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杨震宇

作品数：3 被引量：1H指数：1
供职机构：苏州大学电子信息学院微电子系更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇有限元
  • 3篇有限元分析
  • 2篇多晶
  • 2篇多晶硅
  • 2篇多晶硅薄膜
  • 2篇多晶硅薄膜晶...
  • 2篇自加热
  • 2篇自加热效应
  • 2篇温度分布
  • 2篇晶体管
  • 2篇硅薄膜
  • 2篇封装
  • 2篇薄膜晶体
  • 2篇薄膜晶体管
  • 2篇TSOP封装
  • 1篇应力
  • 1篇有限元模拟
  • 1篇塑封
  • 1篇脱模
  • 1篇硅片

机构

  • 3篇苏州大学

作者

  • 3篇杨震宇
  • 2篇王明湘
  • 1篇王槐生
  • 1篇许华平

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2008
  • 2篇2007
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
TSOP封装脱模中硅片碎裂失效的有限元分析(英文)
2007年
针对TSOP封装在塑封工艺中脱模时可能发生的芯片碎裂,利用有限元法模拟封装脱模过程阐明了芯片碎裂失效的机制。研究表明,模具内表面有机物形成的局部沾污可能阻碍芯片的顺利脱模,导致硅片内产生较大的局部应力并碎裂失效。通过模拟在不同的沾污面积、形状和位置下的封装脱模,确认了最可能导致失效的条件。芯片碎裂失效可以通过使用高弹性模量的塑封料或减小硅片尺寸得以改善。
杨震宇王明湘许华平
关键词：有限元分析塑封应力
TSOP失效和多晶硅薄膜晶体管自加热效应的有限元分析和模拟
本文采用有限元的方法模拟了典型TSOP封装产品的塑封脱模过程。针对TSOP封装在塑封工艺中脱模时可能发生的芯片碎裂，采用有限元法模拟封装脱模阐明了芯片碎裂失效的机制。研究表明，模具内表面有机物形成的局部沾污可能阻碍芯片的...
杨震宇
关键词：有限元分析薄膜晶体管温度分布TSOP封装
文献传递
多晶硅薄膜晶体管自加热效应温度分布的有限元模拟被引量：1
2008年
采用有限元方法模拟了n型MILC低温多晶硅薄膜晶体管在直流自加热应力下器件的温度分布.通过对器件沟道温度分布的稳态及瞬态模拟,研究了器件功率密度、衬底材料类型和器件宽长等关键因素的影响.确认了改善器件自加热退化的有效途径,同时有助于揭示多晶硅薄膜晶体管自加热退化的内在机制.
杨震宇王明湘王槐生
关键词：有限元分析温度分布薄膜晶体管
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