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李焕英

作品数:46 被引量:66H指数:5
供职机构:中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划上海市自然科学基金更多>>
相关领域:理学化学工程文化科学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 25篇期刊文章
  • 11篇专利
  • 8篇会议论文
  • 2篇科技成果

领域

  • 31篇理学
  • 5篇化学工程
  • 4篇文化科学
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 31篇晶体
  • 25篇闪烁晶体
  • 13篇CE
  • 10篇LU
  • 9篇晶体生长
  • 8篇共掺
  • 7篇坩埚下降法
  • 7篇下降法
  • 6篇碘化
  • 6篇碘化钠
  • 6篇提拉法
  • 6篇离子
  • 6篇
  • 6篇掺杂
  • 5篇硅酸
  • 5篇发光
  • 4篇性能研究
  • 3篇单晶
  • 3篇余辉
  • 3篇能量分辨率

机构

  • 46篇中国科学院
  • 3篇中国工程物理...
  • 2篇宁波大学
  • 2篇上海大学
  • 2篇中国科学院大...
  • 1篇上海理工大学
  • 1篇上海应用技术...
  • 1篇西北核技术研...
  • 1篇烟台大学
  • 1篇中国计量学院
  • 1篇中国科学院上...
  • 1篇北京中材人工...
  • 1篇上海应用技术...
  • 1篇国巨电子(中...
  • 1篇中材人工晶体...

作者

  • 46篇李焕英
  • 45篇任国浩
  • 18篇史坚
  • 16篇陆晟
  • 11篇陈晓峰
  • 11篇秦来顺
  • 10篇丁栋舟
  • 9篇潘尚可
  • 5篇冯鹤
  • 5篇张卫东
  • 2篇姚冬敏
  • 2篇徐权
  • 2篇郑普
  • 2篇杨帆
  • 2篇汪超
  • 2篇刘玮
  • 2篇史宏声
  • 2篇王晴晴
  • 1篇谢裕康
  • 1篇王绍华

传媒

  • 10篇无机材料学报
  • 9篇人工晶体学报
  • 2篇硅酸盐学报
  • 2篇中国稀土学报
  • 1篇物理学报
  • 1篇发光学报
  • 1篇上海先进无机...
  • 1篇中国硅酸盐学...

