杨翰飞
- 作品数：6 被引量：10H指数：2
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- 6H-SiC热氧化层高温漏电及红外光谱表征研究被引量：2
- 2010年
- 对6H-SiC衬底上热氧化生长的SiO2层进行了不同温度退火后的高温漏电流研究。根据SiO2层红外反射特征光谱的变化,研究了SiO2结构变化对高温I-V特性影响的机理。研究认为,可以通过低温高温两步退火工艺改善6H-SiC衬底上热氧化生长SiO2层的质量。
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- 关键词：SIC
- Si基3C-SiC反向外延的选择生长和残余应力研究被引量：2
- 2011年
- 采用一种新的LPCVD方法在Si衬底上通过SiO_2作为掩蔽层,进行3C-SiC的反向外延的选择性生长.TEM,AFM和XRD结果显示3 C-SiC沿(111)面成功实现了较高质量的外延选择生长,其界面清晰,掩蔽良好.生长出的3C-SiC薄膜为织构晶体,单晶性良好.残余应力测试表明3C-SiC薄膜晶格发生压应变,选择性生长区域的残余应力显著降低.据此结果建立了残余应力的形成机制.
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- 关键词：掩蔽层残余应力
- Si基3C-SiC薄膜的LPCVD反向外延研究被引量：2
- 2010年
- 采用低压化学气相淀积(LPCVD)技术,以CH_4和H_2的混合气体作为反应源气体,在n型Si(111)衬底上反向外延生长出高迁移率的自掺杂的n型3C-SiC薄膜.在此反应过程中,H_2作为稀释与运载气体,CH_4提供C源,而Si源由Si衬底提供.通过X射线衍射分析仪(XRD)与场发射扫描电镜(FESEM)分别研究生长出的3C-SiC薄膜的晶格结构和表面形貌.其在室温下的霍尔迁移率的值为1.22×10~3cm^2/(V·s),高于其它相关文献报道的霍尔迁移率.实验结果表明,此生长方法可以生长出表面较为平整,并具备高迁移率的3C-SiC薄膜.
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- 关键词：表面碳化
- LPCVD Si基转换生长3C-SiC薄膜的光学性质初探
- 在理论上,纯度较高、未经掺杂的间接带隙的3C-SiC半导体材料,在室温条件下是很难观察到荧光现象,但Si基上生长3C-SiC晶体薄膜一般需要较高的生长温度,在SiC-Si界面晶格失配和热膨胀系数的差异会形成大量的结构缺陷...
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- LPCVDSi基转换生长3C-SiC薄膜的光学性质初探被引量：1
- 2009年
- 本文采用LPCVD技术在高温条件下,利用甲烷和氢气混合气体作为碳源,在n-Si(111)衬底上制备3C-SiC薄膜。通过XRD、XPS、SEM、FT-IR和PL研究发现:温度对3C-SiC薄膜的形貌和晶体质量有较大的影响,并且生长温度对3C-SiC薄膜的780 cm-1左右的FT-IR反射峰强度影响非常大;在室温测试条件下,3C-SiC薄膜有较强的蓝光波段的荧光峰。
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- 关键词：光学性质晶格失配热膨胀系数
