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大功率超高速半导体开关RSD新结构及特性: 新近开发出了用于大功率脉冲电源技术的新型超高速开关RSD,本文介绍了该器件的结构、开通机制、特性及测试实验结果。设计电流10KA、50KA,开通时间数十纳秒、断态重复峰值电压20KV的RSD堆已在实验室制出并在湖北襄樊仪...; 余岳辉李焕炀彭昭廉杜如峰颜家圣; 关键词：大功率脉冲开通 RSD; 文献传递

RSD开关在脉冲电源中的应用研究被引量：32: 2003年; 该文提出应用RSD(Reversely Switched Dynistor)设计脉冲功率电源的方法,并在应用RSD设计脉冲电源过程中对两种关键元件磁开关和脉冲变压器进行了重点设计,确定回路参数配合原则。在3种典型触发方式的RSD脉冲电源基础上,提出了RSD端电压翻转式触发电路,以提高RSD的触发效率,采用了阻尼衰减模型的设计方法消除主回路放电过程中出现的振荡。对该电源放电脉冲压缩形成回路模型进行了设计分析,并对其和共触发电路进行了设计仿真。对所提出的触发RSD方式的脉冲电源设计方法进行了试验验证分析和仿真验证分析,证明了设计方法的正确性。; 李焕炀余岳辉胡乾彭昭廉杜如峰黄秋芝; 关键词：脉冲电源 RSD开关磁开关磁性元件脉冲变压器

应用于脉冲功率技术的固体开关综述: ＜正＞ 1 前言随着脉冲功率技术的进步,对在数千万分之一秒的短时间里产生巨大高电压、大电流脉冲的装置的研究十分活跃,并显示出有很大的应用需求和重要的应用前景。特别在能源、环保、电子、新材料以及现代军事装备中,MW以上的高...; 余岳辉杜如峰; 文献传递

高速大功率半导体开关RSD的开通特性研究: RSD/(Reversely Switched Dynistor/)器件是一种高速、超大功率半导体开关,具有阻断电压高、通流能力强、高dI//dt、使用寿命长和重复率较高的特点,是现代脉冲功率系统中开关器件的理想选择之一...; 杜如峰; 关键词：脉冲功率技术半导体开关 RSD; 文献传递

基于RSD的可重复脉冲电源: 2003年; 提出了一种运用谐振原理的可重复RSD脉冲电源。分析电路的工作特性并对其重要元件磁开关进行了重点设计。给出了实验结果,并提出了几种改进电路参数的方法。; 胡乾余岳辉李焕炀杜如峰彭昭廉; 关键词：RSD 脉冲电源磁开关谐振

大功率脉冲电源用超高速半导体开关RSD: 新近开发出了用于大功率脉冲电源技术的新型超高速开关RSD,本文介绍了该器件的结构、开通机理、特性及测试实验结果.设计电流20KA、60KA、300KA,开通时间数十纳秒、断态重复峰值电压20~30KV的RSD堆已在实验室...; 余岳辉胡乾杜如峰彭昭廉; 关键词：脉冲电源半导体开关; 文献传递

预充电荷对RSD开通特性的影响被引量：12: 2003年; RSD(ReverselySwitchedDynistors)是一种晶闸管与晶体管相间排列的多元胞结构半导体开关器件,采用控制等离子体层触发的开通模式。从理论上分析了预充电荷对RSD开通特性的影响,给出了RSD的开通条件,实验结果与理论分析相符。最后,提出了几种改善RSD开通特性的方法。; 杜如峰余岳辉胡乾彭昭廉; 关键词：半导体器件预充电荷开通特性

运用谐振触发方式的RSD脉冲电源: 本文提出了一种运用谐振原理的可重复RSD脉冲电源.分析电路的工作特性并对其重要元件磁开关进行了重点设计,给出了实验结果,最后提出了几种改进电路参数的方法.; 胡乾余岳辉彭昭廉李焕炀杜如峰; 关键词：RSD 脉冲电源磁开关; 文献传递

基于RSD开关的脉冲放电主回路被引量：7: 2005年; 运用RLC 电路脉冲产生原理设计出一种以反向导通双晶复合晶体管(Reversely Switching Dynistor,简称RSD)作为开关的脉冲放电主回路。基于RSD 开通的预充要求,引入磁开关作为主回路和触发回路的延迟隔离器。根据磁开关饱和时间τ和饱和电感Ls的综合要求,讨论了磁开关磁性材料的选取,重点设计了体积参数,分析了 s杂散电容、电感对放电回路的不利影响,分别给出两者的估算方法及减小措施。试验连线长60cm ,磁开关采用环形结构,磁芯材料为铁基非晶合金磁芯,其内径为60m m ,外径为120m m ,高为30m m 。经过多次放电试验,得到下述结果:①改善回路杂散电容及电感后,放电电流波形明显光滑;②磁开关绕线匝数决定了隔离时间并改变了回路总电感;③不同负载电阻的放电波形符合RLC 放电规律。试验结果验证了电路参数设计的合理性。该放电回路适合RSD 的测试及其脉冲功率电源。; 李谋涛余岳辉胡乾杜如峰; 关键词：电力半导体器件

半导体脉冲功率开关RSD的开通电压特性研究被引量：6: 2004年; 　RSD(ReverselySwitchedDynistor)是一种晶闸管与晶体管相间排列的多元胞结构高速大功率半导体开关器件,该器件采用控制等离子体层触发的开通模式。文章从理论上推导出其最大开通电压,并研究了该电压与器件结构参数之间的关系,给出了降低器件功耗的方法。; 杜如峰余岳辉彭昭廉李焕炀胡乾; 关键词：RSD 晶闸管晶体管

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杜如峰