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杨东旭

作品数:2 被引量:2H指数:1
供职机构:清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:自动化与计算机技术电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 1篇电感
  • 1篇氧化物半导体
  • 1篇全集成
  • 1篇自热效应
  • 1篇解析模型
  • 1篇金属氧化物半...
  • 1篇互补金属氧化...
  • 1篇功率放大
  • 1篇功率放大器
  • 1篇放大器
  • 1篇半导体
  • 1篇BSIM3V...
  • 1篇CMOS
  • 1篇DOHERT...
  • 1篇LDMOS

机构

  • 2篇清华大学

作者

  • 2篇余志平
  • 2篇杨东旭
  • 1篇唐杨
  • 1篇张雷
  • 1篇王洪瑞
  • 1篇曾大杰
  • 1篇高雯
  • 1篇张莉

传媒

  • 1篇微波学报
  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2009
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
2.4GHz全集成CMOS Doherty功率放大器被引量:1
2011年
采用0.18μm CMOS工艺设计并制作了一个2.4 GHz全集成CMOS Doherty功率放大器。着重考虑了片上螺旋电感的回流路径对电感模型的影响,并在设计中使用了一种新颖的螺旋电感版图结构来避免回流路径的影响。实测结果表明该功率放大器增益达到16dB,1dB压缩点为20.5dBm,峰值输出功率和对应功率附加效率分别为21.2dBm和20.4%,整个芯片面积为2.8mm×1.7mm。
杨东旭王洪瑞唐杨曾大杰张雷张莉余志平
关键词:电感DOHERTY功率放大器全集成
一个带自热效应的新型LDMOS解析模型被引量:1
2009年
介绍了一个带自热效应的新型LDMOS解析式模型。通过研究以阈值电压为基础的BSIM3v3模型,增加了对漂移区影响的考虑,同时,加入自热效应影响,且不用引入单独的自热网络,有效地提高了计算效率。模型中引入有物理背景的新参数来描述LDMOS特有的准饱和效应和自热效应。在计算实验中,模拟数据很好地吻合实际器件的测量数据,证明该模型适用于LD-MOS功率器件在电路中的仿真。
高雯杨东旭余志平
关键词:LDMOS自热效应BSIM3V3解析模型
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