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文献类型

  • 2篇中文专利

主题

  • 2篇探测器
  • 2篇铟镓砷
  • 2篇刻蚀
  • 2篇刻蚀深度
  • 2篇键合
  • 2篇键合工艺
  • 2篇光电
  • 2篇光电探测
  • 2篇光电探测器
  • 2篇光栅
  • 2篇光栅周期
  • 2篇硅基
  • 2篇PIN光电探...

机构

  • 2篇中国科学院

作者

  • 2篇武爱民
  • 2篇杜骏杰
  • 2篇王曦
  • 2篇甘甫烷
  • 2篇邹世昌
  • 2篇陈静
  • 2篇仇超
  • 2篇盛振

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2012
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
基于异质集成和垂直光耦合的硅基InGaAs PIN光电探测器
本发明公开了一种基于异质集成和垂直光耦合的硅基InGaAsPIN光电探测器,包括:SOI衬底;制作于SOI衬底顶层硅中的垂直耦合光栅;覆盖于垂直耦合光栅上的BCB键合层;位于BCB键合层之上的抗反射层;位于抗反射层之上的...
盛振仇超甘甫烷武爱民杜骏杰陈静王曦邹世昌
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基于异质集成和垂直光耦合的硅基InGaAs PIN光电探测器
本发明公开了一种基于异质集成和垂直光耦合的硅基InGaAsPIN光电探测器,包括:SOI衬底;制作于SOI衬底顶层硅中的垂直耦合光栅;覆盖于垂直耦合光栅上的BCB键合层;位于BCB键合层之上的抗反射层;位于抗反射层之上的...
盛振仇超甘甫烷武爱民杜骏杰陈静王曦邹世昌
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共1页<1>
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