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李红娟

作品数：86 被引量：42H指数：4
供职机构：重庆邮电大学更多>>
发文基金：重庆市自然科学基金重庆市教育委员会科学技术研究项目模拟集成电路重点实验室基金更多>>
相关领域：电子电信文化科学自动化与计算机技术生物学更多>>

合作作者

文献类型

  • 63篇专利
  • 14篇期刊文章

领域

  • 34篇电子电信
  • 3篇自动化与计算...
  • 3篇文化科学
  • 1篇生物学

主题

  • 51篇电路
  • 30篇带隙基准
  • 19篇带隙基准电路
  • 19篇电荷泵
  • 19篇基准电路
  • 19篇基准电压
  • 18篇电流
  • 17篇带隙基准电压
  • 16篇电压
  • 13篇温度系数
  • 12篇电荷泵电路
  • 12篇电源
  • 12篇抑制比
  • 12篇偏置
  • 10篇电荷共享
  • 10篇电源抑制
  • 10篇电源抑制比
  • 9篇锁相
  • 9篇锁相环
  • 9篇芯片

机构

  • 77篇重庆邮电大学
  • 3篇四川理工学院
  • 2篇中国电子科技...
  • 1篇重庆西南集成...

作者

  • 77篇周前能
  • 77篇李红娟
  • 14篇林金朝
  • 14篇李国权
  • 13篇庞宇
  • 8篇李章勇
  • 6篇王伟
  • 5篇唐政维
  • 4篇李琪
  • 4篇冉鹏
  • 4篇李云松
  • 3篇胡章芳
  • 3篇徐兰
  • 2篇刘磊
  • 2篇蔡雪梅
  • 2篇闫凯
  • 2篇王黎
  • 2篇吴鹏
  • 1篇段晓忠
  • 1篇张红升

传媒

  • 6篇微电子学
  • 2篇重庆邮电大学...
  • 2篇中文科技期刊...
  • 1篇数字通信
  • 1篇哈尔滨商业大...
  • 1篇数字技术与应...
  • 1篇西部素质教育

年份

  • 4篇2024
  • 14篇2023
  • 13篇2022
  • 8篇2021
  • 11篇2020
  • 7篇2019
  • 4篇2018
  • 4篇2017
  • 3篇2016
  • 3篇2015
  • 2篇2014
  • 4篇2013
共 86 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种分段补偿的带隙基准电压源电路
本发明请求保护一种分段补偿的带隙基准电压源电路，包括启动电路、一阶带隙基准电压源电路及温度分段补偿产生电路。本发明采用两个PNP型三极管发射极‑基极电压之差在电阻R3上产生的电流以及PNP型三极管Q1的发射极‑基极电压V...
周前能王梨力李红娟熊素雅杜永彪
文献传递
一种电流可修调的自适应自偏置电荷泵
本发明请求保护一种电流可修调的自适应自偏置电荷泵，包括可修调自适应偏置电路及电荷泵核心电路等。本发明可修调自适应偏置电路采用NMOS管M3栅极与电荷泵输出端相连接产生自适应电荷泵输出电压的偏置电流，采用输入端SL1、输入...
周前能杨小旭李红娟
文献传递
一种自补偿的电流舵电荷泵电路
本发明请求保护一种自补偿的电流舵电荷泵电路，包括充/放电电流源补偿电路及电荷泵核心电路。充/放电电流源补偿电路采用自补偿技术，当电荷泵输出电压变化时实现电荷泵的充/放电电流自补偿，提高充/放电电流匹配特性；电荷泵核心电路...
周前能谢吉辉李红娟石头
文献传递
一种高PSRR高阶温度补偿的带隙基准电压源被引量：4
2020年
基于SMIC 0.18μm CMOS混合信号工艺,设计了一种高PSRR高阶温度补偿的带隙基准电压源(BGR)。采用温度曲率补偿技术和温度分段补偿技术,使该BGR获得低温漂特性。采用PSRR提升技术,使所设计的BGR获得高PSRR特性。仿真结果显示,当温度从-50℃到125℃变化时,该BGR的温漂系数为1.85×10^-6/℃,在频率为100 Hz、1 kHz、10 kHz时分别获得-88 dB、-83.6 dB、-65.8 dB的PSRR。
周前能李文鸽彭志强关晶晶李红娟唐政维
关键词：带隙基准电压源
一种采用负反馈箝位技术的带隙基准电路
本发明请求保护一种采用负反馈箝位技术的带隙基准电路，属于微电子技术领域。包括带隙基准电流源偏置电路以及带隙基准核心电路等。本发明采用共源共栅结构为带隙基准核心电路提供偏置电流信号来提高带隙基准的电源抑制比，带隙基准核心电...
周前能关晶晶李红娟
文献传递
一种MOS管实现二极管的高阶温度补偿带隙基准电路
本发明请求保护一种MOS管实现二极管的高阶温度补偿带隙基准电路，包括一阶带隙基准电路、高温区域温度曲率补偿电路、低温区域温度分段补偿电路以及启动电路。本发明采用源极、漏极与栅极短接的PMOS管的漏极与衬底分别构成二极管的...
周前能徐海峰李红娟关晶晶程飞鸿郭涛林金朝李国权
文献传递
一种高稳定性的无片外电容的LDO的设计
2014年
本文基于SMIC 0.18m CMOS工艺设计了一种高稳定性的无片外电容的LDO。通过采用无片外电容的结构,去掉了LDO的片外的大电容,便于SOC系统的设计。采用有源反馈-阻尼控制频率补偿技术来保证LDO环路的稳定性。
周前能唐亮李红娟
关键词：无片外电容SOC系统
一种宽锁定范围低电流失配的电荷泵
本发明请求保护一种宽锁定范围低电流失配的电荷泵，包括电荷泵偏置电路及电荷泵核心电路等。本发明电荷泵偏置电路的PMOS管M9采用二极管连接及PMOS管M8栅极与电荷泵输出端相连，在放电状态弥补电荷泵输出电压较低时放电电流较...
周前能石头李红娟
一种用于电源管理芯片的快速电平位移电路
本发明请求保护一种用于电源管理芯片的快速电平位移电路，包括电平位移核心电路及低延时通路检测电路。本发明采用电阻R1使得PMOS管M5‑M6漏极电压能快速从V<Sub>DDH</Sub>降为V<Sub>SSH</Sub>，...
周前能操雷李红娟
用于低压差线性稳压器芯片的高阶温度补偿带隙基准电路
本发明请求保护一种用于低压差线性稳压器芯片的高阶温度补偿带隙基准电路，包括(μ<Sub>n</Sub>)<Sup>‑1</Sup>偏置电流产生电路、(μ<Sub>n</Sub>)<Sup>‑3</Sup>(V<Sub>T...
周前能田鑫李红娟
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