳二极管测试方法和设备。用以解决现有技术中对玻璃壳二极管进行抗拉力试验时无法同时满足拉力和温变范围可控的问题。本发明主要内容包括一种对...
- 林晓玲刘玉清肖庆中李萍
- 倒装芯片检测样品的制备方法
- 本发明涉及一种倒装芯片检测样品的制备方法，属于电子元器件检测技术领域。该方法包括以下步骤：前处理：以有机溶剂浸泡待检测倒装芯片封装集成电路，再将该封装外壳撬开，露出倒装芯片背面；固定：用热熔蜡将上述倒装芯片封装集成电路固...
- 林晓玲恩云飞梁朝辉
- 文献传递
- 伪通孔对铜互连应力诱生空洞的影响
- 2010年
- 基于铜的随动强化模型,使用三维有限元方法,分析在窄-宽线铜互连结构中添加伪通孔对互连应力诱生空洞的影响。对宽互连M1分别为无伪通孔、中间添加伪通孔、右侧边沿添加伪通孔和添加双伪通孔结构进行了研究。结果表明,添加伪通孔不但可以降低通孔底部互连M1区域的空洞生长速率,而且使伪通孔正下面的互连M1成为额外的空位收集器,从而有效地提高互连应力诱生空洞性能,双伪通孔可进一步增强应力诱生空洞性能。
- 侯通贤姚若河林晓玲
- 关键词：铜互连
