李意
- 作品数：10 被引量：31H指数：4
- 供职机构：华南理工大学更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程轻工技术与工程更多>>
- 一种单级DCM高功率因数非平衡半桥变换器被引量：1
- 2005年
- 对一种由非平衡半桥电路构成的新型单级AC/DC功率因数校正 (PFC)变换器的工作模态及性能进行了理论分析 ,采用SIMetrix数模电路仿真软件进行了数字仿真 ,并在样机上进行了试验 .仿真及试验结果表明 ,该电路工作于不连续导电模式 ,具有很好的功率因数校正性能以及软开关效果 ,因此有很高的功率因数及效率 .
- 尹华杰李意
- 关键词：软开关功率因数校正不连续导电模式
- 几种抑制开关电源传导干扰(EMI)的新方法被引量：1
- 2005年
- 开关电源的电磁干扰对电子设备的性能影响很大。因此,各种标准对电源设备电磁干扰的要求已越来越高。在开关电源产生的两类干扰中,传导干扰由于经电网传播,会对其它电子设备产生严重的干扰。本文着重总结了几种近年来提出的抑制电磁干扰的新方法,并对其原理、应用作了介绍。
- 李意尹华杰林龙凤
- 关键词：开关电源电磁干扰
- 开关电源电磁干扰(EMI)机理及新的抑制方法被引量：2
- 2003年
- 开关电源的电磁干扰对电子设备的性能影响很大,因此,各种标准对抑制电源设备电磁干扰的要求已越来越高。对开关电源中电磁干扰的产生机理做了简要的描述,着重总结了几种近年提出的新的抑制电磁干扰的方法,并对其原理。
- 李意林龙凤尹华杰
- 关键词：开关电源电磁干扰抑制方法无源补偿
- 功率MOSFET雪崩击穿问题分析被引量：5
- 2003年
- 分析了功率 MOSFET 雪崩击穿的原因,以及 MOSFET 故障时能量耗散与器件温升的关系。和传统的双极性晶体管相比,反向偏置时 MOSFET 雪崩击穿过程不存在"热点"的作用,而电气量变化却十分复杂。寄生器件在 MOSFET 的雪崩击穿中起着决定性的作用,寄生晶体管的激活导通是其雪崩击穿的主要原因。在 MOSFET 发生雪崩击穿时,器件内部能量的耗散会使器件温度急剧升高。
- 李意尹华杰牟润芝
- 关键词：双极性晶体管功率MOSFET雪崩击穿寄生晶体管能量耗散
- 一种非平衡式半桥变换器的小信号模型与仿真被引量：4
- 2005年
- 非平衡式半桥变换器利用自身的寄生器件实现了开关管的零电压操作,在不影响电路整体结构,以及不增加成本的前提下达到了很好的输入、输出特性。本文建立了该类变换器的数学模型,并对整体的电路稳定性和几个关键的频率特性进行了研究。
- 林龙凤李意尹华杰
- 关键词：零电压开关
- 单级功率因数校正(PFC)研究的新进展被引量：9
- 2003年
- 传统两级功率因数校正(PFC)电路复杂、器件多、功率密度低,效率不是很理想,且成本高,难以应用到小功率消费类电子设备中而单级式PFC变换器则特别适用于小功率电子设备,但仍存在许多问题针对这些问题,人们提出了很多新的改进拓扑为此,对最近产生的单级PFC拓扑进行了分类总结,分析了他们的优缺点。
- 李意尹华杰
- 关键词：单级功率因数校正功率变换器拓扑结构电子设备PFC电路
- 开关电源电磁干扰抑制的频率控制方法比较被引量：7
- 2004年
- 在开关电源开关器件的开关过程中 ,寄生器件 (如寄生电容、寄生电感等 )中能量的高频变化会产生大量的电磁干扰。除了采用无源缓冲或滤波电路的干扰抑制方法外 ,实际中还常利用控制开关频率的有源方法来抑制干扰。
- 李意尹华杰
- 关键词：开关电源电磁干扰滤波电路
- GHz级的MOSFET射频建模问题被引量：1
- 2003年
- 本文对MOSFET的射频建模问题进行了综述,介绍了适合于GHz射频仿真、能精确预测射频特性的MOSFET射频模型,并对其相应的噪声模型进行了分析,总结了MOSFET射频建模的特点和需要注意的事项。
- 李意尹华杰
- 关键词：MOSFETMOS器件射频电路噪声模型
- 基于不连续导电模式的单级半桥功率因数校正变换器研究
- 开关电源中的寄生器件(如变压器漏感、功率器件寄生电容等)以及整流过程中的反向恢复过程是引起变换器工作在硬开关状态的主要原因.通常利用外加的无源或有源器件实现软开关,电路复杂、成本较高.新的非平衡半桥变换器(Asymmet...
- 李意
- 关键词：功率因数校正
- 文献传递
- 乳源雌性激素检测及其在牛乳中分布的研究
- 乳及其制品被认为是人类膳食雌性激素的主要来源，其安全性及生理效应受到国内外研究者的广泛关注。
本文首先通过研究建立了乳源雌性激素(雌酮、17β-雌二醇、雌三醇、孕酮)的RP-HPLC同步检测技术，主要包括：...
- 李意
- 关键词：雌性激素激素检测牛初乳粉性激素含量高效液相色谱分离雌三醇
- 文献传递
