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李建军

作品数:9 被引量:10H指数:2
供职机构:西安电子科技大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术经济管理更多>>

文献类型

  • 5篇学位论文
  • 4篇期刊文章

领域

  • 8篇电子电信
  • 1篇经济管理
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 3篇多晶
  • 3篇多晶硅
  • 3篇多晶硅栅
  • 3篇硅栅
  • 2篇电磁
  • 2篇电磁散射
  • 2篇调制
  • 2篇调制解调
  • 2篇散射
  • 2篇沙地
  • 2篇解调
  • 2篇QPSK调制
  • 2篇QPSK调制...
  • 2篇BF
  • 2篇FDMA
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶硅
  • 1篇多分辨
  • 1篇多分辨率
  • 1篇多路

机构

  • 9篇西安电子科技...

作者

  • 9篇李建军
  • 3篇刘家璐
  • 3篇张廷庆
  • 1篇易克初
  • 1篇田红心
  • 1篇赵元富

传媒

  • 2篇Journa...
  • 1篇微细加工技术
  • 1篇微波与卫星通...

年份

  • 1篇2015
  • 2篇2013
  • 1篇2006
  • 1篇1999
  • 4篇1998
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
氟在多晶硅栅中迁移特性的分析与模拟
1998年
在深入分析氟在多晶硅栅中迁移特性的基础上,建立了氟在多晶硅栅中的迁移方程.采用有限差分法,模拟了氟在多晶硅栅中的分布,模拟结果与实验符合得很好.给出了氟在多晶硅中的发射系数e约为6×10-2/s,氟在晶粒间界的扩散系数Db=9×10-12exp(-0.895/kT)和氟在Poly-Si/SiO2界面的吸收系数S1与温度的变化关系.
张廷庆李建军刘家璐赵元富
关键词:多晶硅栅MOS器件
沙地电磁散射特性研究
沙地表面电磁散射特征研究在地面环境遥感监测、目标识别技术中具有重要的科学意义,是提高成像探测系统性能,检验识别算法的重要途径。本论文研究各种沙地表面的电磁散射特性,主要工作有:描述了沙地波纹的形成机制学说及沙粒运动模型,...
李建军
关键词:沙地电磁散射基尔霍夫近似
文献传递
基于蚁群算法的车辆路径规划问题的研究
车辆路径规划问题(Vehicle Routing Problem,VRP)是现代物流配送过程中的关键环节,而且其在众多领域中都有广泛的应用,因此它的提出引起了不同学科的专家和物流管理者的极大重视,目前VRP已经成为研究的...
李建军
关键词:蚁群算法旅行商问题物流配送
文献传递
生命探测雷达信号处理算法研究
本文主要针对自主研制开发的生命探测雷达进行信号处理的算法研究,生命特征信号属于低速运动目标信号,它所产生的多普勒频移非常小,微弱的回波信号极易淹没在强杂波背景下。如何更加有效准确地检测和提取出所需的微弱目标信号即生命特征...
李建军
关键词:小波变换多分辨率生命探测雷达信号处理
文献传递
全数字多路FDMA/QPSK调制解调系统的实现被引量:3
1998年
数字QPSK多载波解调是发展数字卫星通信的一项重要技术。数字化、软件化是通信技术的发展趋势。本文介绍了一种多路FDMA/QP-SK信号的产生、合路、分路和解调的全数字软件化的实现方法,并在多台计算机上非实时的对基于此方法的系统进行了模拟。系统模拟结果表明,信号在连续信道传输过程中存在一定噪声干扰的情况下,误码率保持为0。
田红心李建军易克初
关键词:调制解调FDMA卫星通信
沙地电磁散射特征研究
沙地表面电磁散射特征研究在地面环境遥感监测、目标识别技术中具有重要的科学意义,是提高成像探测系统性能,检验识别算法的重要途径。本论文研究各种沙地表面的电磁散射特性,主要工作有:  描述了沙地波纹的形成机制学说及沙粒运动模...
李建军
文献传递
星上处理多载波FDMA/QPSK调制解调及其DSP实现
该文主要介绍了作者在用于星上处理的多载波FDMA/QPSK调制解调研究中所做的一些工作.主要包括以下三个方面:(1)分析了全数字化实现QPSK调制、解调的基本理论.并对软件实现QPSK相干及差分解调的一些关键技术进行了讨...
李建军
关键词:调制解调星上处理QPSK多载波解调
文献传递
BF_2^+注入单晶硅和多晶硅栅快速热退火氟迁移特性的SIMS分析
1998年
本文借助SIMS技术,系统地分析了45keV,1×1014、2×1015和5×1015cm-2BF+2注入单晶硅和80keV、2×1015cm-2BF+2注入多晶硅栅在快速退火条件下,F在单晶硅和多晶硅栅中的分布剖面,并对F在单晶硅和多晶硅栅中的迁移特性进行了深入的分析和讨论.F在多晶硅栅中的迁移,不但存在着F的扩散,而且还存在着F的发射和吸收,据此成功地解释了实验结果.
张廷庆刘家璐李建军李建军
关键词:多晶硅单晶硅
不同剂量BF_2^+注入多晶硅栅氟迁移特性的二次离子质谱分析被引量:1
1998年
借助SIMS技术,系统地分析了80KeV,2.5×1014、5×1014、1×1015、2×1015和3×1015cm-2BF+2注入多晶硅栅在900℃、30min热退火条件下,氟在多晶硅栅中的分布剖面,并对氟在多晶硅和二氧化硅中的迁移特性进行了深入讨论。
张廷庆刘家璐李建军孙永明赵元富
关键词:离子注入SIMS多晶硅栅
共1页<1>
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