年份

  • 1篇2024
  • 6篇2023
  • 4篇2022
  • 1篇2021
  • 3篇2020
  • 1篇2018
  • 4篇2017
  • 4篇2015
  • 4篇2014
  • 1篇2013
  • 2篇2010
  • 2篇2009
  • 2篇2007
  • 3篇2006
  • 4篇2004
  • 4篇2003
46 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
^(6)LiI:Eu晶体的制备和闪烁性能研究
2023年
^(6)LiI:Eu晶体是一种重要的热中子探测闪烁材料,研究了不同掺杂浓度和取样位置对^(6)LiI:Eu晶体光学和闪烁性能的影响。以^(6)LiI(6Li丰度大约95%)和EuI_(2)为原料,在真空气氛下生长制备出Eu^(2+)离子的初始掺杂浓度分别为0.01%,0.02%,0.03%,0.04%和0.05%(摩尔分数)的^(6)LiI:Eu晶体。通过测试室温下的透射光谱、发光光谱、闪烁衰减时间、伽玛射线和中子激发下的脉冲高度谱,研究了^(6)LiI:Eu晶体性能的影响规律。研究发现Eu^(2+)的掺杂浓度从0.01%~0.04%时,^(6)LiI:Eu晶体在中子激发下的能量分辨率先提高后下降;当掺杂浓度为0.03%时,晶体具有最佳的均匀性和中子响应能力。由于掺杂离子的分凝,同一晶体从籽晶端至尾端存在明显的性能不均匀现象。
李焕英郑普史坚吴云涛任国浩
关键词:闪烁晶体中子探测
LaBr_(3):Ce,Sr闪烁晶体的生长及性能研究
2023年
采用自发成核坩埚下降法生长了直径25 mm的铈、锶共掺溴化镧(LaBr_(3)∶5%Ce,x%Sr,简称LaBr_(3)∶Ce,Sr,其中x=0.1、0.3、0.5,摩尔分数)闪烁晶体,测试对比了晶体的X射线激发发射光谱、透过光谱和脉冲高度谱等。结果表明,不同Sr^(2+)掺杂浓度的LaBr_(3)∶Ce,Sr晶体在X射线激发下的发射光谱波形基本一致,但相比未掺杂Sr^(2+)的样品,发射峰的峰位发生了明显的红移,随着Sr^(2+)掺杂浓度的增大,发射峰红移程度增大。不同Sr^(2+)掺杂浓度的LaBr_(3)∶Ce,Sr晶体在350~800 nm不存在明显的吸收峰,0.3%和0.5%Sr^(2+)掺杂晶体的透过率有所降低。随着Sr^(2+)掺杂浓度的增大,能量分辨率逐步提高,Sr^(2+)掺杂浓度为0.5%时,LaBr_(3)∶Ce,Sr晶体的能量分辨率最高,达2.99%@662 keV。对尺寸φ25 mm×25 mm的LaBr3∶Ce,0.5%Sr晶体进行了防潮封装,所得晶体封装件的能量分辨率为2.93%@662 keV。
王海丽周南浩许婉芬张微张微韩加红李焕英
关键词:闪烁晶体SR坩埚下降法能量分辨率封装
硅酸镥闪烁晶体的生长与缺陷研究被引量:7
2004年
本文采用提拉法生长出了硅酸镥闪烁晶体 ,讨论了晶体生长中遇到的问题 ,所生长的硅酸镥晶体有开裂、解理、多晶、回熔现象等宏观生长缺陷和包裹物、位错等微观缺陷。开裂是由热应力和晶体解理两种因素引起的 ,其中热应力是导致开裂的主要因素 ,优化生长工艺条件可完全避免开裂。晶体中存在两种包裹物 ,成份分别为氧化镥和坩埚材料铱 ,氧化镥很可能是未参加反应的原料 。
秦来顺陆晟李焕英史宏声任国浩
关键词:闪烁晶体包裹物提拉法解理位错硅酸
Φ300mm碘化铯晶体发光非均匀性与生长界面的关系被引量:4
2015年
报道了迄今为止国内首次生长出的最大直径(300 mm)碘化铯CsⅠ(Tl)闪烁晶体,并采用X射线和137Cs所发射的-射线为激发源分别测试了该晶体不同部位的发光强度,分析了这些部位的铊离子浓度,并对发光强度与铊离子浓度及其空间关系进行了讨论,认为该晶体在水平面上的发光不均匀性反映出生长界面具有凸向上的特征,进而提出调节温度场对改善均匀性具有重要作用。
任国浩陈晓峰李焕英吴云涛张卫东樊加荣
关键词:CSI(TL)晶体光输出非均匀性
GdI3:Ce晶体的生长及其闪烁性能研究
2017年
通过坩埚下降法生长GdI_3:2%Ce及无掺杂GdI_3闪烁晶体,得到?15 mm×20 mm的晶体毛坯,从中加工出尺寸分别为12 mm×10 mm×2.5 mm和11 mm×8 mm×2.5 mm的无包裹体、无开裂的晶体样品,封装后检测该晶体光学性能。XRD分析结果表明:掺杂晶体GdI_3:2%Ce与无掺杂GdI_3晶体结构相同。X射线激发发射(XEL)和紫外激发发射谱(PL)测试结果显示:GdI_3:2%Ce晶体在450~700 nm有宽带发光峰,发光峰位分别位于520 nm和550 nm,对应于Ce^(3+)的5d-4f跃迁发光。以550 nm为监控波长,测得在紫外激发下存在三个激发峰,分别位于262、335和440 nm。GdI_3:2%Ce晶体在137Cs源伽马射线(662 keV)激发下能量分辨率为3.4%,通过高斯拟合得到的衰减时间为58±3 ns。研究表明,GdI_3:2%Ce晶体是一种良好的伽马和中子探测材料,具有广泛的应用前景。
叶乐史坚李焕英陈晓峰黄跃峰徐家跃任国浩
关键词:坩埚下降法
硅酸镥闪烁晶体的生长与缺陷研究
90年代初Melcher等首次使用提拉法生长出硅酸镥(LuSiO:Ce)晶体,发现其闪烁性能极其优秀,非常适合用于高性能核医学正电子湮没断层扫描成像技术(PET)探测器材料,引起了闪烁晶体界高度重视,对其闪烁性能和发光机...
秦来顺任国浩史宏声李焕英陆晟
文献传递
新型闪烁晶体Ce掺杂焦硅酸钇(YPS:Ce)的闪烁与热释光性能被引量:4
2010年
通过区熔法获得了铈掺杂焦硅酸钇闪烁单晶(Y_2Si_2O_7:Ce^(3+),简写为YPS),并对其闪烁与热释光性能进行了研究.对YPS:Ce闪烁晶体的透过、光输出和光衰减等光学和闪烁性能进行了表征,并对其综合性能进行了评价.其衰减时间为30.16ns,为目前铈掺杂焦硅酸盐闪烁晶体中最快的.并采用热释光测试技术,对YPS:Ce晶体中的缺陷进行了研究,发现在300~500K温度区间内一共有三个热释光峰,分别对应于三个缺陷,通过对二维(温度-光强)的拟合,确定了这三种缺陷的陷阱深度、振动频率等物理参数.并结合三维(温度-波长-光强)热释光谱,提出了YPS:Ce的热释光模型.
冯鹤丁栋舟李焕英杨帆陆晟潘尚可陈晓峰张卫东任国浩
关键词:热释光
稀土闪烁晶体的研究进展
闪烁体因能够将电离辐射能转化为紫外或可见光而被广泛应用于高能物理、核物理、核医学、工业-CT和安全检测领域。尽管闪烁体的应用领域很广,对晶体的性能要求也不尽相同,但高密度、快衰减和高的发光效率一直是闪烁体探索中所追求的三...
任国浩潘尚可陈晓峰李焕英吴云涛丁栋舟
碘化铯闪烁晶体的生长和余辉问题研究
任国浩李焕英史坚吴云涛
离子补偿法制备锂铊共掺杂碘化钠闪烁晶体的方法
本发明涉及离子补偿法制备锂铊共掺杂碘化钠闪烁晶体的方法。所述锂铊共掺杂碘化钠闪烁晶体的组成通式为(Na<Sub>1‑a‑b‑c</Sub><Sup>6</Sup>Li<Sub>a</Sub>Tl<Sub>b</Sub>M...
吴云涛史坚李焕英任国浩
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