您的位置: 专家智库 > >

杨维明

作品数:77 被引量:178H指数:6
供职机构:湖北大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金北京市自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术文化科学电气工程更多>>

文献类型

  • 73篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 54篇电子电信
  • 12篇自动化与计算...
  • 4篇文化科学
  • 3篇电气工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇理学

主题

  • 13篇滤波器
  • 8篇异质结
  • 8篇微带
  • 7篇低通
  • 7篇低通滤波器
  • 7篇晶体管
  • 6篇电路
  • 6篇放大器
  • 6篇SI/SIG...
  • 6篇SIGE_H...
  • 5篇锁相
  • 5篇锁相环
  • 5篇滤波器设计
  • 4篇低通滤波
  • 4篇信号
  • 4篇异质结双极晶...
  • 4篇锗硅
  • 4篇双极晶体管
  • 4篇阻带
  • 4篇微带低通滤波...

机构

  • 58篇湖北大学
  • 23篇北京工业大学
  • 2篇中国华大集成...
  • 1篇华中科技大学
  • 1篇武汉职业技术...
  • 1篇武汉大学
  • 1篇武汉第二船舶...

作者

  • 76篇杨维明
  • 21篇陈建新
  • 12篇史辰
  • 9篇周民
  • 7篇潘永才
  • 6篇彭菊红
  • 6篇李紫怡
  • 5篇吴恙
  • 5篇刘素娟
  • 4篇蒋师
  • 4篇朱星宇
  • 4篇谢绰
  • 3篇徐晨
  • 3篇邹静
  • 3篇高铭洁
  • 3篇张伟
  • 3篇李振国
  • 3篇刘雪
  • 3篇宗爱华
  • 3篇谢万波

传媒

  • 11篇湖北大学学报...
  • 6篇固体电子学研...
  • 6篇信息通信
  • 5篇半导体技术
  • 5篇电子器件
  • 3篇北京工业大学...
  • 3篇电气电子教学...
  • 3篇微电子学
  • 3篇中国集成电路
  • 3篇工业和信息化...
  • 2篇电子学报
  • 2篇电波科学学报
  • 2篇电子元件与材...
  • 2篇现代电子技术
  • 1篇量子电子学报
  • 1篇Journa...
  • 1篇电子世界
  • 1篇华中科技大学...
  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇电源技术

