李锋
- 作品数：18 被引量：5H指数：1
- 供职机构：中国科学院新疆理化技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程重要方向项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- GaInAs/AlInAs多量子阱结构光学性质的研究
- 1991年
- 我们研究了与InP衬底晶格匹配的GaInAs/AlInAs三元材料多量子阱异质结构的光学性质,测量了不同阱宽量子阱在低温下的吸收光谱、光致发光及其激发光谱,以及吸收光谱随温度的变化.所测样品的光致发光峰主要取决于与缺陷态有关的跃迁过程,但吸收光谱中直到室温仍观察到重轻空穴的本征激子峰.吸收光谱线形明显地反映了多量子阱中电子态的二维特性.对不同量子阱中各子带间跃迁能量因温度上升而产生的红移进行了测定和分析.用Kronig-Penney模型对子带能量所作的计算表明,为了与测量到的跃迁能量获得满意的拟合,必须在计算中计入导带和价带的非抛物线性效应.我们结合光学性质和X光双晶衍射测量,对层厚、应变和组份均匀性等样品结构参量进行了分析.
- 江德生李锋张永航K.Ploog
- 关键词：GAINAS光致发光
- 高介电栅介质ZrO_2薄膜的物理电学性能被引量：2
- 2009年
- 采用脉冲激光沉积方法在Si衬底上沉积了ZrO2栅介质薄膜,X射线衍射分析表明该薄膜经过450℃退火后低介电界面层得到抑制,仍然保持非晶状态;电学测试显示10 nm厚ZrO2薄膜的等效厚度为3.15 nm,介电常数12.38,满足新型高介电栅介质的要求,在-1 V偏压下Al/ZrO2/Si/Al电容器的漏电流密度为1.1×10-4A/cm2.
- 武德起姚金城赵红生常爱民李锋周阳
- 关键词：ZRO2薄膜漏电流
- 低漏电高增益InGaAs/InP SAGM雪崩光电二极管
- 1990年
- 根据器件结构的优化设计,严格控制生长参数以及理想的器件制备工艺获得了低漏电高增益InGaAs/InP SAGM雪崩光电二极管。测量了百余支器件,0.9V_b下漏电流I_d<20nA;响应度～(0.7—0.8)mA/mW,最大倍增30—85(入射光波长1.3μm,功率1.6μW),参与倍增的暗电流l_(dm)最小可达0.25nA。
- 王树堂曾靖李锋胡春阳夏彩虹孙捷樊爱香
- 关键词：雪崩二极管INGAAS
- GaAs/GaAlAs超晶格的Wannier-Stark效应
- 1992年
- 我们用光电流谱方法在室温和低温下观察了短周期GaAs(35A)/Ga_(0.7)Al_(0.3)A_3(35A)超晶格的Wannier-Stark效应.在中等电场下,观测到了反映等能量间距的“Stark梯”的谱形.并且发观了激子态由于场致局域化导致的由准三维向准二维转变.我们详细地讨论了跃迁强度随电场的变化,与应用夏建白等提出的计算模型得出的结果十分符合,证明了光电流谱中的结构,即使在较低的 10~4V/cm的电场下是由于 Wannier局域化引起,而不可能是鞍点激子引起的.
- 张耀辉江德生李锋周均铭梅笑冰
- 关键词：超晶格电场
- 大尺寸硼酸钡铋非线性光学晶体及其制备方法
- 本发明涉及一种大尺寸硼酸钡铋非线性光学晶体，该晶体属正交晶系，空间群Pna2<Sub>1</Sub>，分子式为BaBiBO<Sub>4</Sub>。该晶体是由硼酸钡铋与助熔剂Bi<Sub>2</Sub>O<Sub>3</...
- 潘世烈李锋
- 文献传递
- In_xGa_(1-x)As/GaAs应变量子阱光学性质
- 1994年
- 研究了用分子束外延方法生长在GaAs(100)衬底上的In_xGa_(1-x)As/GaAs(x=0.1)应变多量子阱样品,观察了其光荧光谱和光调制反射谱的光谱结构,讨论了有关基态光跃迁和激发态光跃迁性质.根据实验结果给出了能带偏移比值为Q_c=0.69(Q_v=1-Q_c=0.31),并提出有关轻空穴束缚于GaAs层而形成Ⅱ类超晶格的重要佐证.
- 李锋张耀辉江德生王佑祥
- 关键词：应变量子阱砷化镓光谱
- 大尺寸硼酸钡铋非线性光学晶体及其制备方法
- 本发明涉及一种大尺寸硼酸钡铋非线性光学晶体，该晶体属正交晶系，空间群Pna2<Sub>1</Sub>，分子式为BaBiBO<Sub>4</Sub>。该晶体是由硼酸钡铋与助熔剂Bi<Sub>2</Sub>O<Sub>3</...
- 潘世烈李锋
- 文献传递
- 大尺寸非线性光学晶体硼酸铅溴的制备方法
- 本发明涉及一种具有高倍频效应大尺寸硼酸铅溴非线性光学晶体及其制备方法和用途。该晶体分子式为：Pb<Sub>2</Sub>B<Sub>5</Sub>O<Sub>9</Sub>Br，属于正交晶系，分子量为691.50；采用将...
- 潘世烈王永疆李锋范晓云罗兴程
- 文献传递
- 大尺寸非线性光学晶体硼酸铅溴及其制备方法和用途
- 本发明涉及一种具有高倍频效应大尺寸硼酸铅溴非线性光学晶体及其制备方法和用途。该晶体分子式为：Pb<Sub>2</Sub>B<Sub>5</Sub>O<Sub>9</Sub>Br，属于正交晶系，分子量为691.50；采用将...
- 潘世烈王永疆李锋范晓云罗兴程
- 文献传递
- 超晶格的瓦尼尔－斯塔克效应
- 1994年
- 超晶格的瓦尼尔－斯塔克效应张耀辉，李锋，刘伟，江德生（半导体超晶格国家重点实验室，中国科学院半导体研究所，北京１０００８３）一、历史的回顾著名物理学家布洛赫早在固体能带论创立之初，就研究了能带电子在电场作用下的行为。按照能带电子运动的半经典描述，电子...
- 张耀辉李锋刘伟江德生
- 关键词：超晶格斯塔克效应