年份

  • 1篇2023
  • 3篇2017
  • 2篇2016
  • 7篇2015
  • 8篇2014
  • 6篇2013
  • 8篇2012
  • 3篇2011
  • 6篇2010
  • 2篇2009
  • 2篇2007
  • 5篇2006
  • 10篇2005
  • 3篇2004
  • 4篇2002
  • 4篇2001
  • 1篇1999
  • 1篇1998
77 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
AD9005及其应用
2002年
本文介绍了模数转换器芯片AD9005的主要特性,对应用该芯片时应注意的问题进行了详细论述,最后给出了该芯片的应用实例。
杨维明王子旭黄秋安
关键词:模数转换器采样信噪比
CMOS数字锁相环中的自校准技术
2005年
提出了一种数字锁相环(DPLL).该电路采用自校准技术,具有快速锁定、低抖动、锁定频率范围宽等优点.设计的锁相环在1.8 V外加电源电压时,工作在60~600 MHz宽的频率范围内.电路采用5层金属布线的0.18 μm CMOS工艺制作.测试结果显示,电路的峰-峰抖动小于输出信号周期(Tout)的0.5%,锁相环锁定时间小于参考时钟预分频后信号周期(Tpre)的150倍.
刘素娟杨维明陈建新
关键词:CMOS数字锁相环自校准压控振荡器
基于网络编码的无线物联网多中继协作切换机制被引量:5
2012年
本文针对网状结构的无线物联网中的多跳切换场景,提出了一种基于网络编码的多中继协作切换机制MRH.MRH机制中采用了基于势能场的路由探测算法,通过中继协作的方式,将移动终端同时注册到多个漫游域上.配合网络编码,MRH机制使移动终端建立了到多个无线物联网接入点之间的灵活、可靠的切换连接,实现了在多个无线物联网间的平滑切换.
黄辰张伟李可维杨维明黄本雄戴彬
关键词:网络编码物联网切换
用离子注入和掩埋金属自对准技术改善Si/SiGe HBT性能
2005年
在器件纵向结构确定后,常规工艺制作的SiGe/SiHBT噪声性能不理想的主要原因是其基极电阻较大,高频性能不理想主要是由于其基极和发射极台面面积较大造成的;为达到改善其高频与低噪声性能的目的,在不改变光刻工艺精度的情况下,采用离子注入和掩埋金属自对准工艺方法完成了器件制作;与传统制作方法相比,前者可减小外基区电阻,后者可以减小电极接触电阻,并能使器件的台面面积做得更小。在此基础上,我们测试了器件的最小噪声系数与最高截止频率,结果表明:用自对准工艺制作的器件的高频噪声与频率性能都显著改善。
杨维明史辰徐晨陈建新
关键词:离子注入HBT噪声系数
基于分形缺陷地结构的锐截止宽阻带低通滤波器被引量:4
2017年
为解决传统的微带低通滤波器的宽阻带、窄过渡带和小型化性能不能兼顾的矛盾,本文设计出一种基于Hilbert分形DGS的微带低通滤波器。Hilbert分形DGS单元和半圆型并联枝节谐振单元级联构成该低通滤波器,Hilbert分形DGS单元可减小结构尺寸和通带内的反射损耗,并联谐振单元可有效抑制高次谐波分量。此外,针对DGS单元对微带线特性阻抗的影响,采用渐变微带线进行阻抗补偿,使滤波器的通带与阻带性能获得明显改善。测试结果显示滤波器通带范围为0~5.2GHz时,通带插入损耗0.3dB,阻带范围5.8~20.0GHz以上,面积为23.6mm×9.5mm。
张丹王晓平杨武韬杨维明
关键词:宽阻带微带低通滤波器
基于CORDIC算法的线性调频信号产生被引量:6
2013年
为了克服基于传统查表法实现DDS方法占用存储单元多、运算速度和精度较低等缺陷,重点研究并实现了基于CORDIC算法的线性调频信号产生方法。采用Verilog硬件描述语言设计实现了基于CORDIC算法的流水线式直接数字合成器(DDS),结合线性调频信号的相位调制函数,实现了线性调频信号的硬件产生。ModelSim上RTL仿真结果验证了该方法的正确性。
朱双兵杨维明吴恙胡晶
关键词:线性调频坐标旋转数字计算机VERILOGMODELSIMRTL
基于SOS/SOI绝缘衬底的Si/SiGe HBT设计
2004年
 着重讨论了衬底阻抗对HBT器件频率性能的劣化机制。基于双口网络理论,定量分析了fT和fm与衬底电阻率的关系;采用SOS/SOI绝缘衬底和自行设计的岛型隔离方法,抑制了绝大多数容性寄生参数;同时,围绕绝缘衬底进行Si/SiGeHBT的横向/纵向结构设计,开发出发射极自对准工艺方法,用于降低接触电阻和一定特征尺寸下的结面积,提高了HBT的频率性能。
史辰陈建新杨维明
关键词:异质结双极晶体管HBT
一种带曲率补偿的高精度带隙电压基准源被引量:1
2012年
本文提出了一种带运放失调电压补偿结构和分压式二阶曲率补偿结构的低温度系数带隙基准电路。设计目标为对便携设备提供0.8V的电压。基于华虹CZ6H工艺在CADENCE软件TT模型下仿真,仿真结果表明,带隙基准电压源在-40℃-120℃温度范围内温度系数仅为1.77×10-6/℃,电源抑制比(PRSS)在低频下为86.9dB。在3V-6V的电源电压工作范围内,输出电压摆幅为0.171mV。
蒋师杨维明周一川邹静
关键词:低温度系数
最大均匀区域滤波器在SAR图象处理中的应用被引量:1
2002年
介绍了最大均匀区域滤波器的基本原理 ,为获得预期的滤波效果 ,在实现过程中 ,采用模板匹配的方法进行阶跃边缘的检测 ,使窗口移动的方向更易确定 ;用聚类分析与统计特征参数相结合的方法 ,建立不同灰度区域的判别门限 ,使门限值更加准确 ;通过重新估计噪声的相对标准差 ,对局部滤波算法进行了改进。实验结果表明 ,这些方法和措施是有效的。
杨维明
关键词:图象处理SAR
基于恒定开关频率DC-DC变换器的大功率LED驱动芯片被引量:1
2015年
完成了一种降压型恒流LED驱动芯片的设计。采用迟滞控制模式以提高芯片工作时的瞬态响应速度;采用电阻分压式二阶曲率补偿方法设计出低温度系数和高电源抑制比的带隙基准电路;对导通时间与关断时间电路进行设计改进,使导通时间与关断时间均与输入电压有关,且相互抵消,从而使开关频率仅由负载和外接电阻决定,保证了开关频率的稳定,且可按需求选择。采用ASMC 0.5μm BCD 60V工艺,完成芯片的设计,流片测试结果表明:芯片可在10-40V的工作电压范围内提供350mA的恒定驱动电流,纹波为70mA;在输出电流为350mA、驱动3个LED时的输出效率高达90%,且在相同负载条件下,输出电流变化时,输出效率基本不变。
徐瑶杨维明鲍钰文
关键词:恒流开关频率大功率
共8页<12345678>
聚类工具0